侧面高阻釉对ZnO压敏防雷芯片电性能的影响

为了抑制压敏防雷芯片边缘低熔点元素在烧结过程中的挥发,在芯片侧面涂覆不同配方高阻釉,研究其对压敏防雷芯片电性能的影响.结果表明:涂覆了高阻釉的芯片组分均匀性得以提高、缺陷减少,样品的8/20μs大电流耐受能力提高；在1 000 mA工频电流作用下,芯片的熔穿点位于芯片中部铜电极区,利于热脱离机构动作,从而提高芯片的暂态过电压耐受能力.     

ZnO压敏防雷芯片工频耐受与通流能力的相关性

为了研究ZnO压敏防雷芯片的工频过电压耐受特性和8/20μs通流能力的相关性,在生产线上抽取同批次产品进行工频过电压耐受试验和8/20μs通流能力试验。研究结果表明:工频过电压老化后会使压敏电阻的通流能力下降,但经过8/20μs雷电流峰值20 kA冲击后,压敏电阻的工频过电压耐受能力会增强,在冲击15次左右时达到最大值,随着冲击次数的增多,工频过电压耐受能力会降低。     

K+对ZnO压敏陶瓷电性能的影响

采用传统的陶瓷工艺,制备了ZnO压敏陶瓷。研究了K+掺杂量对ZnO压敏陶瓷电性能的影响。结果表明:当x(K+)小于40×10–6时,对其电性能几乎没有影响;但若x(K+)超过60×10–6后,由于K+在晶界和三角区的大量偏析,破坏了晶界层的稳定,导致其浪涌电流耐受能力严重劣化。     

纳米ZnO掺杂对压敏阀片电性能和组织的影响

研究了纳米级ZnO粉料对压敏阀片的压敏电压、漏电流和压比的影响,并对其微观结构进行了分析研究,从理论上探讨了纳米ZnO影响压敏阀片电性能与微观结构的机理。研究结果表明,氧化锌压敏阀片中加入纳米ZnO后,其压敏电压显著提高。在质量分数为0~30%的范围内,随着纳米ZnO含量的增加,压敏阀片的压敏电压明显提高,其压比也呈升高趋势。当纳米ZnO含量为30%时,压敏电压约达547.54 V/mm,压比为1.149。在0~10%的范围内,随着纳米ZnO含量的增加,压敏阀片的漏电流呈下降趋势,而在10%~30%的时,漏电流又随纳米ZnO的含量的增加而升高。当纳米ZnO的含量为10%时,漏电流最小,为0.6 mA。     

Co、Mn的掺杂形式对低压氧化锌压敏陶瓷电性能的影响

研究了Co、Mn的不同掺杂形式对低压ZnO压敏电阻显微结构和电性能的影响。发现以Co(NO3 ) 2 、Mn (NO3 ) 2 溶液代替CoO、MnO2 掺杂 ,可以降低压敏电压 ,增大非线性系数。这主要与钴的高价态有关 ,利于压敏电阻的低压化。     

锰氧化物复合物中的低场磁电阻效应研究

将纳米La0.67Sr0.33MnO3粉末和多晶SrTiO3粉末混和,在973 K烧结10 min后成功制备了0.5La0.67Sr0.33MnO3+0.5SrTiO3复合物。通过XRD、SEM及PPMS研究了样品的结构和电输运性质。研究结果表明,复合物中的两个物相并没有发生化学反应,且复合物中La0.67Sr0.33MnO3的晶粒尺寸和晶粒界面相较前驱粉末保持不变。复合物和La0.67Sr0.33MnO3的磁电阻效应都显示低场和高场磁电阻效应两部分,两个样品的高场磁电阻效应基本相同,而复合物的低场磁电阻效应得到了很大增强,导电通道的减少是导致复合物低场磁电阻效应增强的原因。     

Y~(3+)掺杂ZnO压敏陶瓷的微结构和电性能研究

采用两步烧结法制备了Y3+掺杂的(以Y(NO3)3·6H2O形式加入)ZnO压敏陶瓷,通过XRD、SEM和EDX系统研究了Y3+掺杂量对ZnO压敏陶瓷微结构和电性能的影响。结果表明:随着Y3+掺杂量的增加,电位梯度VT和非线性系数α提高,晶粒尺寸减小,施主浓度Nd和晶界态密度Ns降低,势垒宽度ω增大。当掺杂的x[Y(NO3)3·6H2O]为1.2%、烧结温度为1100℃时,ZnO压敏陶瓷电性能最好,其VT为675V/mm,α为63.9,漏电流IL为2.40μA。     

Li~+对ZnO压敏陶瓷电性能和能带结构的影响

采用氧化物固相合成法,制备了掺Li2CO3的ZnO压敏陶瓷。研究了掺Li2CO3量对ZnO压敏陶瓷电性能和能带结构的影响。结果表明:当x(Li2CO3)从0增加到0.50%时,压敏电位梯度从529V/mm增大到2170V/mm。XRD测试发现,掺Li2CO3并未出现新相结构。晶界势垒高度揭示,ZnO晶粒尺寸的迅速减小是压敏电位梯度急剧增高的主要原因。Li+置换Zn2+,将会在禁带中价带的顶部形成附加的受主能级,使能带发生畸变。     

泥浆分散特性对ZST陶瓷微波介电性能的影响

以TiO2、ZrO2、SnO2、La2O3和NiO为原材料,用固相法制备了性能优良的ZST微波陶瓷。通过研磨工艺调节泥浆颗粒尺寸,同时考察泥浆pH值对泥浆分散特性的影响,借助电泳仪、酸度计和粒度分析仪对泥浆ζ电位、pH值和颗粒尺寸进行了表征,用XRD和SEM对预烧后粉体的晶相结构和陶瓷的晶粒形貌进行了分析,并研究了ZST陶瓷微波介电性能。结果表明:不同pH值泥浆有不同的ζ电位,研磨工艺对颗粒尺寸有较大影响。当pH值大于10.5时,泥浆处于良好的分散状态,颗粒尺寸d50为0.65μm时,ZST陶瓷具有良好的微波介电性能。     

硼硅玻璃掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响

研究结果表明 ,硼硅玻璃料的掺入超过一定量时会使压敏电场上升。当玻璃料含量占初始配方总质量的 5 %时 ,压敏电场最小 ,非线性系数最小 ,漏电流最大 ;当玻璃料含量占 5 %～ 10 %时 ,随玻璃料掺入量的增加 ,非线性系数明显上升 ,漏电流迅速减小 ,压敏电场迅速上升。     

Nb2O5掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响

本文研究了Ｎｂ＿２Ｏ＿５掺杂以及Ｎｂ＿２Ｏ＿５与ＺｎＯ煅烧对ＺｎＯ压敏电阻器电性能的影响。实验表明，Ｎｂ＿２Ｏ＿５的掺入使压敏电场减少，当Ｎｂ＿２Ｏ＿５含量为０．１％ｍｏｌ时，其压敏电场最小．非线性系数最大。煅烧温度越高，压敏电场越高，非线性系数越大。     

TiO_2掺杂对低压ZnO压敏电阻性能的影响

研究了 Ti O2 掺杂量及制备工艺对 Zn O压敏电阻性能的影响。Ti O2 掺杂超过一定量时 ,压敏场强就不再降低 ,而非线性系数却一直下降 ,漏流迅速增大 ,使性能劣化。因此 ,要控制 Ti O2 掺杂量在适当范围内。粉料煅烧温度和烧成温度的高低也直接影响 Zn O压敏电阻性能。     

改进的高机动Jerk模型跟踪算法

基于Jerk模型及当前统计模型提出了一种改进的高机动Jerk模型跟踪算法。在假设机动加速度变化率(即加加速度)为非零均值指数相关随机过程的基础上,引入了关于加加速度变化趋势的修正项,从而进一步提高了目标跟踪精度。最后,通过Matlab仿真实验证明了该模型跟踪算法的优越性和有效性。     

La2O3的掺杂对氧化锌压敏陶瓷电性能的影响

采用传统固相法制备稀土氧化物La2O3掺杂的ZnO压敏陶瓷。采用X线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和压敏电阻直流参数仪对样品的物相、显微组织及电性能进行分析。结果表明,随着La2O3掺杂量的增加,ZnO压敏陶瓷电位梯度单调递增,非线性系数先增加后减小,而漏电流呈现先减小后增大的变化趋势。综合衡量ZnO压敏电阻的各项性能指标发现,在1 000 ℃烧结温度下,La2O3的质量分数为0.25%时,ZnO压敏电阻的综合性能最好,其电位梯度为532.2 V/mm,非线性系数为41.6,漏电流为3.3 μA。     

PLD法在不同氧分压下制备ZnO薄膜的XPS分析

在不同氧分压下用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)衬底上生长ZnO薄膜,对薄膜进行了X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)分析,研究了氧分压对所制薄膜结晶质量的影响。结果表明,当氧分压为0.13 Pa时,Zn 2p和O 1s态电子的结合能较大。随着氧分压的增加,Zn 2p和O 1s态电子的结合能变小,说明更多的Zn原子和O原子产生了结合。氧分压为6.50 Pa时,所制ZnO薄膜的XRD衍射峰半高宽最小,其Zn、O粒子数比最接近化学计量比,说明在此氧分压下生长的ZnO薄膜结晶质量最好。     

SiO_2对ZnO压敏电阻器性能的影响

实验研究了ＳｉＯ２对ＺｎＯ压敏电阻器性能的影响，在ＺｎＯ陶瓷中，添加适量的ＳｉＯ２可以提高压敏电阻器的α值和电压梯度，降低漏泄电流，提高通流量，能够制造出性能优异的ＺｎＯ压敏电阻器。     

红外探测器发展需求

由于未来作战环境复杂,红外探测技术发展面临严峻挑战,而作为红外型武器的核心——红外探测器,正朝着高灵敏、宽谱段、高分辨率、低功耗、小型化和智能化的方向发展。通过回顾相关产业军民两用融合情况和红外探测技术发展历程,总结军事发展对探测器新的要求,以确立新一代探测器发展方向。在详细分析国外红外探测器发展历程和现状的基础上,重点介绍了国外红外焦平面探测器的最新研制情况和成果,包括非制冷红外探测器、制冷型红外探测器、红外双色探测器等,并总结强调第三代红外探测器需要在控制成本的同时不断提高和改进红外焦平面探测系统的性能。最后概述了智能化红外焦平面阵列的发展情况。     

基于高压陶瓷电容器放电回路的优化设计

针对使用高压电容器的几种放电回路,开展了回路参数仿真分析研究。参数辨识结果表明采用高压陶瓷电容和固态开关组成的放电回路参数明显优于采用高压固体电容器和触发管的放电回路,改进装配方式后回路参数也比改进之前明显减小。该改进技术的提出,在不改变既定电性能指标的基础上大大改善了整个回路电路的体积与质量。该改进技术已成功应用于多个爆破项目中。     

仿真想定规范化开发方法

针对仿真想定权威性和重用性两方面的需求,提出了一种通用的仿真想定规范化开发方法,该方法建立在基于任务空间概念模型的仿真想定概念模型提取规范和基于XML的仿真想定描述规范之上。利用提取规范能够得到与真实军事信息无偏差的仿真想定概念模型,并可以基于此建立合理且权威的仿真想定约束机制;基于仿真想定描述规范,可以得到标准格式的仿真想定,以达到仿真想定重用性的目的。最后,通过项目中的实际应用,初步验证了该方法的合理性和有效性。     

PWM型高压电源的设计

以CRT为像源的平视显示系统对高压电源的性能、效率、体积、重量等有很高的要求,PWM型高压开关电源因为具有体积小、重量轻、效率高等优点而获得了广泛的应用。对PWM型高压电源的原理、单元电路等进行详细的介绍。电路采用逆变方式,从27 V直流电压,经过功率变换、升压变压、倍压整流等环节产生所需要的高电压。电压的稳定调节通过安置在负反馈通道中的脉宽调制器SG1525A实现,其基本原理是,采样电路对输出电压进行采样,与基准电压进行比较后,引起PWM产生的方波宽度改变,控制功率变换器中开关管的通断时间,使得输出电压向相反方向改变,从而使输出电压保持稳定。