INA149：差动放大器

德州仪器推出高精度羞动放大器INA149,满足高达＋275V高共模电压应用需求。该INA149支持100dB最佳共模抑制比（CMRR）,可在＋125℃的高温环境下具有90dB最低CMRR性能的高电压差动放大器。     

德州仪器推出INA149面向高共模电压应用的业界最高精度放大器

日前,德州仪器（TI）宣布推出业界最高精度差动放大器,充分满足高达＋275V高共模电压应用需求。该INA149支持100dB最佳共模抑制比（CMRR）,与同类竞争产品相比,可将整体测量精度提高1倍,是首款可在125摄氏度的高温环境下具有90dB最低CMRR性能的高电压差动放大器。此外,该放大器与同类竞争产品相比,还可在将初始增益误差降低33％的同时,将压摆率提高1倍,从而可加快响应时间,增强整体系统性能。     

运算放大器共模抑制化的测量方法

共模抑制比(CMRR)是指差分放大器对同时加到两个输入端上的共模信号的抑制能力。更确切地说，CMRR是产生特定输出所需输入的共模电压与产生同样输出所需输入的差分电压的比值。同时，CMRR还等于放大器开环共模增益与开环差模增益的比值。本文下面所描述的测试方法可快速获得CMRR与频率关系的曲线图，而且其测量结果在DC到几十兆赫兹频率范围内都无误差，并可重复测量。     

一种高性能共模反馈CMOS运算放大器

介绍了一种具有高增益,高电源抑制比(CMRR)和大带宽的两级共源共栅运算放大器。此电路在两级共源共栅运算放大器的基础上增加共模反馈电路,以提高共模抑制比和增加电路的稳定性。电路采用0.35μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下进行仿真。结果显示,该放大器增益可达到101 dB,负载电容为10 pF时,单位增益带宽大约为163 MHz,共模抑制比可达101dB,电路功耗仅为0.5 mW。     

内置抗电磁干扰滤波器的运算放大器

LMV831单组装、LMV832双组装及LMV834四组装运算放大器都可支持CMOS输入,输入偏移电压不超过1mV,并设有轨到轨输出级,包括接地电压在内的输入共模电压范围。LMV83X系列芯片的共模抑制比（CMRR）及电源抑制比（PsRR）都同样高达93dB,即使驱动200pF这样大的电容负载,仍可发挥极高的稳定性,而且还适用于－40～＋125℃的宽温度范围。     

CMRR极大的精密电平移位电路

大多数设计人员都使用运算放大器和1%公差的分立电阻器制作电平移位器.分立电阻器失配会将运算放大器的CMRR(共模抑制比)限制在40 dB以下,所以你就不能在要求CMRR很高的电路中使用运算放大器.差分放大器包含精密匹配的内部电阻,所以诸如INA133等IC均能很容易地达到大约90 dB的CMRR.     

Microchip推出具备低静态电流（135μA）的16V运算放大器

Microchip（美国微芯科技公司）宣布推出MCP6H01和MCP6H02（MCP6H01/2）通用运算放大器（运放）。两款器件具有12MHz的增益带宽积和从3.5V～16V的电源电压。这两款器件还具有135μA（典型值）的低静态电流、35mV（最大值）的输入失调电压、100dB（典型值）的共模抑制比（CMRR）．以及102dB（典型值）的电源抑制比（PSRR）。     

利用平衡式MLCC抑制干扰

仪表放大器通常工作在噪声嘈杂的环境中,当输入放大器工作时,RF 干扰的 AC 共模电压可能产生 DC整流并由此引发仪表放大器输出工作点的漂移,导致大量共模噪声转化为差模噪声。使用一种平衡式多层陶瓷电容(MLCC)可以提高 CMRR(共模抑制比)和防止仪表放大器中的 DC 整流。     

运算放大器共模抑制比的测量方法

共模抑制比(CMRR)是指差分放大器对同时加到两个输入端上的共模信号的抑制能力.更确切地说,CMRR是产生特定输出所需输入的共模电压与产生同样输出所需输入的差分电压的比值.同时,CMRR还等于放大器开环共模增益与开环差模增益的比值.本文下面所描述的测试方法可快速获得CMRR与频率关系的曲线图,而且其测量结果在DC到几十兆赫兹频率范围内都无误差,并可重复测量.     

让您的仪表放大器设计发挥极大效能

众多工业与医药应用均在大共模电压与DC电位下采用仪表放大器（INA）来调节小信号。然而，标准INA却常因使用单位增益的差动放大器做为输出级而导致输人共模电压范围受到大幅限制。共模信号受到邻近设备以及不同位置的信号源的较大差动DC电位的感应，从而使INA的输人电压升高，输人级发生饱和。饱和现象将产生INA输出电压。尽管该电压值是错误的，但随后的处理电路却无法辨别。这将导致不可预见的灾雉性后果。     

一种低噪声高共模抑制比运算放大器的分析与设计

低噪声高共模抑制比的运算放大器是将套筒式共源共栅结构、差分输出和共模负反馈相结合,设计出的一种新型运算放大器.基于SMIC0.18 μm工艺模型对电路进行设计,仿真结果表明该电路的开环增益为82.3 dB,相位裕度为66°,共模抑制比为122 dB,增益平坦带宽为15 MHz,噪声为7.781 nV/sqrt （Hz）,达到设计要求.     

高频下保持高输出阻抗的双极电流源

基于仪器和运算放大器的传统电流源和电压/电流转换器在低频下提供很高的输出阻抗,这是因为放大器具有良好的低频CMRR(共模抑制比)。在较高频率下,降低的CMRR、固有的输出电容、转换率的局限性阻止了高质量电流源的实现。     

具备低静态电流的16V运算放大器

MCP6H01和MCP6H02（MCP6H01／2）具有12MHzN增益带宽积和从3．5～16V的电源电压。这两款器件还具有135μA（典型值）的低静态电流、3．5mV（最大值）的输入失调电压、100dB（典型值）的共模抑制比（CMRR），以及102dB（典型值）的电源抑制比（PSRR）。     

可在低电压下实现高共模抑制比的仪表放大器

现代的电池电压为3～3.6V,这就要求电路能在低压下高效工作.本设计提出的一种交流耦合仪表放大器,具有很大的共模抑制比(CMRR)、很宽的直流输入电压容限以及一阶高通特性.     

对小信号实现数字化的差动放大器

图１的差动放大器可在３．３Ｖ电源图上处理高达±２４Ｖ的共模电压，或者在５Ｖ电源上处理高达±４０Ｖ的共模电压。它可方便地与使用３．３Ｖ或５Ｖ单电源系统的模数转换器（ＡＤＣ）或数据采集系统（ＤＡＳ）相连接，以便处理共模范围很宽的输入。差动放大器Ｘ１是实际的差动放大器，而Ｒ１、ＲＺ、Ｒ３和Ｒ４则是增益调整电阻。Ｘ２迫使Ｘ１输入端的共模电压相对于Ｘ３提供的静态偏置点为零。由于双和四低压运放货源充足，因而差动放大器可用一块ＩＣ来实施。由于正向共模输入需要Ｘ２的输出向负向摆动，因而有必要偏置在一半电源上或电…     

让您的仪表放大器设计发挥极大效能

介绍众多工业与医药应用均在大共模电压与DC电位下采用仪表放大器(INA)来调节小信号。然而,标准INA却常因使用单位增益的差动放大器做为输出级而导致输入共模电压范围受到大幅限制。共模信号受到邻近设备以及不同位置的信号源的较大差动DC电位的感应,从而使INA的输入电压升     

一种带增益提高技术的高增益CMOS运算放大器的设计

给出了一种用在高速高精度流水线型模数转换器中的具有高增益和高单位增益频率的全差动CMOS运算放大器的设计,电路结构主要采用折叠式共源共栅结构,并采用增益提高技术提高放大器的增益。共模反馈电路由开关电容共模反馈电路实现。模拟结果显示,其开环直流增益可达到106 dB,在负载电容为2 pF时单位增益频率达到了167 MHz,满足了对模数转换器的高速度和高精度的要求。     

用于HBWLED驱动电路的宽共模电压误差放大器

针对高亮度白光(HBW)LED驱动芯片等在高输入共模电压条件下工作的应用需要,提出一种基于高端电流检测的新型误差放大器,其特点是共模电压范围宽,具有良好的高端电流检测特性.特殊的电路结构设计使该放大器具有失调电压可调的功能,可用于实现对LED调光电流的控制.给出了整个电路的设计,并在1.5 μm BiCMOS工艺下实现.仿真结果显示,误差放大器输入共模范围达350 V,共模抑制比为80 dB,输入失调电压可调范围为8～92 mV.测试结果表明,芯片的主要性能与设计结果相符.     

一种高增益三级运算放大器

提出了一种高增益三级运算放大器。采用五管全差分、套筒式共源共栅、典型共源级结构作为运算放大器的放大级,采用共模抑制电路、频率补偿电路、高摆幅偏置电路,提高了运算放大器的性能。结果表明,在3 V电源电压、4 pF负载电容的条件下,该运算放大器的开环直流增益为155 dB,单位增益带宽为112 MHz,相位裕度为84.1°,电源抑制比为151 dB,共模抑制比为-168 dB。该运算放大器的补偿电容较小,节省了面积。     

5V零漂移轨对轨精密运算放大器

ISL28134可用于压力、温度、医疗、应变计和惯性传感器的模拟前端。其主要性能：0．1～10Hz的噪声电压仅为0.25μVp-p;输入失调电压最大值为2.5μV;输入失调电压漂最大值为15nV/℃,功耗仅为675μA;轨对轨输入输出;共模抑制比（CMRR）135dB.