阴极电弧沉积类金刚石膜在电声中的应用--高保真DLC/Ti高音扬声器振膜的研发和生产

阐述高保真类金刚石/钛高音振膜的研发和生产.在制备品质及外观兼优的纯钛振膜的基础上,利用阴极电弧沉积技术在钛膜上沉积类金刚石(DLC)膜层.结果显示各项物理性能及主观听感明显改善,并实现了批量生产,进入市场.     

真空阴极电弧沉积法沉积类金刚石膜在扬声器振膜上应用的研究

采用真空阴极电经反沉积技术，在纯钛球顶高音声声器振膜上镀类金刚石膜，为成类金刚石／钛复合振膜。研究了钛基体的材质、厚度、振膜的几何尺寸和形状、类金刚石镀膜工艺参数对复合振膜性能的影响。在镀膜过程中采用特殊的辅助夹具以及合理的遮挡技术，保证振膜不变形和最佳的类金刚石膜层厚度分布，使类金刚石／钛复合振膜的频响达到３０ｋＨｚ，并且能实现批量生产。     

真空阴极电弧沉积法沉积类金刚石膜的研究

克服了真空石墨电弧沉积过程中的一些观点，成功地利用真空阴极电弧沉积法制备了类金刚石膜，并对其表面形貌，硬度及结合强度，结构进行了分析，结果表明，真空阴极电弧沉积法是制备综合性能良好的光亮类金刚石膜的有效方法。类金刚石膜为非晶结构，具有明显的ｓｐ＾３结构特征。     

用热灯丝辅助化学汽相沉积法在钼基板上沉积金刚石薄膜的研究

用热灯丝辅助化学汽相沉积（HFACVD）法，以H2＋CH4为原料在钼基板上沉积出了金刚石膜。用扫描电镜，X射线衍射，激光Raman光谱和光荧光谱对所得金刚石膜进行了分析。实验结果表明，钼基板表面先生成了1层Mo2C，然后，金刚石再在此Mo2C上形核生长。所沉积的金刚石膜中仍含有一定的SP^2态碳和中性空缺等缺陷。     

用热灯丝辅助化学汽相沉积法在钼基板上沉积金刚石薄膜的研究

用热灯丝铺助化学汽相沉积(HFACVD)法,以H_2十CH_4为原料在钼基板上沉积出了金刚石膜。用扫描电镜,X射线衍射,激光Raman光谱和光荧光谱对所得金刚石膜进行了分析。实验结果表明,钼基板表面先生成了1层Mo_2C,然后,金刚石再在此Mo_2C上形核生长。所沉积的金刚石膜中仍含有一定的SP~2态碳和中性空缺等缺陷。     

直流等离子射流CVD法合成金刚石膜的研究

采用直流等离子CVD法,以甲烷作碳源,在钼、硅、钨和石英等基体上合成了高质量的金刚石膜。其生长速率达60μm/h。合成的金刚石膜呈半透明状,膜的表面形貌随着沉积条件的变化而变化。X射线衍射结果表明,在钼、钨和硅基片上合成的金刚石膜与基体之间有一层碳化物的过渡层。     

云母钛珠光颜料制备工艺的研究

研究了用液相沉积法在云母颗粒表面包覆二氧化钛膜制备云母钛珠光颜料的工艺。结果表明，反应温度和时间、基体悬浮液浓度、搅拌速度和煅烧温度是影响包覆效果的关键因素。运用遮盖力和光泽对最终的产品进行了测试，当在云母表面包覆一定厚度二氧化钛膜时，可以大幅度地提高云母的遮盖力和光泽，为制备云母钛珠光颜料奠定了基础。     

直流等离子射流沉积金刚石膜晶体生长机理探讨

详细观察了与沉积条件有关的金刚石形貌变化，探讨了直流等离子射流沉积金刚石膜的生长机理。根据晶体的表面能，在碳化物上先生成金刚石八面体晶粒，而金刚石最后的生长形状是八面体、立方八面体、立方体还是其中间形式，则取决于（１１１）面和（１００）面的相对生长速度．（１１１）面可分解成（１１０）面和（１００）面，有时由于这两个面生长不平衡，就在（１１１）面上出现凹坑或宏观台阶或宏观断裂。用这个生长机理可以解释     

碳氮膜的沉积工艺及其结构研究

以氨气为反应气体,用真空阴极电弧沉积法制备了CNx膜,研究了工艺参数对膜层的沉积速率,化学成分的影响及膜层结合状态,结果表明,沉积速率随着氨气分压的提高而下降,当氨气分压达到6．7Pa时将没有膜的沉积;CNx膜主要由碳和氮组成,降低真空系统的抽速,将反应气体导至靶面附近,提高氨气分压可以提高膜层中氮含量,氮是以化合态存在于膜层中。     

RF-PCVD低温沉积无色透明类金刚石保护膜的工艺研究

采用磁约束增强射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积法(RF-PCVD)低温沉积出无色透明的类金刚石保护膜(DLC),主要研究了炉压P0、射频功率Pf、自生负偏压Uz、磁感应强度B、电极间距d、反应气体、镀膜时间t等工艺参数对成膜的影响.试验结果表明,外加磁场B制约了带电粒子逃逸出电极空间,提高了反应气体的离化率及等离子体浓度和活性,并使非独立变量Pf和Uz成为独立变量,有利于工艺调节.当极间距大时,需适当提高Pf,Uz和C-H流量才可得到无色、较硬的DLC膜.在比功率密度大于0.009 W.cm-2.Pa-1、C-H浓度即体积分数0.9%~1.4%及膜厚小于90nm的条件下,可沉积出无色透明、硬度较高的DLC膜.     

RF-PCVD低温沉积无色透明类金刚石保护膜的工艺研究

采用磁约束增强射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积法(RF-PCVD)低温沉积出无色透明的类金刚石保护膜(DLC),主要研究了炉压P0、射频功率Pf、自生负偏压Uz、磁感应强度B、电极间距d、反应气体、镀膜时间t等工艺参数对成膜的影响.试验结果表明,外加磁场B制约了带电粒子逃逸出电极空间,提高了反应气体的离化率及等离子体浓度和活性,并使非独立变量Pf和Uz成为独立变量,有利于工艺调节.当极间距大时,需适当提高Pf,Uz和C-H流量才可得到无色、较硬的DLC膜.在比功率密度大于0.009 W·cm-2·Pa-1、C-H浓度即体积分数0.9%～1.4%及膜厚小于90nm的条件下,可沉积出无色透明、硬度较高的DLC膜.     

甲烷浓度对金刚石膜表面形貌及其热导率的影响

以甲烷为碳源气体，用直流等离子射流法制备了金刚石膜，研究了不同甲烷浓度对金刚石膜的表面形貌和热导率的影响。结果表明，在甲烷浓度φ（CH4）为1．5％时，可以获得较高热导率的金刚石膜。     

碳氮膜的沉积工艺及其结构研究

以氨气为反应气体,用真空阴极电弧沉积法制备了CNx膜,研究了工艺参数对膜层的沉积速率、化学成分的影响及膜层结合状态.结果表明:沉积速率随着氨气分压的提高而下降,当氨气分压达到6.7 Pa时将没有膜的沉积;CNx膜主要由碳和氮组成,降低真空系统的抽速、将反应气体导至靶面附近、提高氨气分压可以提高膜层中氮含量;氮是以化合态存在于膜层中.     

金刚石表面真空蒸镀铬钛工艺及其效果的研究

采用日立ＨＵＳ－５ＧＢ真空镀膜机在金刚石表面进行了铬、钛蒸镀，对蒸镀工艺进行了全面摸索．对表面改性后的金刚石制品，研究了其力学性能和使用效果，结果表明，二者均有一定程度的改善．     

掺钨类金刚石膜的制备与性能研究

采用无灯丝长条离子源结合非平衡磁控溅射的方法，在不同基体上制备了面积较大、光滑、均匀的掺钨类金刚石（W-DLC）膜层，用SEM、Raman、XPS、XRD、硬度计、划痕仪、摩擦磨损试验机等手段分析和研究了膜层的形貌、结构及部分性能．结果表明：膜／基硬度高，W—DLC／Si为Hv0.02515=3577；膜／基结合力在45-75N之间；摩擦系数小，抗磨损性能良好．     

H13钢等离子渗氮-类金刚石膜(DLC)复合处理的性能研究

研究了等离子渗氮-离子镀类金刚石膜复合处理工艺与未氮化离子镀类金刚石膜处理工艺对H13钢表面性能的影响.结果表明,经过等离子渗氮后镀类金刚石涂层复合处理的H13钢表面硬度、膜/基结合强度、耐磨性能等均优于未氮化镀类金刚石涂层的样品.     

H13钢等离子渗氮-类金刚石膜(DLC)复合处理的性能研究

研究了等离子渗氮-离子镀类金刚石膜复合处理工艺与未氮化离子镀类金刚石膜处理工艺对H13钢表面性能的影响.结果表明,经过等离子渗氮后镀类金刚石涂层复合处理的H13钢表面硬度、膜/基结合强度、耐磨性能等均优于未氮化镀类金刚石涂层的样品.     

纳米锗颗粒膜的结构与拉曼散射

用直流磁控溅射方法制备的纳米Ge颗粒膜．通过XRD表征和LRS谱分析，发现沉积态颗粒膜主要为无定形态的Ge团簇，同时在溅射沉积过程中有少量Ge被氧化成非晶态的GeO．颗粒膜经过真空退火处理，形成纳米级的Ge晶和GeO晶体．退火态的膜层结构比沉积态的疏松．对于薄膜纳米颗粒的结构，提出Core—Shell结构模型。解释了Raman散射谱中新出现的150cm^-1和215cm^-1的Raman散射峰．     

MOCVD—YBCO／Ag膜（带）的组织结构与超导

采用三源蒸发静态沉积，单溶液超声波雾化静态沉积２种ＭＯＣＶＤ工艺，在轧制抛光的Ａｇ基带上制备了ＹＢＣＯ超导膜，同时综合分析了典型样品的组织结构特点与超导性能的关系，采用这２种工艺制备的ＹＢＣＯ膜皆呈强烈，ｃ－轴取向的１２３相为主相，其Ｊｃ值为１×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２（７８Ｋ，０Ｔ）采用第２种工艺制备的典型样品，尽管其分偏离１２３相较大，但杂相不显，具有细小而高密度的晶粒组织，其Ｊｃ值达到２．２×１     

预植入金刚石微粉的WC-Co合金表面金刚石薄膜沉积特征

通过提高金刚石薄膜与硬质合金基底间的粘结力，可提高涂层工具的使用寿命。实验结果表明，在预植入金刚石微粉的硬质合金表面沉积金刚石薄膜，金刚石既在预植入金刚石表面同质外延生长，又在硬质合金上结晶生长，两者交互生长，且相容性较好，最终生长为致密均匀的金刚石薄膜。