大面积多元PbS探测器均匀度研究

介绍了研制的大面积多元PbS红外探测器的各项技术指标，叙述了PbS膜的微区分析、PbS光敏膜的制备、PbS光敏图形的刻蚀等几个关键工艺技术的研究情况，说明了大面积多元PbS探测器的研制水平。     

军用纳米金刚石膜的研究与应用综述

对金刚石膜(及类金刚石膜)与传统光学材料的特性作了比较，分析了美军对于金刚石膜军用光学应用的需求以及金刚石膜在现有高科技武器装备中的应用前景，介绍了研制纳米金刚石膜的关键技术问题(主要是CVD和PLD方法)以及国内外研究和应用现状。     

厚膜片式二极管的推广应用

主要介绍了厚膜片式二极管的研制背景及应用领域，指出了厚膜片式二极管应用的关键技术和工艺、最后讨论了厚膜式片二极管的发展前景。     

光端机用厚膜集成电路的研制

采用厚膜集成技术研制、开发了用于光纤通信传输端机用的光源驱动器和视频分配器厚膜电路，该电路在０～３０ＭＨｚ频率范围工作，完全符合技术指标要求     

厚膜HIC技术在集成传感器研究中的应用

本文从传感器集成化及其特点、厚膜ＨＩＣ技术在集成传感器研究中的作用，技术优势以及国内外状况等方面综述了厚膜ＨＩＣ技术在传感器集成化研究中的应用，并介绍了笔者研制的厚膜集成压力传感器的有关情况。     

LB技术制备大面积超薄PMMA抗蚀层的研究

采用自行研制的ＬＢ自动提膜装置，制备出大面积（１０×８ｃｍ２）、高质量的ＰＭＭＡ超薄抗蚀剂膜，并将其用于高分辨率铬掩模版的研制。通过电子束曝光，湿法蚀刻，制作了分辨率优于０．５μｍ，特征线宽０．３８μｍ的４（１００ｍｍ）铬掩模版。     

厚膜多层片式电感器研究

厚膜片式电感器具有创新设计的多层片式结构，用厚膜多层布线技术，对片式电感采用共烧工艺，进行了性能试验，研制了磁体－导体一体化结构（类似独石结构）的片式电感样品。     

金刚石膜压力传感器的优化设计（I）

探讨了一种新型金刚石膜压力传感器的优化设计方法，采用了计算机辅助设计，用数值计算中的有限元理论和ANSYS程序，模拟传感器承载金刚石膜的应力场分布，确定了掺硼金刚石压敏电阻条的尺寸、最佳位置和排列方式。结果证明，按该设计研制的金刚石膜压力传感器输出信号达到了较高灵敏度和较好的稳定性。     

压力传感器的计算机辅助设计

在微压传感器的研制中进行了计算机辅助设计．利用有限元方法建立硅膜的刚度矩阵，从而求解位移方程．得到了方形弹性膜上的应力分布，为力敏电阻设计了最佳位置，并预计了输出信号的大小和灵敏度，实现了优化设计。     

组合式金属化聚酯膜电容器的研制

采用金属化聚酯膜、铝金属膜电极、无感式卷绕结构，研制成了ＣＬ２０１型组合式金属化聚酯膜电容器，其体积比箔式电容器要小１／２～２／３，比率电容量也相应提高了，并且电容器具有良好的自愈性。     

新型厚膜片式NTC热敏元件研究

本文叙述了适用于混合集成电路表面安装的厚膜片式热敏元件的设计、工艺要点及主要性能。作者研制的掺有适量稀土元素的添加物，有效地降低了热敏浆料的方阻，改善了元件的热稳定性，使厚膜片式热敏元件达到了实用化的要求。     

用于磁控溅射膜的一种剥离技术

为了解决磁控溅射膜的剥离问题,该文研制了一种新型的双层胶剥离技术。通过调整双层光刻胶的坚膜时间、坚膜温度和显影时间,制备出好的光刻胶倒梯形形貌,得到磁控溅射膜较好的剥离效果。为薄膜体声波谐振器（FBAR）的研制提供了有意义的指导。     

JS3S-80B磁控溅射台研制成功

清华大学电子工程系使用北京创威纳科技有限公司研制生产的磁控溅射台，于2007年初成功实现了高质量金膜的制作。     

智能介质膜厚度测试仪的研制

本文研制的智能测试仪能直接同金属表面所镀介质膜的厚度，文中介绍了测量原理和仪器结构。     

螺旋线镀金薄膜磁控溅射设备的研制

本文详细介绍了用于螺旋线镀金薄膜的磁控溅射设备的研制过程。首先明确了该设备的研制难点,其次对设备的主要组成部分进行了详细的说明,针对设备的几个研制难点提出了解决方案,最后利用研制好的设备进行了膜厚均匀性分析实验。实验表明膜层均匀性良好,达到了预期要求,客户反馈良好。     

HDD596J型集成功率振荡器的研制

本文介绍了一种用于引爆系统的自激振荡电路，采用厚膜混合集成工艺制造。同时，简要叙述了试制具有抗辐射能力的混合电路的研制思想。     

PZT厚膜拾振器微图形化工艺研究

采用sol-gel方法制备了PZT铁电厚膜，构成了SiO2／Si／SiO2／Ti／Pt／PZT／Ti／Pt形式的拾振器敏感元结构。基于半导体光刻技术，通过干法刻蚀电极和化学湿法刻蚀PZT厚膜等技术，成功地实现了敏感元的微图形化，解决了Pt／Ti下电极刻蚀难、制作的PZT膜形貌不好和上电极容易起壳等问题，为基于PZT厚膜的高性能拾振器的研制打下了良好的基础。     

用于肖特基垫垒红外传感器的Ir及IrSi膜

本文叙述了在P-Si基片上，采用物理沉积方法制备高纯Ir(铱）膜，讨论了在300－1000度退火温度下，Si-Ir界面反应形成IrSi硅化物的研制技术和工艺参数，分析了界面反应机理，IrSi的光电学特性，最后介绍了IrSi在肖特基势垒红外（SBIR）固体传感器研制技术中的应用。     

工作速度可提高1.6倍的LSI

日本东芝公司已研制成高速、低功耗功率LSI的半导体制造技术为MOS型晶体管所用，开发把栅的绝缘膜厚度均匀减薄到三．sum，根据这种绝缘膜，注入到栅电极的杂质通过膜，但不会穿过衬底。另外，用这种技术制作的晶体管也能正常工作。若用这种绝缘膜作的晶体管制作LSI，与厚度为3     

LATGS—PVDF热释电复合薄膜研究

研制了ＬＡＴＧＳ－ＰＶＤＦ热释电复合薄膜，测试分析了膜的介电和热释电性能．制膜过程中加极化电场使复合膜中ＬＡＴＧＳ晶粒的内偏场沿极化场取向，达到既具有好的热释电性又不退极化的目的．用这种复合膜研制的热释电探测器的探测率Ｄ＊（５００Ｋ，１０Ｈｚ）高达１．１２×１０８ｃｍ·Ｈｚ１／２·Ｗ－１．