共查询到20条相似文献,搜索用时 562 毫秒
1.
利用脉冲CO2激光气相合成了大尺寸的硅团簇Sin(n-10^3),并对其生长机理进行了初步研究,大尺寸硅团簇Sin(n-640)的飞行时间质谱可用对数正态分布函数很好地拟合,分析表明其结构由小尺寸硅团簇丰富多样趋向于简单化。 相似文献
2.
本文用半经验紧束缚法(LCAO)对赝形生长在(001)Si1-yGey(0≤y≤1)衬底上的Sim/Gen(2≤m+n≤40)应变层超晶格的能带结构进行了系统的计算.结果表明,当Si层和Ge层的厚度m和n的取值分别为(1,4),(2,3),(3,2),(4,1),(2,8),(3,7),(4,6),(6,4),(3,6),(6,3),(7,7)时,对称应变Sim/Gen超晶格的能带结构为直接带隙,其中m+n=10的规律已为近两年其它理论计算和部分实验结果所证实.本文所得的m+n=5及其它m+n≠10的直接 相似文献
3.
4.
对1.3μm和1.55μm波长的Si1-xGex波长信号分离器(WSD)和Si1-xGex/Si应变超晶格(SLS)红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计.优化结果为:(1)对Si1-xGexWSD,Ge含量x=0.05.波导的脊高和腐蚀深度分别为3μm和2.6μm.对应于λ1=1.3μm和λ2=1.55μm波长的波导脊宽分别为11μm和8.5μm.(2)对Si1-xGex/SiSLS探测器,Ge含量x=0.5.探测器的厚度为550nm,由23个周期的6nmSi0.5Ge0.5+17nmSi组成. 相似文献
5.
本文通过对工艺条件的控制,获得了铜系混合导体材料Cu2Mo6S7.7,Cu2Mo6S8.0及Cu4Mo6S8.0X射线衍射线相分析表明为Mo6S8结构的单相,并采用分析化学方法对其化学计量进行了分析。 相似文献
6.
7.
8.
报道了YBa2Cu3O6.3和PrBa2Cu3O6.3多晶陶瓷c抽取向薄膜中的红外光谱,在PrBa2Cu3O6.3中以9个声子模,对应于5Eu+4A2u振动。在YBa2Cu3O6.3材料中观察到10个声子模,对应于6Eu+4A2u振动,其中Pr的Eu和A2u模分别为位于170cm^-1和198cm^-1,Y和Eu和A2u模分别位于191cm^-1和217cm^-1PrBa2Cu3O6.3和YBa2 相似文献
9.
利用常规的LEED和高分辨率的SPA-LEED技术研究了标称(337)的Si表面原子结构.经过反复的离子轰击(700eVAr+)和1300K退火之后的这种表面形成稳定的(5,5,12)晶面,即结构周期为(337)+(225)+(337)的有序的原子排列.这一事实说明:Si(5,5,12)是比Si(337)更为稳定的晶面.LEED和SPA-LEED图像证实,稳定的Si(5,5,12)表面为(2×1)原子再构,即沿[110]方向的周期是体内结构周期的两倍,而沿[665]方向的周期与体内结构周期相同. 相似文献
10.
Si在SF6+N2中反应离子刻蚀及其剖面的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报导了用SF_6+N_2混合气体反应离子刻蚀Si及其剖面的实验结果,研究了在刻蚀时,混合气体的成份和射频功率密度对Si的蚀速影响以及Si的负载效应,通过实验得到了一种获得Si的腐蚀垂直剖面的方法,该腐蚀技术在制作微机械马达和周期为466.8nm的二级光栅(线宽0.2μm)中得到应用。 相似文献
11.
中红外薄膜的离子辅助淀积 总被引:3,自引:0,他引:3
本文研究了用离子束辅助淀积的中红外ZnS,ZnSe,YbF3,BaF2,BaF2+CaF2(6:4)膜在3.8μm波长处光学特履和其它性能,用透射电镜和光电子能谱仪研究了这些单层膜微结构和化学计量比。实验发现离子束辅助淀积膜层填充密度增加,附着力增强,机械强和环境稳定性得到明显改善。用离子束辅助淀积的中红外反射膜在3.8μm波长反射率大于0.994。 相似文献
12.
13.
本文研究了碱锑型光阴极的光学过程。利用反荧石结构和其结构的相似性,确定了Na2KSb、Cs3Sb和K2CsSb阴极在光谱结构上对应布里渊区中发生的光学跃迁,发现多有极的跃迁更接近晶态,而Cs3Sb和K2CsSb阴极和非晶态的非常类似。 相似文献
14.
固相外延CoSi_2薄膜作为扩散源形成n~+p浅结技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过As+离子注入到由TiN/Co/Ti/Si多层结构因相反应得到的外延CoSi2层中,利用外延硅化物作为扩散源(ESADS),形成了0.1μm的浅n+p结.研究了Cosi2外延薄膜离子注入非晶化后的再结晶特性、注入杂质退火时的再分布特性和形成的n+p浅结特性.实验结果表明:外延CoSi2层在非晶化后能有效地再结晶;As原子在多晶CoSi2/Si结构和单晶CoSi2/Si结构中有着不同的再分布特性;同相应的以多晶CoSi2作为扩散源形成的结相比,以外延CoSi2作为扩散源形成的结反向漏电小1~2个数量级, 相似文献
15.
本文采用SIMS、TEM、RB等测试手段,分析了注入剂量改变对SIMOX(SeparationbyIMplantedOXygen)材料顶层硅和埋氧化层微结构的影响,研究结果表明,注入剂量低至0.6x1018O+/cm2时,经过1300℃,6小时的高温退火过程,能形成界面清晰的三层结构,得到高结晶度的表面硅层,埋氧化层中存在尺寸较大的硅岛;标准注入剂量(1.8x1018O+/cm2)形成的SIMOX材料表层硅出现明显的缺陷,分析结果表明,注入过程中表面存在的缺陷经高温退火后仍有部分残留,成为最终材料表面缺陷的原因之一;形成低表面缺陷和高绝缘性能埋氧化层的优化注入剂量在注入能形成连续氧化物的临界注入剂量左右。 相似文献
16.
本文通过对工艺条件的控制,获得了铜系混合导体材料Cu2Mo6S7、7、Cu2Mo6S8.0及Cu4Mo6S8.0.x射线衍射物相分析表明为Mo6S8结构的单相,并采用分析化学方法对其化学计量进行了分析,通过测试得到了三种混合导体的总电导率σ和离子电导率σi·当混合导体Cu2M06S7、7与固体电解质Rb4Cu16I7Cl13复合后可改善其电化学性能,复合比为2:1时,总电导率σ和离子电导率σi可达75(Ω·cm)-1和7×l0-2(Ω·cm)-1。 相似文献
17.
18.
对1.55μm波长的Si1-xGex光波导开关和Si1-xGex/Si红外探测器的集成结构进行了系统的理论分析和优化设计。设计结果为:(1)对Si1-xGex光开关,Ge含量x=0.05,波导的内脊高、脊宽和腐蚀深度分别为3,8.5和2.6μm,分支角为5~6°。要实现对1.55μm波长光的开关作用,pn+结上所需加的正向偏压值应为0.97V;(2)对Si1-xGex/Si探测器,Ge含量x=0.5,探测器由23个周期的6nmSi0.5Ge0.5和17nmSi交替组成厚度为550nm,长度约为1.5~2mm的超晶格,内量子效率达80%以上。 相似文献
19.
S_2Cl_2钝化的GaAs表面的同步辐射光电子能谱研究 总被引:2,自引:1,他引:1
前已发现,将GaAs(100)晶片浸入S2Cl2或S2Cl2+CCl4溶液是实现GaAs表面钝化的一种有效途径.用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量S2p芯能级谱,从而揭示,在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合物.AsxSy是其中的主要成分,但轻度退火就能去除.随着退火过程中S原子从As-S转移到Ga-S,Ga3d谱中始终出现两个与Ga-S相关的分量,表明稳定的钝化同表面Ga-S键的存在联系在一起 相似文献
20.
可重复生长的非线性红外晶体AgGaSe2是Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2簇化合物之一。具有42m对称的负单轴特性。使用光栅选频要中调谐TEA CO2激光器输出的9P支线泵浦AgGaSe2晶体可产生波长4.75μm左右的激光。晶体长度为6.7mm,在10.6μm处按Ⅰ类相位匹配加工。 相似文献