H2对UHV/CVD低温选择性外延生长Si1-xGex的影响

利用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)成功实现了Si1-xGex的低温选择性外延生长,并研究了H2对选择性外延生长的影响及其作用机理.以SiH4和GeH4为反应气源,在开有6mm×6mm窗口氧化硅片上进行Si1-xGex外延层的生长.首先分别以不含H2(纯GeH4)和含H2(90%H2稀释的GeH4)的两种Ge源进行选择性外延生长.通过SEM观察两种情况下氧化硅片表面,发现H2的存在对选择性外延生长有至关重要的作用.接着以90%H2稀释的GeH4为Ge源,变化Si源和Ge源的流量比改变H2分压,以获得SiH4和GeH4(90%H2)的最佳流量比,使外延生长的选择性达到最好.利用SEM观察在不同流量比时,经40min外延生长后各样品的表面形貌,并对其进行比较,分析了H2分压在Si1-xGex选择性外延生长中的作用机理.     

H2对UHV/CVD低温选择性外延生长Si1-xGex的影响

利用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)成功实现了Si1-xGex的低温选择性外延生长,并研究了H2对选择性外延生长的影响及其作用机理.以SiH4和GeH4为反应气源,在开有6mm×6mm窗口氧化硅片上进行Si1-xGex外延层的生长.首先分别以不含H2(纯GeH4)和含H2(90%H2稀释的GeH4)的两种Ge源进行选择性外延生长.通过SEM观察两种情况下氧化硅片表面,发现H2的存在对选择性外延生长有至关重要的作用.接着以90%H2稀释的GeH4为Ge源,变化Si源和Ge源的流量比改变H2分压,以获得SiH4和GeH4(90%H2)的最佳流量比,使外延生长的选择性达到最好.利用SEM观察在不同流量比时,经40min外延生长后各样品的表面形貌,并对其进行比较,分析了H2分压在Si1-xGex选择性外延生长中的作用机理.     

H2对UHV/CVD低温选择性外延生长Si1-xGex的影响

利用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)成功实现了Si_1-xGe_x的低温选择性外延生长,并研究了H2对选择性外延生长的影响及其作用机理. 以SiH4和GeH4为反应气源,在开有6mm×6mm窗口氧化硅片上进行Si_1-xGe_x外延层的生长.首先分别以不含H2(纯GeH4)和含H2(90% H2稀释的GeH4)的两种Ge源进行选择性外延生长.通过SEM观察两种情况下氧化硅片表面,发现H2的存在对选择性外延生长有至关重要的作用.接着以90% H2稀释的GeH4为Ge源,变化Si源和Ge源的流量比改变H2分压,以获得SiH4和GeH4 (90% H2）的最佳流量比，使外延生长的选择性达到最好. 利用SEM观察在不同流量比时，经40min外延生长后各样品的表面形貌，并对其进行比较，分析了H2分压在Si_1-xGe_x选择性外延生长中的作用机理.     

InGaAs/InP材料的MOCVD生长研究

研究了InGaAs/InP材料的MOCVD生长技术和材料的性能特征。InP衬底的晶向偏角能够明显影响外延生长模型以及外延层的表面形貌,用原子力显微镜(AFM)观察到了外延层表面原子台阶的聚集现象(step-bunching现象),通过晶体表面的原子台阶密度和二维生长模型解释了台阶聚集现象的形成。对外延材料进行化学腐蚀,通过双晶X射线衍射(DCXRD)分析发现异质结界面存在应力,用异质结界面岛状InAs富集解释了应力的产生。通过严格控制InGaAs材料的晶格匹配,并优化MOCVD外延生长工艺,制备出厚层InGaAs外延材料,获得了低于1×1015cm-3的背景载流子浓度和良好的晶体质量。     

量子点外延生长新模型(英文)

目前在原子尺度上人们对量子点分子束外延生长过程了解很少,所有关于量子点外延生长的理论模型和计算机模拟都是建立在传统的外延生长理论框架内。在传统理论框架内,量子点的生长过程被理解为发生在生长表面上一系列的单一的原子事件,如原子沉积、扩散、聚集等。在这种理论中,外延生长表面原子之间的相互作用被忽略;另外,按照这种理论,量子点生长过程必须是一个相对缓慢的过程。这种理论模型不可能恰当地解释所观察到的大量复杂的量子点外延生长实验现象。作者在两个实验现象基础上,提出了在InAs/GaAs(001)体系中量子点外延生长过程的新模型。这两个实验现象分别是在InAs/GaAs(001)生长表面有大量的"浮游"In原子,一个量子点的生长过程可以在很短的时间内完成(10-4 s)。在提出的新模型中,量子点的自组装过程是一个大数量原子的集体、协调运动过程。     

基于图形衬底的InAs/GaAs量子点和量子环液滴外延

液滴外延生长半导体材料是一种较为新颖的MBE生长技术.而图形衬底对液滴外延的影响到目前为止并没有非常详细的研究结果.作者在GaAsμm级别网形衬底上进行了InAs的液滴外延生长,并在不同结构的图形衬底上得到了不同的InAs量子点和量子环生长结果.基于生长结果,分析了图形衬底对液滴外延的影响和液滴外延下最子点和量子环的形成机制以及分布规律.     

Pb_(1-x)Sn_xTe的液相电外延

用电流控制恒温液相外延生长Pb_(1-x)Sn_xTe对于2小时生长周期和电流密度5～17A/cm~2,生长温度在 450～600℃,得到 8～70μm生长层厚度。实验结果表明 Pb_(1-X)Sn_xTe的电外延能够在PbTe衬底上生长,且合金组份具有好的均匀性;外延层生长速度与电流密度成线性关系;Pb_(1-x)Sn_xTe中Sn的含量x_s随着电流密度的增加略有增加;实验中还发现生长速度随时间的延长而下降,这与H.C.Gatos提出Ga_(1-x)Al_xAs的电外延模型相似;还测定了电外延与温差外延固液线;对减少外延过程中产生回熔现象作了一些改进工作。     

基于图形衬底的InAs/GaAs量子点和量子环液滴外延

液滴外延生长半导体材料是一种较为新颖的MBE生长技术,而图形衬底对液滴外延的影响到目前为止并没有非常详细的研究结果. 作者在GaAs μm级别图形衬底上进行了InAs的液滴外延生长,并在不同结构的图形衬底上得到了不同的InAs量子点和量子环生长结果.基于生长结果,分析了图形衬底对液滴外延的影响和液滴外延下量子点和量子环的形成机制以及分布规律.     

偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长

化学气相沉积(CVD)是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术.为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在偏向<1120>方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上,利用台阶控制生长技术进行4H-SiC的同质外延生长.表面形貌是SiC外延材料质量好坏的一个重要参数,为此研究了表面形貌与工艺参数的关系,探讨了4H-SiC外延膜的表面缺陷形成原因.利用Raman散射技术研究了非均匀4H-SiC外延材料的多晶型现象.     

偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长

化学气相沉积(CVD)是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术.为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在偏向<1120>方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上,利用台阶控制生长技术进行4H-SiC的同质外延生长.表面形貌是SiC外延材料质量好坏的一个重要参数,为此研究了表面形貌与工艺参数的关系,探讨了4H-SiC外延膜的表面缺陷形成原因.利用Raman散射技术研究了非均匀4H-SiC外延材料的多晶型现象.     

基于口令认证的密钥交换协议的安全性分析

在串空间理论模型引入了描述DH问题的方法以及分析猜测攻击的攻击者能力,对基于口令认证的密钥交换协议的安全性进行了形式化分析。提出一个对DH-EKE协议的简化,并证明了该协议的安全性:口令的秘密性,认证性,以及会话密钥的秘密性.根据分析给出基于口令认证的密钥交换协议抵抗猜测攻击的基本条件.将分析方法应用到基于口令的三方密钥交换协议上,给出单纯基于口令进行密钥交换协议的安全性需要满足的一个必要条件.     

关于中国联通扩大EDGE业务覆盖的考量

基于EDGE技术原理的分析,通过调研中国联通EDGE业务在现网中的覆盖情况,从业务启动条件、系统升级需求、覆盖区域设计、频率规划等方面详细介绍了网络建设中的典型问题。此外,还分析了业务启动后对网络的影响,最后进一步阐述了EDGE业务的开展建议。     

Limitations to and solutions for optical loss in optical backplanes

In this paper, recent literature on the discussion on high-speed backplanes with optical, electrical, and mixed solutions, as well as on polymer-waveguide systems suitable for implementation on printed circuit boards (PCBs), is reviewed from the point of view of their optical losses. The reevaluation of the optical power budget for realistic high-speed optical polymer-waveguide links on backplanes showed that signal amplification is necessary to boost the signal, which resulted in an additional literature review on advances in optical amplifiers based on silicon bench technology available. Finally, a concept study of an active optical waveguide amplifier device, based on planar optical waveguide amplifiers and semiconductor optical amplifiers, was performed. The amplification device can be flip-chip mounted on the backplane to compensate for optical losses due to signal routing, which increases the overall degree of freedom in waveguide routing on high-density interconnects for backplanes. The hybrid concept design guarantees compatibility with the processes of the PCB industry.     

固定单站对运动目标的无源定位

单站无源定位技术具有隐蔽性强、设备量小及系统相对独立等优点,有着较强的实用价值.以往人们对运动单站无源定位技术研究较多,而对固定单站无源定位技术研究相对较少.针对此种情况,文章对固定单站对运动目标的无源定位技术的基本原理进行了分析,并提出了多普勒变化率、到达角变化率等定位参数的测量方法.     

OTN技术组网及应用研究

根据OTN技术特点和实际工程组网经验,对OTN技术的组网及OTN技术与现有网络的关系进行了探讨,并重点探讨了传输网面临的问题,就如何利用OTN技术解决这些问题提出了基本思路。     

NBT基无铅压电陶瓷滤波器

主要研究了用改性的(NaBi)0.5TiO3(NBT)基无铅压电材料制作的压电陶瓷滤波器。在研究过程中出现很多不同于以往的情况，这些一方面是由于NBT基材料与传统PZT基材料的介电性能有较大差异造成的，另一方面说明NBT基材料的压电性能较PZT基材料还有进一步提高的必要。     

3G手机对PCB行业的挑战

3G手机时代的来临给PCB的制造技术带来了巨大的挑战,文章介绍了3G手机对PCB行业的影响、PCB高密度化的要求、CCL高性能化的要求、PCB加工技术的要求。     

束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷

研究了利用GaAs作为衬底的HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷，发现其中一类缺陷与Hg源中杂质有关。采用SEM对这类缺陷进行正面和横截面的观察，并采用EDX对其正面和横截面进行成分分析。并设计了两个实验：其一，在CdTe／GaAs衬底上，低温下用Hg源照射20min，再在其上继续高温生长CdTe；其二，在CdTe／GaAs衬底上，一直用Hg源照射下高温生长CdTe。两个实验后CdTe表面都出现与HgCdTe表面相比在形状和分布上类似的表面缺陷，采用光学显微镜和SEM对CdTe表面缺陷进行了观察，通过CdTe表面缺陷和HgCdTe表面缺陷的比较，我们证实了这类表面缺陷的成核起源于Hg源中杂质。     

基于IMS的核心网演进分析及探讨

提出基于IMS的核心网演进的3种思路,针对建议的思路给出了核心网演进步骤,并从现有网络IP化、建设IMS网络、用户数据库融合、IMS主导核心网、全IMS目标核心网等方面进行了分析和探讨。     

基于模糊聚类的图像分割研究进展

模糊聚类算法（Fuzzy C-Means,FCM）是一种基于软划分的聚类过程,已被广泛应用于机器学习、图像处理和计算机视觉等领域.虽然当前已涌现出大量关于FCM的图像分割算法,但仍然面临诸多挑战.本文将基于FCM的图像分割算法归纳为三类：基于空间邻域信息的FCM算法、基于直方图信息的快速FCM算法及基于维度加权的FCM算法.首先系统分析和阐述了各类FCM算法的研究现状,然后通过实验分析各类算法的性能,最后总结了FCM算法在图像分割中存在的问题以及将来的研究方向.