不等间隙钎焊提高钎缝致密性机理的研究

前言微波元件的钎焊生产中,为了减少夹气、夹渣等缺陷,提高钎缝的致密性,采用不等间隙钎焊在生产实践中是行之有效的。近年来,不等间隙钎焊不仅在钎焊铜制波导中广泛应用,铝制波导钎焊也有所采用。对于不等间隙钎焊提高钎缝致密性的机理,我们过去曾指出:不等间隙钎焊时,钎料填缝前沿的紊乱现象将会改善,而且钎料填缝前沿还能自动调整,因而减少了“包围”现象,提高了致密性。另外,通过模拟试验后,我们曾推论:夹气、夹渣有可能从不等间隙内向外排出。国内还有人认为:不等间隙钎焊有能力消除钎料的树枝状漫流而产生一种序性漫流。但是,这些观点     

火焰银钎焊波导元件的一种新钎剂

为了获得优质、致密钎焊接头,配制出了一种新银焊钎剂。该钎剂具有活性作用强、工艺性能良好的特点,对提高铜制波导元件银钎焊焊缝的致密性,减少对随后波导元件镀银质量的危害,提供了重要途径。     

铝波导钎焊

本文主要分析了铝波导钎焊时产生变形的原因,并根据生产实践正确掌握铝波导钎焊技术,控制或减小钎焊时的变形量,钎缝中流量的控制和密集焊缝处理,钎缝致密性和抗腐蚀所提出的要求和应采取的措施。     

铝波导钎焊QF型氟化物钎剂的研究

铝波导生产中目前广泛采用201类型氯化物钎剂料402火焰钎焊。由于氯化物钎剂钎渣的强烈吸潮性,致使铝波导钎焊接头产生翻浆、长白毛、烂缝、鼓包等腐蚀现象,造成铝波导加工生产及存放使用中因腐蚀而报废。本文对QF型氟化物钎剂从组成、配制、工艺性能、对母材的腐蚀性能、使用性能等方面进行了系统试验研究指出:QF型氟化物钎剂不吸潮,去膜能力强,钎焊接头耐蚀性好,钎缝致密性好,钎渣易于去除,适用于普通炉中钎焊、惰性气体保护炉钎焊及气体火焰钎焊等,采用QF型钎剂能显著提高铝波导钎焊接头耐蚀性,为解决目前铝波导钎焊生产中的腐蚀问题提供了有效的途径。     

镀锌板激光钎焊钎缝成形和接头质量研究

本文以CuSi3为钎料,电镀锌钢板为母材,CO2激光为热源,对卷对接接头进行了激光填丝钎焊研究。试验过程中,通过改变钎焊工艺参数及激光入射方式,研究了镀锌钢板激光填丝钎焊在不同热输入下的钎缝外观成形规律。结果表明,激光功率和光斑直径是影响钎缝成形最重要的因素;倾斜入射激光可以改善钎缝成形质量。此外,对不同热输入和同一接头不同部位的界面结合情况和界面元素的分布进行了SEM观察和电子探针分析。结果表明,随着钎焊线能量的增加,Si、Mn元素容易在界面处出现偏聚;相对于接头上部,接头下部钎料与母材结合微弱,界面更容易出现Si、Mn、Zn元素的富集。     

雷达馈线零部件低温钎焊工艺优化研究

针对铜合金馈线波导器件工艺过程中出现的电镀发黑、镀层不牢等难题,进行了大量工艺试验及低温钎焊工艺的优化研究。结果表明,镀层发黑的主要原因为焊缝结合率不高、致密性不够,电镀过程中的清洗液残留所导致。通过试验,得到了优化的馈线零部件低温钎焊工艺,并对焊接结构进行了改进,使钎焊质量能够满足产品的尺寸精度、电镀要求。     

高频元件的C_2H_2 O_2焰银钎焊工艺

银钎焊是制造高频设备中一项关键性的工艺,高频元件的银钎焊质量是影响高频设备是否具有正常电性能的决定性因素之一. 本文旨在通过试验研究,向读者介绍高频元件的C_2H_2 O_2焰银钎焊工艺,包括钎焊前准备、钎焊规范、钎焊后处理以及钎焊缝质量检验等.同时就高频元件中常用的??80-3??铸黄铜 ??62黄铜以及紫铜 ??62黄铜为基体金属,用∏CP-45银焊料的银钎焊     

一种微波连接器大面积接地钎焊实现方法

使用钎焊工艺实现微波连接器与基板互联,不但可以实现微波连接器与基板之间的机械连接,也可以实现微波连接器外壳可靠接地,使连接器装配更好地适应高频微波电路的要求。文章针对一种典型的连接器与基板垂直连接试件的焊接工艺分析,使用感应焊和电阻焊两个方法实现工艺过程,通过X射线检测钎透率,进行失效分析,并经过焊缝力学性能测试表明,通过恰当的工艺工程控制,两种方法均能够满足焊接要求。     

半导体器件芯片软钎焊用Sn—Ag—Sb合金钎料的研究

大功率晶体管制造过程中所使用的软钎料,一直是国内外电子行业所普遍关心的问题。本文研究了过冷度对J合金显微组织及性能的影响;过冷度对J合金钎料强度的影响;进行了J合金的软钎焊性及热疲劳试验。研究表明:J合金冷却速度的大小直接影响钎料的润湿性和钎焊接头的致密性,从而影响接头的机械强度和抗热疲劳性能。     

凝固超声处理对Al/Zn-3Al/Cu钎焊接头显微形貌及性能的影响

主要研究了Al/Zn-3Al/Cu钎焊接头在凝固过程中实施超声处理时其钎缝层显微结构和性能的演变。研究结果表明,在未经凝固超声处理的钎焊接头中,钎缝层呈现出一种各向异性的显微结构;然而,在经过凝固超声处理的钎焊接头中,钎缝层有着均匀的显微结构,其由一种等轴的花瓣状Cu Zn5/Al复合物以及弥散其间的细小α-Al晶粒和Zn-Al共晶组织组成。性能测试结果表明,与未经凝固超声处理的钎焊接头相比,经过凝固超声处理的接头钎缝层的硬度增加了26.2%,热膨胀系数降低了38%。     

微波PIN二极管复合介质膜钝化技术的研究

表面钝化是半导体器件制造过程中的重要工艺环节之一,对器件的电学特性和可靠性有重要影响。微波PIN二极管器件的可靠性与钝化技术密不可分,结合高温干氧和等离子体化学气相沉积（PECVD）工艺制备了微波PIN二极管的复合介质表面钝化膜。通过对膜厚、折射率、表面方块电阻、正向电阻和二极管结电容等参数的测试和分析,对工艺条件进行了优化,获得了致密性好和绝缘强度高的表面钝化膜,提升了微波PIN二极管器件的可靠性和环境适应性。     

氟化物高温铝钎剂

本文对 KF—AlF_3型铝钎剂,就其组成、性能及钎后清洗等方面进行了一系列试验。最佳配比为 KF:AlF_3=45.8:54.2(重量%)。为了降低熔点,又在 KF—AlF_3的基础上添加了 KCl、ZnCl_2、LiCl、CdCl_2、NaCl、PbCl_2、NiCl_2以及 LiF、NaF、CaF_2等盐类。试验表明,加 KCl、ZnCl_2效果较好,其他盐类都不理想。KF—AlF_3型铝钎剂的性能与氯化物钎剂相比较有一系列优点:不吸潮、不溶于水,对工件无腐蚀作用,工艺性优良、钎缝致密性好等等。为了对钎后清洗找到有效配方,经过试验,得到 HNO_3(280克/升)+HF(10克/升)+H_2O,再在超声波发生器作用下,可以获得很好的清洗效果。最后介绍了钎剂的配制方法,该钎剂的配制设备简单、操作容易,对原材料纯度要求不高,易于在生产中采用。     

微波烧结ZnO压敏电阻的可行性研究

采用微波烧结工艺制备了ZnO压敏电阻,研究了其致密化过程,运用XRD、SEM、电性能测试等手段,分析了烧结温度对其微观结构和电性能的影响。结果表明:微波烧结工艺不仅可显著提高ZnO压敏电阻的致密化,而且能够改善材料的微观结构和电性能。微波工艺的烧结周期仅是传统工艺的1/10~1/8。微波烧结样品的小电流特性有所提升;其通流量为11.6kA,比商用ZnO压敏电阻(7.75kA)高。     

SnAgCu系钎料合金对表面贴装元件润湿特性研究

采用润湿平衡法,研究了水溶性钎剂条件下SnAgCu系钎料合金对表面贴装元件的润湿特性.试验结果表明,钎焊温度对润湿力作用显著.Sn2.5Ag0.7Cu钎料合金的最大润湿力为1.265 mN,其最佳工艺参数分别为:预热时间15 s,钎焊温度255℃和钎焊时间5 s.该润湿力高于目前商用的Sn3.0Ag0.5Cu钎料,与Sn3.8Ag0.7Cu钎料润湿力相当,完全能够满足表面组装行业对无铅钎料润湿性能的要求.     

GaAs单片微波集成电路的制作工艺

GaAs单片微波集成电路工艺属于分立GaAs MESFET工艺的进一步发展。描述了GaAs制作工艺,它为微波电路设计师提供了制作所有元件的能力,其中包括MESFET、电阻、电容、电感和完整的背面接地连接。以2～12GHz单片放大器为例说明了这些元件的集成。     

铝合金微波组件的感应软钎焊工艺研究

阐述了感应加热的原理和设备的人机界面特点,分析了铝合金感应软钎焊的优点,根据试验需要设计了专用工装.文中将感应加热技术应用于铝合金微波组件的软钎焊,利用感应加热速度快、加热集中和工件变形小等优点,设计相应的感应器,开展焊接温度场测试和感应软钎焊工艺研究,实现了铝合金微波组件的连接,其焊缝外观一致,内部焊缝致密,微波组件焊后变形较小.     

低温烧结微波介质陶瓷

在制备多层微波元件过程中,为使用Cu、Ni等低熔点导体,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度。本文介绍了通过液相烧结降低致密化温度的BaTi4O9、Ba2Ti9O20及(Zr,Sn)TiO4陶瓷,这类材料的烧结温度已降至1 000℃以下;也介绍了掺加(V2O3+CuO)的BiNbO4基陶瓷,其致密化温度已低至880℃左右。文中还列出了陶瓷组成、低熔点氧化物或玻璃的组成及相关材料的微波介电性能。     

用活性钎料在氩气或真空中钎接陶瓷与陶瓷或陶瓷与金属

随着陶瓷材料在现代工业构件中的地位的提高,需要一种实用的能将陶瓷与陶瓷或陶瓷与金属钎接起来的方法。与陶瓷金属化后钎接相比,用活性钎料钎接的工艺要简易得多。这种钎接工艺说明由Al_2O_3或ZrO_2等陶瓷材料制成的零件能在真空或氩气中用含钛的银钎料直接与钢、灰铸铁或其它合金钎接。本文报道了活性钎料的最新发展,强度试验和金相研究的结果。     

微波元件加工中的几点体会

一、序言微波元件的加工,在电子设备研制生产中是普遍需要的。但其工艺的研究尚未给予足够的重视。从其加工情况看还存在着许多问题。同时也还存在着许多尚未发现和解决的问题。这在一定程度上影响着微波元件加工的质量,发现和解决微波元件加工中存在的问题是提高产品质量,可靠性的关键所在。随着科学事业的发展,以及先进水平设备要求的提高,微波元件巳逐渐由简单方、园形式过渡到带状波导、积成波导等等形式。但是就目前     

第二届微波集成电路及工艺学术交流会简况

<正> 全国第二届微波集成电路及工艺学术交流会与新材料、新器件、新设备展示会于1988年11月10日至15日在福建省泉州市召开,六十多个单位的代表84人,进行了微波集成电路设计与研制的学术交流。 大会报告反映了微波集成电路设计和工艺发展的新趋向,代表半导体集成电路高新技术的砷化镓微波单片电路和片式微波元件受到人们的注意。南京电子器件研究所报告的“微波单片集成电路设计中的一些考虑”和“单片电路、场效应管生产技术和成品率”两个题目,介绍了下一代微波产品的概貌,并追溯技术演进历史,论述了设计概貌和制备特征。单片电路完全立足于半导体工艺,可以实现良好性能、合理的成品率与可接受的价格三者结合。胡南山所作的报告“片式元件及其在微波集成电路中的应用”综述了片式元件从低频发展到高频应用的现代技术趋向,其优点是使电路简化,成本降低,更加适合微波电路大量生产与推广应用,必将推动混合集成电路的设计和制备向片式形态发展。