Sb掺杂BaTiO_3的电磁及微波吸收特性研究

以BaCO3、TiO2、Sb2O3为原料,采用固相法制备了Sb掺杂BaTiO3样品,借助XRD、Raman光谱以及矢量网络分析仪等分析测试手段对所制样品的晶相、晶格常数、电磁性能及微波吸收特性进行了表征。结果表明:低掺杂Sb的样品均为单一四方相BaTiO3晶体,结晶良好;随着w(Sb2O3)的增大,晶格常数减小;与未掺杂的BaTiO3相比,Sb掺杂BaTiO3的反射损耗明显提高,且反射峰向低频方向偏移;当w(Sb2O3)为0.6%时,制得BaTiO3的反射损耗在3.7 GHz处达到最大值–28.2 dB。     

Sb_2O_3掺杂Ba(Ti_(0.91)Zr_(0.09))O_3陶瓷的结构与性能

采用固相反应法制备了Sb2O3掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷,研究了Sb2O3掺杂量(x(Sb2O3)为0.5%～5.0%)对陶瓷晶相结构及介电性能的影响,分析了陶瓷电滞回线变化的原因。结果表明:Sb3+进入了Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷晶格,引起晶格畸变,且无第二相出现。随着Sb2O3掺杂量的增加,陶瓷晶粒逐渐变小变均匀,tanδ减小。Sb2O3掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷为弥散相变铁电体,在x(Sb2O3)为3.0%处弥散程度最小。     

镝掺杂钛酸钡纳米粉体的水热合成

以BaCl2.2H2O、TiCl4为反应物,NaOH为矿化剂,Dy2O3为添加剂,水热合成了镝掺杂钛酸钡纳米粉体。运用X-射线衍射(XRD)、扫描电镜分析(SEM)等手段研究了镝的掺杂形式、粉体的粒度、微观形貌,讨论了水热处理温度和时间对产物的影响。结果表明,在220~280℃下水热反应10~16 h,获得粒径为89 nm的Dy掺杂BaTiO3粉体。所得粉体晶相单一,纯度高,发育完整,团聚少;微量Dy掺杂时,发生Ba位取代,掺杂量较高时,部分Dy3 占据Ti4 的位置。     

锑掺杂二氧化锡薄膜的导电机理及其理论电导率

归纳总结了锑掺杂二氧化锡(ATO)的导电机理。晶格的氧缺位、5价Sb杂质在SnO2禁带形成施主能级并向导带提供n型载流子是ATO导电的两种主要机理。从材料的电导率公式出发,定性分析了二氧化锡中掺杂锑的含量存在理论最佳值,根据已有模型计算证明了锑掺杂二氧化锡电导率存在理论上限。掺杂二氧化锡中锑的最佳理论含量为1.49%(质量百分数),锑掺杂二氧化锡理论电导率最高为0.217×104(Ω·cm)-1,氧空位对ATO电导率的贡献为0.1506×104(Ω·cm)-1。     

在(Cs)Na_2Ksb(S-20)多碱光电阴极中的作用

在s—20光电阴极生产过程中,进行化学分析和定性观察,表明了铯不仅引起体效应,而且引起表面效应。用x射线对Na_2K Sb和（Cs）Na,KSb进行的定量研究,证实了体效应·发现增加掺杂铯的量使得晶格常数从7.727±0.003A增加到7.745±0.004A。作者认为较大的晶格常数,使晶格中能有较多的超额锑,因此增加了p型掺杂,并使能带弯曲。     

Sb2O3掺杂对ZnO薄膜光吸收性能的影响

采用RF磁控溅射技术制备了Sb2O3掺杂ZnO薄膜,通过X射线光电子能谱仪（XPS）、X射线衍射仪（XRD）和紫外-可见光（UV-Vis）分光光度计研究了Sb2O3对ZnO薄膜结构和光吸收性能的影响。结果表明：Sb2O2的掺杂影响了ZnO的原子和电子状态、晶粒的生长方式和光吸收性能。薄膜中Sb以多种形态存在：替位原子和化合物（Sb2O3、Zn,Sb2O14）等,ZnO呈混晶方式生长;随着Sb含量的增加,其引起的晶格畸变和次晶相的含量逐渐增加;掺杂薄膜在远紫外（UVA）波段的吸收显著增强,UV吸收峰变窄,强度增大,吸收边变得陡峭且向短波方向移动达5nm,在Vis波段的吸收有所增强。     

ATO粉体的水基溶胶-凝胶法合成工艺研究

采用水基溶胶-凝胶法合成了锑掺杂二氧化锡(ATO)粉体。采用X射线衍射(XRD)、能谱仪(EDS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)以及X射线光电子谱(XPS)对粉体进行了表征,探讨了ATO溶胶的制备工艺以及锡锑摩尔比(n_(Sn)/n_(Sb))对溶胶粒度和烧结粉体的形貌与物相的影响。结果表明:溶胶合成的较优条件为溶胶浓度=0.1 mol/L,水浴温度=50℃,p H=7,n_(Sn)/n_(Sb)=90/10。锡锑摩尔比对粉体的物相结构无影响。ATO粉体在n_(Sn)/n_(Sb)低于95/5时出现球形及棒状形态,其中Sn元素与Sb元素分别以Sn~(4+)、Sb~(5+)和Sb~(3+)的形式固溶于粉体中。     

ZnSe-ZnTe应变层超晶格用于光电器件的新材料

采用分子束外延方法生长了ZnSe-ZnTe应变层超晶格。采用光致发光方法对ZnSe-ZnTe应变层超晶格的光学特性进行了评价,发光颜色为由蓝绿至红的可见光范围内.为了获得宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体的p型和n型电导,采用调制掺杂技术制备了ZnSe-ZnTe超晶格,如果在ZnTe层中有选择地掺杂Sb,则所有样品呈现p型电导,且空穴浓度为(0.5-1.0)×10~(14)cm~(-3)。另一方面,Ga掺杂的应变层超晶格的电子浓度为(2-7)×10~(13)cm(-3)。其     

分子束外延生长p型ZnSe-ZnTe超晶格

一种p型应变层超晶格已用调制掺杂技术实现,这种超晶格材料是由不掺杂的ZnSe层和掺Sb的ZnTe层交替生长组成的,电学性质已由霍尔效应测量获得。p型应变层超晶格的空穴迁移率为220—250cm~2/V·s,空穴浓度为3—5×10~(14)/cm~3。     

Sb掺杂对SnO_2薄膜光电性能的影响研究

以乙醇为溶剂采用溶胶-凝胶法制备出了Sb掺杂的SnO_2复合透明导电薄膜,并利用XRD,SEM,紫外-可见分光光度计,四探针电阻仪等测试方法对Sb掺杂的SnO_2复合薄膜的结构和物性进行了研究。结果表明,当Sb掺杂量小于摩尔分数7%时,SnO_2复合薄膜均呈四方金红石型晶体结构;随着Sb掺杂量的增加,薄膜电阻率先降低后增大,当Sb掺杂量为摩尔分数5%时,薄膜电阻率达到最小值1.4×10~(–3)?·cm。在350~700 nm波长范围内,当Sb掺杂量小于摩尔分数7%时,SnO_2复合薄膜的透过率均在80%以上。     

温度控制对ATO纳米分散液水热生长的影响

以SnCl4·5H2O和SbCl3的共沉淀氢氧化物为原料,在水热过程中采用温度控制、分段加热的方法,制备了单分散的ATO纳米分散液。用XRD、TEM、X射线能量散射谱(EDS)和压片测电阻等方法,对ATO纳米粉进行了表征。结果表明:温度控制、分段加热的水热法,可以一步合成粒径为10~15nm,高比表面积、分散性好的ATO纳米晶导电粉体,在低温短时的条件下,同时实现了氧化物的掺杂和分散。并对生长机理做了初步探讨。     

磷锑共掺SnO2陶瓷的电阻-温度特性

采用湿化学法制备了磷锑共掺氧化锡Sn1-3xSbxP2xO2+6(x=0.004,0.010,0.030,0.050)材料.利用XRD、SEM、电阻-温度特性测试系统和交流阻抗技术对所制氧化锡材料的物相组成、微观结构及导电特性进行了研究.结果表明:在x=0.004和0.010时,所制氧化锡材料由纯四方结晶相组成,但在x≥0.030时,材料中出现了微量的P2O5和SnP2O7杂质相;所制氧化锡材料的电阻-温度特性具有负温度系数(NTC)效应,选主要是晶粒效应和晶界效应共同作用的结果;最后利用能带理论对该材料的NTC导电机理进行了分析讨论.     

磷锑共掺SnO_2陶瓷的电阻-温度特性

采用湿化学法制备了磷锑共掺氧化锡Sn1–3xSbxP2xO2+δ(x=0.004,0.010,0.030,0.050)材料。利用XRD、SEM、电阻–温度特性测试系统和交流阻抗技术对所制氧化锡材料的物相组成、微观结构及导电特性进行了研究。结果表明:在x=0.004和0.010时,所制氧化锡材料由纯四方结晶相组成,但在x≥0.030时,材料中出现了微量的P2O5和SnP2O7杂质相;所制氧化锡材料的电阻–温度特性具有负温度系数(NTC)效应,这主要是晶粒效应和晶界效应共同作用的结果;最后利用能带理论对该材料的NTC导电机理进行了分析讨论。     

Effect of Sb2O3-doped on optical absorption of ZnO thin film

ZnOthinfil mis a compound semiconductive materialof hexagonal Wurtzite structure.It has been widely ap-pliedto manyareas suchastransitive conductive windowmaterials , ultraviolet detectors , LEDs and LDs lumi-nance devices ,etc ,because of its unique electrical andoptical properties , good chemical stability, high activeenergy and melting point ,abundant ,cheap and nontox-ic source,and relatively lowpreparing temperature[1-4].Recent researches showthat the properties of ZnOthinfil mchange o…     

掺杂比与热处理温度对锑锡氧化物结构和导电性能的影响

采用水热法制备锑锡氧化物(ATO)粉体,运用差热–热重分析(DTA-TGA)、X射线衍射(XRD)等测试手段对粉体进行了表征。研究了掺杂比、热处理温度等工艺条件对ATO粉体结构和导电性能的影响。实验结果显示:粉体仍为四方相的金红石结构;锑锡掺杂比(摩尔比)为11%时达到最佳导电性能,随掺杂量增加,粉体晶粒度变小;随热处理温度升高,电阻值降低,粉体晶粒度变大。     

Physical properties of sprayed antimony doped tin oxide thin films:The role of thickness

Transparent conducting antimony doped tin oxide（Sb:SnO₂） thin films have been deposited onto preheated glass substrates using a spray pyrolysis technique by varying the quantity of spraying solution.The structural, morphological,X-ray photoelectron spectroscopy,optical,photoluminescence and electrical properties of these films have been studied.It is found that the films are polycrystalline in nature with a tetragonal crystal structure having orientation along the（211） and（112） planes.Polyhedrons like grains appear in the FE-SEM images. The average grain size increases with increasing spraying quantity.The compositional analysis and electronic behaviour of Sb:SnO₂ thin films were studied using X-ray photoelectron spectroscopy.The binding energy of Sn3d_5/2 for all samples shows the Sn⁴⁺ bonding state from SnO₂.An intensive violet luminescence peak near 395 nm is observed at room temperature due to oxygen vacancies or donor levels formed by Sb⁵⁺ ions.The film deposited with 20 cc solution shows 70%transmittance at 550 nm leading to the highest figure of merit(2.11×10^-3Ω^-1). The resistivity and carrier concentration vary over 1.22×10^-3 to 0.89×10^-3Ω·cm and 5.19×10²⁰ to 8.52×10²⁰ cm^-3,respectively.     

Preparation optimization of ATO particles by robust parameter design

3-level-3-factor robust parameter design and variance analysis were employed to optimize the formulatimemon process of antimony doped tin oxide (ATO) particles with high conductivity. Results indicated that optimized formulation parameters were as follow: Sb doped content of 11 mol%, calcination temperature of 800 °C and calcination time of 0.75 h. For the ATO powder prepared under the above optimal condition, the conductivity of ATO in the validation experiment was 7.6511 S cm⁻¹, which was almost close to the predicted value, and the ATO powder had smaller diameter, higher transmittance in visible region as well as better thermal insulating properties than its counterparts.