厚膜金导体浆料用类球形金粉制备研究

分别以抗坏血酸(VC)、草酸、对苯二酚、亚硫酸钠和硫酸亚铁为还原剂,以阿拉伯树胶为分散剂还原雷酸金制备金粉。利用SEM对所制金粉进行了表征,分析了还原剂种类对金粉形貌和粒径的影响。并且以弱还原性的VC作为还原剂,分别探究了分散剂种类、用量及反应体系p H值、加入速度和温度对金粉粒径的影响。经过优化工艺,在金溶液浓度为20 g/L,p H值为4,质量比ζ(阿拉伯树胶:Au)=5:2,反应温度为50℃,金溶液加入速度为110 m L/min时,制备出呈类球形形貌和约2μm粒径的金粉。     

高分散超细金粉制备技术

本文介绍了利用降低还原反应速度提高粉料分散性能的超细金粉制备技术。     

超细金粉在电子浆料中的应用

讨论了#1和#2两种超细金粉在电子浆料中的应用。#1超细金粉用于印刷型金导体浆料中,线分辨率高,性能稳定。#2超细金粉应用于焊接型金导体浆料,满足欧姆接触和附着力的要求。     

金粉和玻璃粉对厚膜金导体浆料的性能影响

探讨了不同粒径的球形金粉对金导体浆料烧结膜致密性及方阻的影响,通过对比两种不同性能玻璃粉的软化点及浸润性,来讨论其质量分数的改变对金浆性能的影响。研究结果表明：选取合适粒径范围的金粉,可以提高金浆烧结膜层致密性且降低方阻;当两种玻璃的质量分数分别为w(G1)1.5%和w(G2)0.5%时,金导体浆料的方阻较小,键合拉力最大,老化拉力最好。     

微米／亚微米测试校正版的研制及测试

本文主要阐述研制微米／亚微米测试校正版的意义，在研制过程中解决电子束邻近效应、拼接校正、等离子刻蚀、测试技术等几个关键技术问题。完成了多功能、大范围、高精度、边缘较好的微米／亚微米测试校正版。通过测试、分析可以应用于各单位的条宽测量仪器的校正，解决了CD尺寸测试中存在的系统误差问题。这项技术对我公司以及外协单位条宽测试仪的CD尺寸值统一有着重大意义。     

亚微米尺寸金属电极的制备工艺

亚微米尺寸金属电极在高电子迁移率晶体管(HEMT)等半导体电子学器件中有重要应用,其制作是器件制作中的关键工艺,对器件性能有着重要影响。本文选择合适的涂胶旋转转速、烘烤温度(180℃)和时间,可以有效地减少电子束曝光后所产生的气泡。通过对聚甲基丙烯酸甲酯/聚二甲基戊二酰亚胺(PMMA/PMGI)双层胶进行电子束曝光和显影,确定了合适的曝光剂量为550 μC/cm2。通过调整显影液配比,并将显影时间控制在合理范围,获得了光滑完整的PMMA/PMGI双层光刻胶曝光图形。开发了双层光刻胶电子束曝光工艺,制备出宽度为200 nm的金属电极。     

金粉形貌对金导体浆料印刷膜层性能的影响

以氯金酸为原料,研究了抗坏血酸、亚硫酸钠、草酸三种不同的还原剂对金粉形貌的影响。分别以三种金粉为导电填充料配制了适合于丝网印刷的金导体浆料,研究了金粉形貌对浆料印刷膜层性能的影响。结果表明:以明胶为分散剂、草酸为还原剂制备出的金粉所配制浆料的粘度、触变性更适合于丝网印刷工艺,其印刷膜层平整、无缺陷,烧成后膜层附着力和方阻优于抗坏血酸和亚硫酸钠作为还原剂所制备出的金粉。     

半导体器件与集成电路制造中的亚微米技术

本文叙述了当前世界上亚微米、深亚微米技术的发展趋势,分析了我国亚微米技术的现状,最后介绍了机械电子工业部第十三研究所在亚微米技术方面的进展及其在半导体器件与集成电路制造中的成功应用。     

类球形金粉粒径对Au-金属化低温共烧陶瓷微观结构 及翘曲度的影响

研究和探讨了低温共烧陶瓷（LTCC）共烧过程中的收缩现象及LTCC陶瓷金属化后翘曲的主要影响因素。采用六种不同平均粒径（0.7~2.3 μm）的类球形金粉、玻璃粉及一种合适的有机载体分别制备成金导体浆料。将制备成的金导体浆料印刷在LTCC 生瓷膜上,按LTCC常规工艺叠层、共烧。分析了不同粒径金粉制备的浆料印刷在瓷片上烧结后的微观结构,测量了各瓷片的翘曲度及各浆料的方阻。实验发现采用大粒径的类球形金粉有利于减小瓷片的翘曲度,但烧结膜层致密性变差,方阻也变大。     

亚微米半导体器件模拟方法的探索

本文综述了近十年来半导体器件模拟的发展概况，阐述了漂移扩散模型（ＤＤＭ）、流体动力学模型（ＨＤＭ）、玻耳兹曼模型（ＢＴＭ）、全量子模型（ＱＴＭ）的各自适用范围，概括了玻耳兹曼的一些新解法，ＨＤＭ，ＢＴＭ适合于亚微米半导体器件的模拟。     

亚微米电子束曝光机镜筒光路与结构

介绍了亚微米电子束曝光机光路与结构设计，该电子光学系统采用透镜内偏转设计，系统象差小，偏转灵敏度高，工件面上电流密度大，通过调试和使用，电子束流、最小电子束斑直径等主要设计指标均达要求。     

电子浆料用球形银粉的制备

介绍了化学沉淀法生产球形银粉的工艺技术,采用该工艺制备的球形银粉具有良好分散性、合适的粒径、适当的比表面积,可以广泛应用于电子浆料.     

亚微米MOS场效应管的完全解析二维模型

本文对二维非线性泊松方程这一基本问题进行了求解.采用一个微分算符将泊松方程分解成自由载流子部份和掺杂分布部份.自由载流子部份正是著名的刘维方程,具有解析解。掺杂分布部份采用“相似变换”的方法予以求解.将包含自由载流子影响的完全的二维电势分布用于亚微米MOS场效应管,得到了阈值电压的解析模型.它能很好地说明短沟道效应.本解析模型的特点是其完整性及简单性.它能很方便地用于器件模拟,也能推广到三维情况.     

亚微米光刻的线宽测量技术

很久以来，传统的光学显微技术一直是IC测量中的重要技术，但它正在被共焦扫描显微技术、相干探测显微技术和扫描电子显微技术等精度更高的技术所取代。本文重点对用于在线线宽测量的低压扫描电子显微镜进行了讨论。     

喷雾显影技术在亚微米制版中的应用研究

阐述了离心式中心喷雾显影工艺技术在精细图形制作中的重要性,实验装置、工作原理、工艺参数选择、实验结果以及在制版中的应用实例。     

Si亚微米MESFET的Monte Carlo法模拟

本文是继用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ法模拟ＧａＡｓ亚微米器件后，进一步用该法模拟Ｓｉ亚微米ＭＥＳＦＥＴ。文中除了处理Ｓｉ和ＧａＡｓ散射机制不同外，在模拟方法上有重要进步：用ＦＦＴ代替迭代法，加速解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程过程；用快速自散射代替常规自散射，压缩计算无用自散射时间。这些进步相当程度地克服Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ微粒模拟法费机时的固有缺点。模拟得到的形象且合理的结果，给出亚微米栅长时Ｓｉ ＭＥＳＦＥ     

一种制作亚微米间隔的方法

本文研究了利用光刻图形转移过程中,湿法化学刻蚀存在的侧向钻蚀,通过对钻蚀程度的控制获得小于0.5μm的线条间隔.     

SPS制备亚微米多晶LaB6块体的EBSD研究

用氢直流电弧法制备LaH2纳米粉末,再采用放电等离子烧结（SPS）技术,在压力50MPa,烧结温度1400℃～1600℃条件下制备了LaB6亚微米多晶块体。采用EBSD技术,对LaB6样品表面的晶粒、晶界特征及晶粒取向等进行了测试分析。结果表明,SPS制备的LaB6晶粒尺寸为0．14μm～1．10μm,晶粒大小随烧结温度升高而增大。随烧结温度的升高,小角度晶界（微取向差在10°以内）的含量逐渐增加。取向分析表明,SPS烧结LaB6多晶块体形成了几种择优取向。     

亚微米集成电路的ESD保护设计

介绍了一种带ESD瞬态检测的VDD-VSS之间的电压箝位结构,归纳了在设计全芯片ESD保护结构时需要注意的关键点;提出了一种亚微米集成电路全芯片ESD保护的设计方案,从实例中验证了亚微米集成电路的全芯片ESD保护设计.