直流磁控溅射工艺对ITO薄膜光电性能的影响

采用直流磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、分光光度计、Hall效应测试系统研究了热退火与原位生长、衬底温度、直流溅射功率对薄膜结构、表面形貌以及光电性能的影响。结果表明:与室温生长并经410℃热退火后的薄膜相比,410℃原位生长可获得光电性能更好的薄膜;随着衬底温度的增加,电阻率单调减小,光学吸收边出现蓝移;在溅射功率为85 W时薄膜的光电性能达到最佳。在衬底温度为580℃、溅射功率为85 W的工艺条件下,可制备出电阻率为1.4×10~(–4)?·cm、可见光范围内平均透过率为93%的光电性能优异的ITO薄膜。     

溅射SiO2薄膜动力学分析

使用蒙特卡罗法模拟了SiO2薄膜的生长过程,并利用沉积中三过程(吸附、扩散、脱附)的速率公式推导分析沉积过程中温度和粒子入射能量对薄膜质量的影响.温度较低时(100℃),薄膜中的空位密度相对较高,随着温度的升高(300℃),薄膜中的空位密度逐渐降低,温度继续升高时,则衬底温度对薄膜致密度的影响趋于平缓,200～300℃下制备的SiO2薄膜其表面质量最优.通过溅射原子能量角分布表达式分析入射靶离子能量决定溅射原子能量大小及其分布,得出Si靶溅射出的原子能量较大,可得质量较好的薄膜.     

氮化铝薄膜的制备及介电性能研究

采用直流磁控反应溅射的方法在金属铝基板表面沉积AlN薄膜。通过XRD、SEM对绝缘膜层进行了研究分析,并测试了膜层的介电性能。结果表明:在靶基距和溅射功率分别为5cm、150W,衬底温度在室温25℃~300℃内制备的AlN薄膜为六方晶型,沿c轴平行于衬底表面的(100)和(110)晶面生长。AlN薄膜表面有很多蠕虫状形态的晶粒随机地分布在膜平面内,这可能是200℃的衬底温度下AlN薄膜介电性能较好的原因。     

生长温度对单晶衬底上生长Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3薄膜微结构和介电性能的影响(英文)

采用脉冲激光沉积方法,在制备有LaNiO3(LNO)底电极的LaAlO3(LAO)衬底上,分别在500,600℃和700℃的沉积温度下制备了锆钛酸钡Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT)薄膜.通过X射线衍射表征薄膜的结构特性,原子力显微镜和扫描电子显微镜分别用来表征样品的表面和断面形貌.结果表明:BZT薄膜与LNO具有c轴取向,并以cube-on-cube方式排列生长.BZT薄膜表面致密无裂缝,具有柱状生长的晶粒.薄膜的介电性能测试显示:600℃下沉积的BZT薄膜具有较高的介电可调性(49.1%)和较低的介电损耗(2.5%).在600℃下沉积的BZT薄膜的优值因子(figure of merit,FOM)达到19.8.     

衬底温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响

以Mg0.4Zn0.6O为靶材,采用射频磁控溅射方法在石英玻璃衬底上沉积MgxZn1–xO薄膜。利用能量色散X射线谱分析了不同衬底温度下制备的薄膜中Mg含量;用X射线衍射和吸收光谱研究了物相结构及其光学性质。结果表明:不同衬底温度下制备的MgxZn1–xO薄膜均为六方纤锌矿结构,且具有良好的c轴取向。衬底温度为200℃时,制备的薄膜样品的(002)方向衍射峰强度最大,表明此温度下薄膜的结晶程度最高。衬底温度为300℃时,制备的薄膜样品中Mg的含量最高为0.438 mol,其室温下吸收光谱的吸收边位于281 nm。     

衬底温度调制生长GZO薄膜的性能研究

利用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备ZnO∶Ga透明导电氧化物薄膜,主要研究了一种类调制掺杂工艺对GZO薄膜的薄膜形貌结构和光电性能的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-VIS-NIR)和四探针测试仪对GZO薄膜进行表征。结果表明:不同的衬底温度调制下生长的GZO薄膜都具有明显的c轴择优取向,对于衬底温度调制条件下,在150℃/RT条件下的薄膜结晶最好,且在可见近红外波段(480~1600 nm)平均透过率达到85.4%左右,薄膜最低方阻达到60Ω/□。     

衬底温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响

以Mg0.4Zn0.6O为靶材,采用射频磁控溅射方法在石英玻璃衬底上沉积MgxZn1-xO薄膜.利用能量色散X射线谱分析了不同衬底温度下制备的薄膜中Mg含量;用X射线衍射和吸收光谱研究了物相结构及其光学性质.结果表明:不同衬底温度下制备的MgxZn1-xO薄膜均为六方纤锌矿结构,且具有良好的c轴取向.衬底温度为200℃...     

射频溅射Bi12SiO20薄膜生长

与其它方法比较，射频溅射方法具有较低温度下生长表面光洁薄膜的优点。本文报道射频溅射生长Ｂｉ１２ＳｉＯ２０薄膜。以化学计量Ｂｉ１２ＳｉＯ２０作为靶材，先在玻璃和硅衬底上生长，它们的结晶结构依赖于衬底温度：低于１００℃为非晶态的ＢＳＯ；１００－３５０℃为ｆｃｃ多晶相；高于４００℃为ｂｃｃ多晶相。     

退火处理对玻璃表面沉积的ZnO薄膜微观形貌与性能的影响

以Zn(NO3)2·6H2O为前驱体,采用超声喷雾热解法在500℃下、在钠钙硅浮法玻璃衬底上制备了ZnO薄膜.分别在不同温度(500、550、600℃)和不同时间(30、60、120min)对制备的ZnO薄膜进行了退火处理.研究退火条件对ZnO薄膜微观结构、形貌以及光学性能的影响.结果表明:退火处理能提高ZnO薄膜的c轴取向;随着退火时间的延长,ZnO薄膜附着强度随之增加,但c轴取向度呈先增强,至120min时又开始呈下降的趋势;随着退火温度的升高,ZnO薄膜的c轴取向亦出现先显著增强,之后又开始下降的趋势,同时可见光透过率亦呈相同的变化趋势.最佳退火条件为500℃温度保温60min,此时薄膜不仅c轴取向生长优势明显,结晶质量良好,表面颗粒大小均匀,致密平滑,同时薄膜的可见光透过率由退火前的70％提高到90％.     

衬底温度和N_2流量比对SI基GaN薄膜的影响

为了获得高质量的GaN薄膜,首先用射频磁控溅射的方法在Si基片合成Ga_2O_3薄膜,再通过高温氨化法与NH_3自组装形成GaN薄膜。然后分别用扫描电子显微镜和X-射线衍射仪对薄膜的形貌和结构进行了表征。结果发现GaN薄膜是纤锌矿结构并沿着晶面(002)方向择优生长。GaN薄膜的生长速率随着衬底温度的升高逐渐下降,结晶质量随着衬底温度的升高逐渐变差。同时晶粒表面较为平整;随着N_2流量比的适量增加,薄膜的结晶质量提高,晶体颗粒较为均匀,通过分析薄膜的生长机理,给出了GaN薄膜的最佳工艺条件。     

表面活性剂对钙指示剂影响的研究

由于钙指示剂（又称NN指示剂）的水溶液不稳定,通常将其配制成固体指示剂使用,但是存在着生成的络合物不够稳定、终点变色不敏锐、准确度不高等问题。研究了固体钙指示剂的最佳使用条件,以及表面活性剂对钙指示剂稳定性、灵敏度的影响等问题。实验结果表明：固体钙指示剂的最佳配比是钙指示剂与氯化钠的质量比为1∶100、液体钙指示剂中钙指示剂-十二烷基硫酸钠,以及钙指示剂-乳化剂OP-10-苦味酸效果最佳,终点变色更加敏锐,精密度以及准确度都有显著提高,体系稳定性好。     

Studies on oxidative dehydrogenation of n-butane on bismuth molybdate on alumina

Oslefins and diolefins are important intermediates in the petrochemical industry and the future promises a further substantial increase in demand. While several catalysts have been formulated in the past for the abstraction of hydrogen from butenes and propylene, these catalysts are inefficient in the abstraction of first hydrogen from butane. Bismuth molybdates (β and γ-phases) containing iron oxide and supported on alumina are used as catalysts in the present investigation on the oxidative dehydrogenation of n-butane. Effects of catalyst content, temperature and oxygen: n-butane ratio on conversion and selectivity to butadiene and (C₄H₈ + C₄H₆) are studied in the following ranges of experimental conditions: β-bismuth molybdate/100 mol support I(K), 3–9; γ-bismuth molybdate/100 mol support I(K), 5-20; temperature, 400–500°C; O₂: butane ratio, 0.6:1.7.     

水滑石在氟橡胶中的应用研究

讨论了以水滑石替代氢氧化钙作为碱催化剂的硫化特性,研究了水滑石/氧化钙组合对消除氟橡胶硫化试样气泡的作用。研究了水滑石对双酚硫化氟橡胶的耐水性能的影响。     

膨润土对核素的吸附行为研究

介绍了内蒙古高庙子膨润土的EDXRF分析,得到了内蒙古高庙子膨润土的元素构成,并论述了近几年膨润土对核素的吸附行为研究,主要影响因素包括:pH值、吸附时间、温度、离子强度、无机离子、腐殖酸等。并对每种影响因素对不同核素的影响效果进行了总结。     

石灰石品质对生料易烧性影响的研究

将化学分析方法和物理性能测试方法相结合，综合分析石灰石品质。在实验室进行生料易烧性试验，在同样试验条件和不同品质石灰石参与配料的情况下，通过测试灼烧后熟料中的fCaO含量，研究石灰石品质对生料易烧性能的影响，为实际生产提供理论参考。     

二甲基亚砜对红霉素合成的影响研究

分别研究了摇瓶和发酵罐中二甲基亚砜对红霉素合成的影响。通过摇瓶实验确定了适宜的二甲基亚砜体积分数和添加时间,并在15 L发酵罐中考察了二甲基亚砜对红霉素合成代谢的影响。结果表明,在红色糖多孢菌发酵48 h时,向发酵罐的培养基中流加体积分数为0.16%的二甲基亚砜,红霉素效价可达7961 U.mL-1,比对照提高11.6%;二甲基亚砜可以提高羟基化酶——P450单加氧酶的含量,从而提高红霉素产量。     

角蛋白对膏霜黏度影响的研究

研究了角蛋白对聚丙烯酰胺/C13-14异链烷烃/月桂醇聚醚-7作为增稠剂的水分散体系黏度与屈服应力的影响,考察了以聚丙烯酰胺/C13-14异链烷烃/月桂醇聚醚-7作为增稠剂的O/W型膏霜体系中角蛋白对体系黏度的影响。结果表明,角蛋白添加到护肤产品中会使产品黏度和屈服应力大幅下降,但通过几种增稠剂的协同作用会减弱其在膏霜中的降黏作用。     

Effect of Radiation Pretreatment on Photo-grafting of Acrylamide on Cellulose

To study the photo-grafting performance of acrylamide (AM) onto cellulose and the mechanical behavior of grafted cellulose, Whatman 41 filter paper was grafted with 30% AM in methanol by UV radiation using in situ technique. The amount of grafting (Gf) and tensile properties like tensile strength (TS) and elongation at break (Eb) were studied. In order to improve the tensile properties, cellulose was pretreated under UV and gamma radiations at different radiation intensities and subjected to grafting with 30% AM under in situ UV radiation. Cellulose was also pretreated by alkali (5% NaOH) along with UV and gamma radiations with different intensities and grafted with AM under UV radiation. Among the treatments, the alkali + UV irradiated 30% AM grafted sample showed the best mechanical performance (TS = 200%, Eb = 250%).     

成核剂对聚甲醛冲击性能影响的研究

本项研究采用添加成核剂改性方法,促进聚甲醛成型中的结晶过程,改进材料的结晶结构,控制球晶大小,从而达到改进聚甲醛冲击强度的目的。     

无机盐对表面活性剂去污力影响的研究

用去污实验机测定了直链烷基苯磺酸钠(LAS)、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠、α-烯基磺酸钠、脂肪酸甲酯磺酸钠等阴离子表面活性剂的去污力,考察了无机盐对去污力的影响。结果表明,三聚磷酸钠使这几种表面活性剂的去污值增加了29.11%~121.26%,磷酸三钠使LAS的去污值增加了128.25%;三聚磷酸钠、δ-层状结晶二硅酸钠、4A沸石等软水剂增强去污力的效果最好,碳酸钠和硅酸钠等碱性助剂次之;硫酸钠、氯化钠、磷酸二氢钠和十水四硼酸二钠不适合用作洗涤剂的助洗剂。