照明设备

XJG-1200节能灯管自动生产线的研制开发;GB12791-2006点型紫外火焰探测器;电光源机械设备;一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器.     

AlGaN/GaN异质结肖特基二极管研究进展

氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代半导体材料的代表之一,具有临界击穿电场强、耐高温和饱和电子漂移速度高等优点,在电力电子领域有广泛的应用前景。GaN基器件具有击穿电压高、开关频率高、工作结温高、导通电阻低等优点,可以应用在新型高效、大功率的电力电子系统。总结了AlGaN/GaN异质结肖特基二极管SBD(Schottky barrier diode)目前面临的问题以及目前AlGaN/GaN异质结SBD结构、工作原理及结构优化的研究进展。重点从AlGaN/GaN异质结SBD的肖特基新结构和边缘终端结构等角度,介绍了各种优化SBD性能的方法。最后,对器件的未来发展进行了展望。     

绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术

绝缘栅氮化镓(GaN)基平面功率开关器件是下一代GaN功率电子技术的最佳选择。在此从Si基GaN金属绝缘体(氧化物)半导体(MIS/MOS)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件面临的界面态和增强型栅产业化制备等方面入手,介绍了绝缘栅GaN基器件表界面态工程,高可靠栅介质及兼容互补MOS(CMOS)工艺的大尺寸Si基GaN器件制造等技术的研究进展,为绝缘栅GaN基平面功率开关器件的产业化应用奠定基础。     

基于ZnO/Graphene纳米复合材料紫外光探测器的制备与实现

利用化学气相沉积法制备氧化锌（ZnO）纳米线,通过微加工工艺获得了基于 ZnO 纳米线与ZnO石墨烯量子点纳米复合材料的紫外光探测器。ZnO 石墨烯纳米复合材料的结构和表面形貌通过 X 射线电子衍射和扫描电镜来表征,结果表明,ZnO 纳米线的直径约为33 nm,与石墨烯量子点很好地复合在了一起。利用紫外可见吸收谱对样品的光吸收进行了记录,实验表明,基于ZnO复合石墨烯量子点纳米复合材料的紫外探测器在 UV 照射下显示出良好的光响应行为,该类型基于ZnO复合石墨烯量子点探测器可能在ZnO紫外探测的应用方面具有潜在的意义。     

六英寸Si基GaN功率电子材料及器件的制备与研究

氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,具有优异的材料物理特性,更加适合于下一代电力电子系统对功率开关器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣工作温度的要求。为了兼容Si基CMOS工艺流程,以及考虑到大尺寸、低成本等优势,在Si衬底上进行GaN材料的异质外延及器件制备已经成为业界主要技术路线。详细介绍了在6英寸Si衬底上外延生长的AlGaN/GaN HEMT结构功率电子材料,以及基于6英寸CMOS产线制造Si基GaN功率MIS-HEMT和常关型Cascode GaN器件的相关成果。     

一种双光谱的矿用瓦斯管路火焰探测器设计

为了保证煤矿安全生产,需要对煤矿瓦斯管路中出现的瓦斯爆燃做出快速准确的判断,设计了一种基于紫红外双光谱检测原理的火焰探测器,它根据火焰辐射的光谱特性,利用紫外和红外传感器的特性和相关性识别火焰信号,达到早期抑爆的目的。最后,为验证探测器的优越性和有效性,根据GB 15631-2008特种火灾探测器标准要求设计了一系列的实验。实验结果表明,该探测器灵敏度高、响应时间短、抗误报能力强且具有较强的环境适应能力。目前,该探测器已成功应用于煤矿瓦斯抽采安全保障系统,且取得了较好的经济效益。     

用两类光探测器测量LED辐射强度之比较

本文介绍了热电型和光电型光探测器的结构,列出了Φ5mm普通LED法向辐射强度的量值,对测量结果作了分析,实验结果肯定了用热电型光探测器测量该参数的可行性和重要性,其量值可作为光电型光探测器改善测量精度的量化依据。     

一种用于微光探测的四象限探测器设计

四象限探测器作为一种基于光电效应工作的位置定位器件,可以较准确地定位激光光束中心的位置。介绍了一种用于微弱光束探测的四象限探测器的设计和实现方法,首先对四象限探测器的光斑位置检测原理进行了介绍,然后对该四象限探测器的放大电路、四路同步数据采集处理电路及电源模块的设计实现进行了详细介绍,并在实验室用搭建的测试平台验证了该四象限探测器的性能。实验结果表明该四象限探测器增益5档可调,各档位静态噪声均小于10mV,4个通道一致性较好,具有高分辨率、低静态噪声、装置结构简单等优点,已应用于实际项目,该装置满足项目对光电检测系统的精度需求。     

320 nm AlGaN肖特基型紫外探测器的研制

制备了i-AlGaN/n-AlGaN肖特基结构的背照射AlGaN紫外光电探测器,并进行了光电性能的研究。室温下发现光电探测器的截止波长为320 nm,但在350～400 nm之间存在宽广的深能级响应。通过对探测器进行电流-电压和电容-电压的测试,分析了350～400 nm之间深能级响应谱出现的原因。电流-电压测试结果表明理想因子在2以上,说明正向输运机制中存在由缺陷能级引起的复合电流,电容平方倒数对电压斜率的变化表明在该探测器本征层中存在由缺陷引起的深能级响应。两种测试分析结果均表明该响应由本征层中的缺陷引起。     

提高电流型PIN探测器灵敏度的方法研究

研究并采用增加灵敏体积的方法,研制出60mm×600μmPIN探测器,成功实现了探测器灵敏度要求为10-15~10-16C·cm2/MeV范围的辐射测量;研究并采用将数个PIN探测器串接起来形成阵列的方法,已研制出80mm×800μmPIN新型阵列探测器,成功使探测器灵敏度调节范围达到10-14~10-15C·cm2/MeV。有效解决了光电探测器和以前国产硅PIN探测器在该灵敏度范围的测量困难。