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相似文献
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胡斌 《电声技术》1992,(9):40-41
步行者放音机十分流行,而且低压供电的放音机愈来愈多(3V供电),在这种放音机中共有两块集成电路,一块是电动机稳速集成电路,另一块是完成放音信号放大、处理的集成电路,由于放音信号主要由一块集成电路来放大、处理,所以称之为单片放音集成电路。这种单片放音机集成电路的工作原理同普通录音机放音通道电路结构基本一样,即由前置放大器,电子音量控制器电路和耳机驱动电路构成,而且是  相似文献   

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玉凯  鸣山 《音响维修》1998,(A01):277-299
单片放音集成电路AN7108内电路方框图及典型应用电路见图1所示。各引脚功能、工作电压、在路及开路电阻见表1中所列。  相似文献   

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科学家们最终的目的就是要把一个完整的光学测量仪器放置在一块芯片上,但所面临的挑战是要缩小那些用于线性运动位移成旋转角的光学测量仪器的体积,这些仪器称之为线性编码器或轴角编码器.光学测量仪器的小型化已经带来了许多意想不到的好处.当小型光学测量仪器同小的执行机构,像压电触发器,小超声电机,X、Y和Z换向及操纵器结合到一起的时候,它就会使功能大增.当这种仪器同一个高速运动的装置结合到一起时,其小型化就是要达到的重要目的,而其中低惯性是关键问题.  相似文献   

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本文报道了一种工作在16.0~17.0GHz单片集成180°的移相器.文中通过对无源工作的GaAs MESFET的建模,分析了影响移相器性能的主要参数,以及这些参数的最佳取值.制作在2.45×2.80×0.2mm芯片上的移相器其参数为:插损小于4.03dB,输入电压驻波比小于1.66,输出电压驻波比小于1.71,相移偏差在12.5°以内.  相似文献   

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单片立体声收音集成电路郝鸿安单片收音集成电路有多个品种,最简单的仅有3个端于,例如常用的CIC/D7642T或414、484、D501等,仅适用于耳机式随身简易型机。单片FM/AM收音集成电路TDA7000系列,不需要中周,使用方使,只是非立体声。单...  相似文献   

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本文探讨了四种类型的单片集成接收讥的结构、性能,生产工艺的发展状况,以及存在的问题和未来的发展趋势。  相似文献   

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Gherg.  V 顾聚兴 《红外》1995,(3):28-34
从分立器件目前的工艺状况到现有单片半导体集成样品,本文对用于远距离通信的光电子器件进行了综述,并且对各种集成器件进行了简单分类,在IBCN分配网络的未来前景方面,我们以经济利益为目标对混成和单片这两种集成方式进行了尝试性的分析。最后,我们简单介绍EEC ESPRIT和RACE规划进行的关于单片集成技术的一些研究活动。  相似文献   

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单片集成光发射器频率特性分析   总被引:4,自引:1,他引:3  
李维旦  严志新 《电子学报》1989,17(2):105-108
本文对Tucker等的激光二极管小信号模型作了改进,进而用SPICE程序分析了由异质结晶体管(HBT)电路和激光二极管组成的单片集成光发射器的频率特性。通过分析,提取了适合于目前常规工艺的优化参数,并就此计算了优化后的OEIC频率特性。电路参数优化后的单片集成光发射器的频响接近单个LD的频响。  相似文献   

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射频电路的单片集成¹   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
射频电路是无线通讯中的一个关键部分,其性能的好坏将直接影响到整个系统的性能,本文介绍了用CMOS工艺实现射频电路单片集成的可能性,难点,目前的情况和前景以及最终实现射频IP(Intellectual Property)的意义。并提出了一条适合国内发展射频电路集成的途径。  相似文献   

14.
本文提出了一个能在SPIC通用电路分析程序上运行的单片集成锁相环LM565的宏模型。宏模型引出脚与实陆器件一一对应,较好地模拟了LM565各个引起的输出波形及外部元件对其性能的控制,使之能实际应用到由LM565构成的各种电路计算机辅助分析中。  相似文献   

15.
GeSi调制器与探测器单片光电集成   总被引:1,自引:0,他引:1  
李娜  高勇 《半导体光电》1997,18(3):175-178
文章以GeSi材料为基础,从理论和实践两方面讨论将波导、调制器、探测器集成在一起的可能性,分析结果表明,三者之间的光集成在理论上是可行的,在工艺上也是可以实现的。  相似文献   

16.
单片集成智能化生理型心脏起博器数字控制单元   总被引:1,自引:1,他引:0  
洪志良  陈群伟 《半导体学报》1991,12(11):686-693,T001
  相似文献   

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单片集成长波长光接收机   总被引:4,自引:0,他引:4  
介绍了利用InGaAs 长波长金属-半导体-金属(MSM)光探测器与InAlAs/InGaAs 高电子迁移率晶体管(HEMT)集成来实现长波长单片集成光接收机的材料和电路设计、关键工艺途径等,解决了工艺兼容性问题,实现了2.5Gb/s传输速率下功能正确的单片集成长波长光接收机样品.  相似文献   

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本文介绍一种结构简单且与GaAs MESFET的制备工艺相容的GaAs MSM-PD器件,它可用作探测短波长激光。文中介绍了MSM—PD的特性,还叙述了它与MESFET放大电路的单片集成工艺。最后给出了集成芯片测试的初步结果。  相似文献   

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L4970A系列单片集成大功率开关电源原理框图如图1所示(注:图中引脚序号适用于L4970A/4975A/4977A)。其内部功能电路主要包括基准电压源、锯齿波发生器、40kHz振荡器、欠压检测与过热保护电路、误差放大器、比较器、PWM锁存器、或非门、触发器(由两级或门构成)、驱动级、DMOS开关功率管、限流比较器、软启动电路、掉电复位电路。其输出电压在5.1~40V范围内连续可调;通过自举电容可获得大电流输出;利用掉电复位电路能实时地向微机发出信号,监视系统电源的工作状态。  相似文献   

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