平面栅型FED的模拟研究

采用ANSYS有限元分析软件对平面栅型场致发射显示器（FED）的阴极表面电场进行了模拟分析。通过研究栅极宽度、阴栅间隙及阴极宽度对阴极表面电场分布的影响．结果表明平面栅型FED为边缘发射型器件,阴极宽度的改变对阴极表面电场整体影响明显．而阴栅间隙是影响阴极边缘电场分布的主要因素。     

离子束刻蚀位相型Ronchi光栅研究

本文报道了采用紫外光刻和离子束刻蚀方法制作位相型Ｒｏｎｃｈｉ光栅的工艺技术，并对其衍射特性进行了讨论，同时给出实验结果。     

离子束刻蚀位相型Ronchi光栅研究

本文报道了采用紫外光刻和离子束刻蚀方法制作位相型Ｒｏｎｃｈｉ光栅的工艺技术，并对其衍射特性进行了讨论，同时给出实验结果。     

离子束刻蚀正交位相型Ronchi光栅研究

本文报道了采用紫外光刻和离子束刻蚀方法制作正交位相互Ｒｏｎｃｈｉ的工艺技术,并讨伐春衍射效率,给出公式及实验结果。     

减少氧对Spindt型钼锥FED器件发射性能的影响

本文讨论了氧对Spindt型钼微尖锥FED器件发射性能的影响,并介绍了一种减少这种影响的方法－在氩气环境中焊封FED器件。     

薄膜型平栅极FED背光源的制备及性能研究

利用磁控溅射和光刻技术在玻璃基底上制备薄膜型平栅极场发射阴极阵列,采用电泳工艺将碳纳米管(CNTs)发射材料转移到薄膜型平栅结构的阴极电极表面,借助光学显微镜和扫描电镜观测薄膜型平栅极场发射阴极阵列。利用Ansys软件模拟阴栅间距对阴极表面电场分布的影响,优化其结构参数,对其场发射特性进行了讨论。实验结果表明,CNTs能均匀地分散在平栅型结构的阴极表面,当电场强度为2.4 V/μm时,器件发射电流密度达到1.8 mA/cm2,亮度达3 000cd/m2,均匀性为90%,能稳定发射28 h,且具有较好的栅控作用。该薄膜型平栅极背光源技术简单、成本低,为将来制备新一代大面积场发射背光源提供了可行性方案。     

提高FED器件发光均匀度

发光均匀度是FED器件的一个重要的技术参量；本文介绍了对于FED器件发光均匀度的新测量方法及提高FED器件发光均匀度的新方法。     

RMOS器件中硅槽及多晶硅栅的刻蚀

ＲＭＯＳ（Ｒｅｃｔａｎｇｕｌａｒ Ｇｒｏｏｖｅｄ ＭＯＳ）器件因具有独特的性能而得到较好的应用。本文介绍用ＲＩＥ设备进行ＲＭＯＳ器件硅槽刻蚀的工艺，并对填满硅槽内的多晶硅栅的刻蚀亦作了研究。选择适当的工艺条件，可刻蚀出形貌较好的硅槽，并可在刻蚀完多晶硅后保持硅槽内多晶硅栅形貌完好 。     

FED器件的静电焊封

本文对ＦＥＤ器件制造工艺中的静电焊封法作了介绍，并对进行静电焊封时所需的条件作了说明。     

MEMS开关中聚合物牺牲层去除方法研究

制作了一种以聚酰亚胺作为牺牲层的低下拉电压开关,聚酰亚胺牺牲层采用反应离子刻蚀(RIE)工艺进行刻蚀。研究了刻蚀功率对刻蚀时间的影响,检验了不同刻蚀功率与刻蚀时间组合条件下开关梁的结构完整性,优化了该RIE工艺。实验结果表明,聚酰亚胺牺牲层的去除效果较好,其侧向刻蚀率为1.3 μm/min。最终获得了具有2 μm以下间隙、结构完整的MEMS开关梁。     

无中间层双大马士革中FSG刻蚀技术研究

随着超大规模集成技术的发展,芯片尺寸的日益缩小,铜作为连接材料的优越性日益显现。由于铜的反应生成物不具有挥发性,刻蚀很难实现。只有先在硅片上作好双大马士革结构,然后填入铜来实现铜互连。文章研究无中间层双大马士革中FSG刻蚀技术,将刻蚀过程细分为四步实施:VIA通孔刻蚀、BARC刻蚀、Trench沟槽刻蚀和阻挡层刻蚀(Nitride Remove),解决刻蚀过程中出现的主要问题。     

牺牲层腐蚀二维数值模拟与仿真

建立了基于扩散方程的二维腐蚀模型,并给出相应的边界条件.为求解二维扩散方程,分别给出了有限差分显式和隐式求解算法.得到了每一时刻溶液在具体位置的浓度值,再由Topography模型计算腐蚀前端面的腐蚀情况得到腐蚀前端行进轮廓线.编程实现了对多种不同牺牲层几何结构以及组合结构腐蚀过程的仿真,最后实验验证了模拟的真实性.     

Study on Microcavity Organic Light-emitting Devices Containing Negative Refractive Index Dielectric Layer

A new structure containing negative refractive index dielectric layer(NRIDL) is introduced into microcavity. The properties of the new microcavity organic light-emitting devices(MOLEDs) are investigated. In the experiment, the transfer matrix method is adopted. The dependence of reflectance and transmittance on the refractive index and thickness of NRIDL are analyzed in detail. Compared with the electroluminescence spectra of non-NRIDL diodes, the line widths of the spectra of the MOLEDs are narrower and al...     

牺牲层腐蚀二维数值模拟与仿真

建立了基于扩散方程的二维腐蚀模型,并给出相应的边界条件.为求解二维扩散方程,分别给出了有限差分显式和隐式求解算法.得到了每一时刻溶液在具体位置的浓度值,再由Topography模型计算腐蚀前端面的腐蚀情况得到腐蚀前端行进轮廓线.编程实现了对多种不同牺牲层几何结构以及组合结构腐蚀过程的仿真,最后实验验证了模拟的真实性.     

降低高k介质层微粒污染的工艺研究

随着集成电路制造技术节点进一步缩减,高k介质层金属栅工艺得到广泛应用。该工艺中,减少高k介质层淀积的微粒污染对后续膜层的生长质量至关重要。采用原子层淀积法生长了高k的HfO₂层。针对高k层表面容易引入微粒污染的问题,采取了改变HfO₂淀积过程反应物H₂O、HfCl₄的脉冲时间和冲洗时间的方法。当H₂O的冲洗时间增加量为3 000 ms时,微粒数量、杂质Cl离子含量显著降低。该工艺研究对实际工艺中高k层的可靠性、合格率的提高和生产成本的降低均有重要价值。     

SiO2牺牲层刻蚀实验的研究与分析

氢氟酸(HF)刻蚀SiO2牺牲层受多种因素影响,其中刻蚀液的温度、组分、浓度、被刻蚀结构的形式及结构内部的残余应力等是最主要的。样品设计了多种测试结构,深入研究这些因素对刻蚀速率及结果的影响,并进行了详细的讨论与分析。通过实验可观察到刻蚀过程中的反应限制阶段与扩散限制阶段,说明经长时间的刻蚀,HF的扩散效应将成为影响刻蚀速率的主导因素。对于实验过程中观察到的"凸"状的刻蚀前端和"晕纹"现象,分析认为结构中的应力梯度及材料间不同的亲水性质是产生这些现象的主要原因。     

反应离子刻蚀PMMA的各向异性刻蚀研究

研究目的是优化Ni掩膜PMMA RIE的刻蚀参数，在氧刻蚀气体中加入表面钝化性气体CHF3，以较快的刻蚀速率获得垂直的侧壁和最小的掩模钻蚀。采用平行板结构的反应离子刻蚀机刻蚀，研究了刻蚀气压，CHF3/O2比率和刻蚀温度对垂直、侧向刻蚀速率和PMMA微结构形貌的影响。试验表明：当CHF3含量大于50%或O2工作气压较低时，会显著影响RV/RL比，当RV/RL比大于8时，试样呈现出完全各向异性刻蚀。     

基于二维扩散方程的牺牲层腐蚀模拟与仿真

深入研究了牺牲层腐蚀机制,给出了可以在二维平面中模拟腐蚀过程的仿真程序。由于腐蚀主要由腐蚀溶液的扩散机制所影响,对溶液的二维扩散方程给出了求解的有限差分算法,得到了在具体时间和位置的浓度,再利用T opography模型计算腐蚀前端面的腐蚀进行情况得到腐蚀前端行进的轮廓线,通过编程得到了能够模拟不同开口牺牲层结构的仿真程序。最后给出模拟结果和实验腐蚀结果的对比。     

H.264 SVC面向MPEG-2基本层扩展研究

为了解决数字电视机顶盒播放标清和高清视频的兼容性及传输带宽浪费问题,结合现有数字电视编码标准和H.264 SVC的基础,在考虑实际应用的情况下本文对H.264 SVC面向MPEG-2基本层扩展进行研究,设计了标准间SVC并给出了标准间SVC详细的编解码器系统架构,同时对关键性问题进行了分析并提出了相应的解决方案,具有良好的可行性,标准间SVC的设计实现了跨标准的视频播放,提高了编码效率,为视频编码技术发展和数字电视高清化普及提供了理论基础。