先进的制造工艺要与先进的设计技术相结合

半导体行业的竞争总是在加速进行,当一些中国的IC设计公司刚刚开始基于130 nm工艺的设计时,德州仪器、三星、英特尔等公司已经用45 nm工艺制造出了最新设计的芯片.制造工艺的落后就意味着成本上的劣势,在没有核心专利和应用的情况下,这种劣势使得中国IC设计公司的跟随战略也变得步履维艰.     

卷到卷丝网印刷RFID天线的工艺优化研究

采用卷到卷全自动丝网印刷机,在纸基材上印刷导电银浆制作RFID(电子标签)天线。通过正交优化实验研究了刮板与网版的承印角度、刮板压力、刮板移动速度和固化温度等四个可控因素对天线印刷工艺稳定性的影响。利用金相显微镜观察了导电银浆线路的表面效果与切片效果。优化结果得到最佳工艺参数,制作出满足电阻要求的RFID天线。     

纸基RFID标签天线印刷工艺参数的优化试验

材料与制作工艺造成的成本过高是RFID标签普及化应用的障碍。应用导电银浆与丝网印刷技术,可以解决RFID标签的低成本化问题。本文以丝网印刷技术在纸基材上印刷导电银浆而制作出RFID标签天线,研究了丝网印刷天线的工艺参数,讨论了工艺参数对制作RFID标签性能的影响,并通过优化试验对刮板施加给网版的压力,印刷速度,导电银浆固化温度与时间等制作工艺参数进行优化,得出最佳工艺参数,并制作出满足电阻特性的RFID标签天线。     

激光增材制造工艺参量对熔覆层残余应力的影响

为了探究工艺参量对激光增材制造熔覆层残余应力影响规律，采用数值模拟及实验验证相结合的方法，取得了激光增材制造熔覆层截面深度方向上沿扫描路径y方向和垂直扫描路径x方向上残余应力的分布规律，并在此基础上进行了不同工艺参量对y方向和x方向应力场影响分析。结果表明，在一定参量范围内，随着熔覆层深度的增加，y方向残余应力均表现为拉应力，呈现先增大后降低趋势，在熔覆层顶部约0.2mm处存在最大拉应力为262MPa；x方向由压应力逐步转变为拉应力，其略小于y方向应力值；随着激光功率的增大，x方向残余应力逐渐增大，y方向残余应力逐渐降低；随着扫描速率的增大，x方向的残余应力将随之减小，而y方向的残余应力将随之增大；随着送粉量的增大，x方向和y方向的残余应力均将随之增大。此研究为降低激光增材制造熔覆层残余应力及工艺参量优化选择提供了指导。     

Effects of aluminum sputtering process parameters on via step coverage in micro-electronic device manufacturing

It has been observed that the step coverage achieved for aluminum deposition at 200°C on a multi-chamber (ultra-high vacuum) horizontal physical vapor deposition (PVD) system (System A) is electrically comparable to the step coverage on a single chamber, high vacuum (vertical) PVD system (System B) at 300°C under the optimized conditions of pre-clean process, sputtering power, argon pressure and chamber hardware configuration. In addition, it has been determined that the metal step coverage is relatively poor at temperatures higher than 200°C on System A, whereas the metal step coverage on System B is better at 300°C when compared with both substantially lower and higher temperatures. Since step coverage is a vital parameter in the manufacturing of sub-micron devices with high aspect ratio vias, the effect of the sputtering process parameters has been studied. This work investigates possible causes for the observed temperature effect and evaluates possible methods for improving the step coverage. The directionality of sputtering and film-substrate bonding are identified as two primary factors controlling step coverage.     

关于机械制造工艺可靠性的研究

由于机械制造业这是我国第二重要性产业，机械制造业应该存在各个方面积极配合，这项工作复杂而且存在系统性，我国机械制造对比发达国家起步比较晚，面临着比较落后的技术，与国际制造业发展水平比较难跟上。混乱管理机制与短期机械研制时间，这也就导致我国长期存在比较多水平发展的机械制造水平与特别缓慢的发展速度。针对这样的情况，通过研究分析我国机械制造业与强化机械制造工艺可靠性研究存在十分重要的意义。     

Analysis on the dependence of layout parameters on ESD robustness of CMOS devices for manufacturing in deep-submicron CMOS process

The layout dependence on ESD robustness of NMOS and PMOS devices has been experimentally investigated in details. A lot of CMOS devices with different device dimensions, layout spacings, and clearances have been drawn and fabricated to find the optimized layout rules for electrostatic discharge (ESD) protection. The main layout parameters to affect ESD robustness of CMOS devices are the channel width, the channel length, the clearance from contact to poly-gate edge at drain and source regions, the spacing from the drain diffusion to the guard-ring diffusion, and the finger width of each unit finger. Non-uniform turn-on effects have been clearly investigated in the gate-grounded large-dimension NMOS devices by using EMMI (EMission MIcroscope) observation. The optimized layout parameters have been verified to effectively improve ESD robustness of CMOS devices. The relations between ESD robustness and the layout parameters have been explained by both transmission line pulsing (TLP) measured data and the energy band diagrams.     

汽车电子渐成热点英飞凌科技全情投入

中国汽车市场的成长也使得汽车电子半导体厂商的热情逐步升温.全球第一和第二大汽车电子厂商摩托罗拉和英飞凌科技近期分别在北京推介其汽车电子产品和技术.英飞凌科技更是不遗余力地分别在上海、长春和北京举行规模浩大的"2003年中国首届英飞凌汽车电子技术研讨会".另据早间的报道,意法半导体也将汽车电子领域定为其MCU业务未来主要的推动力之一.     

微结构光纤的制造工艺研究

构建了基本的微结构光纤制造系统,初步形成了可行的微结构光纤制造技术路线。利用该工艺技术制造出了全内反射(TIR)型微结构光纤,该TIR型光纤纤芯为9．5／μm,空气孔等效直径为9．8／μm,孔间距为12．3／μm,在1385nm的羟基吸收峰为0．106dB／m,l550nm的衰减为0．008dB／m;该微结构光纤经过显微镜放大和CCD采样到计算机得到的图片表明：光纤中空气孔基本均匀,并且微孔点阵基本呈现正六边形排列。     

SiCOI制造技术

Si COI是一种新型的微电子 SOI材料 ,有望在高温、高频、大功率、抗辐射等电子学领域得到应用发展。本文介绍了近年来几种 Si COI技术的发展并作简要评价     

Impact of process parameters on circuit performance for the 32 nm technology node

As IC dimensions scale down to the 32 nm technology node, interconnect is more than ever the most limiting factor affecting overall circuit performance. The influence of all involved process parameters were studied as a function of target application through electromagnetic and time domain simulations, and compared to the impact of driver characteristics. As a result, an optimization of the BEOL stack was performed to propose process and material recommendations meeting electrical specifications for most circuit applications.     

基于功率控制参数设置的GSM无线网络优化

功率控制参数是GSM系统中重要的功能参数之一。本文以唐县小马庄DSC1800M基站功率控制参数调整为例,阐述了功率控制参数的设置值对无线指标的影响。分析了在不同频段下的基站功率控制参数,提出了网络优化过程中新站入网时参数设置方面应注意的问题。     

现代机械制造工艺与精密加工技术的运用探讨

当前,我国工业不断发展,国内机械制造业根据信息技术的变革而逐渐进化,通过自身的革新以及自动化器械的应用,大大提升了我国精密加工技术的质量。文章对我国现代化机械制造工艺以及精密加工技术进行简要分析,强调了机械制造工艺以及精密加工技术的运用方式并分析其特点。     

像移补偿技术综述

航相机照相时不可避免的会产生像移,像移补偿是提高成像质量和相机分辨力必不可少的环节。首先通过分析像移的产生原因及对图像造成的影响阐述了像移补偿的必要性,然后介绍了目前国内外较多采用的像移补偿法原理及其应用范围,最后给出了一个应用多种像移补偿法相机的实例及像移补偿技术的发展趋势。     

基于人脸检测分析户外广告关注度

户外广告需要统计其真实的关注度以更好地选择广告投放策略。文中提出了以观看广告的正面人脸数与持续时间来统计关注度。在OpenCV人脸检测函数库的基础上,提出了通过降分辨率、提取与分解有效像素、重叠检测、人脸生命周期模型等方法来改善检测的速度与精度。并给出了实验结果,分析了算法的优缺点,提供了改进的思路。     

移动性管理理论与技术的研究

针对未来的多种接入网络共存、大量移动性终端接入需求的情况下,分析了移动性管理面临的全新挑战,指出将其作为信息通信网中的单独一门技术进行研究的必要性,阐述了移动性管理的定义和分类。在此基础上,提出了移动性管理的网络参考模型和协议参考模型,对指导4G和未来的移动性管理技术发展具有十分重要的意义。进而,按此模型分析和比较了国内外已有的各种移动性管理技术。最后,指出了未来泛在、异构网络环境下移动性管理所面临的挑战与新课题。     

费控智能表调试过程中注意的事项

近几年来,国家电网推出了费控智能表,包括三相和单相功能表等费控电能表,实现了智能化管理,为客户带来更为优质的服务,本文针对费控智能表在调试过程中需注意事项进行分析和探究,以期有所指导作用。     

2.5D封装有机基板制造工艺研究

文章以一款实用高性能CPU的2.5D封装有机基板为研究对象,对有机基板制备的工艺流程、关键技术难点进行了详细实验和讨论,最终完成了合格样板的制作,并形成小批量产晶的生产能力。     

等离子超长高精细线条制作工艺研究

影响等离子超长高精细线条制作的因素有很多,牵涉到所有工序,互相交错,关系复杂,需要一个系统的工艺过程来研究该问题。文中总结了等离子超长高精细线条制作的工艺流程,以及各工序制造过程中影响超长精细线条制作与普通线路制作区别的关键控制点。在此基础上,研究明确了主要制程各个加工步骤关键控制点的解决方案,同时给出了这些关键控制点的工艺参数、设备装置、药水调整等的技术细节。