红外制导与红外对抗技术分析

本文较系统地分析了红外干扰技术和提高红外制导系统抗红外干扰的几种主要技术途径，探讨了红外对抗技术的未来发展趋势。     

红外制导的发展趋势及其关键技术

在各种精确制导体制中,红外制导因其制导精度高、抗干扰能力强、隐蔽性好、效费比高等优点,在现代武器装备发展中占据着重要地位,综述了红外制导系统的发展历程、现状特点、未来趋势,为红外制导技术的研究开发提供有益参考。首先介绍了红外制导系统的工作原理和发展历程,然后从现代作战需求出发分析了当前红外制导系统的7个发展方向,最后从探测器件、信息处理、结构设计、干扰对抗等方面分析了未来红外制导系统发展中所面临的5种关键技术等。     

红外制导武器的发展现状

红外制导可分为红外半自动制导、点源寻的制导、成像制导和末敏制导等几类。按战术使用，又可分为反装甲、空地、空空、地空以及巡航导弹等等。本文综述了红外制导武器的发展现状。     

红外制导武器的发展现状

红外制导可分为红外半自动制导，点源寻的制导，成像制导和末敏制导等几类，按战术使用，又可分为反装甲，空地，空空，地空以及巡航导弹等等。本文综述了红外制导武器的发展现状。     

红外制导技术发展综述(Ⅱ)

红外制导技术发展综述（Ⅱ）冯炽焘（昆明物理研究所，昆明，６５０２２３）３反坦克导弹的发展中东战争和海湾战争表明，新型战斗飞机、海上战列舰以及兼具有进攻和防御能力的坦克、装甲战车，仍将是未来战争中三军使用的最重要的武器系统。因此，相应地发展对空、反舰和...     

红外制导武器的现状及发展趋势

红外制导可分为红外半自动制导、点源寻的制导、成像制导和未敏制导等几类。综述了各国研制的红外制导武器及其发展趋势。     

红外寻的制导技术的发展现状与新趋势

红外寻的制导技术是当前精确制导技术中使用最多的一种,伴随丰红外探测器件技术的发展,特别是红外焦平面探测器的工程化应用以及信息处理技术的飞速发展,红外成像寻的制导已被应用于精确制导武器系统,本文概述了即将过去的２０世纪红外寻的制导技术发展的历史,展望２１世纪红外寻的制导技术发展的新趋势,并对红外成像制导技术的当前的发展提出了看法。     

先进红外制导导弹对抗方法研究

先进红外制导导弹主要包括小视域连续扫描制导导弹和红外成像制导导弹，普通红外诱饵难以对抗。随着红外制导技术的发展，红外诱饵干扰技术也不断提高。多元红外诱饵干扰技术是一种新的红外对抗手段。在对十字叉型红外制导原理分析基础上，研究了多元红外诱饵对其的干扰机理。     

双色红外制导技术

本文从理论上分析了用双色技术识别目标及抗诱饵弹干扰的可行性。计算了不同温度下的目标、背景和干扰源的辐射比及大气透过率、太阳辐射、地物辐射对目标辐射的影响，分析了利用双色比识别目标的条件，介绍了有利于双色制导的玫瑰线扫描技术及其有关结构。     

毫米波末制导技术的应用及发展趋势

概述了目前毫米波技术在导弹制导领域的应用,介绍了毫米波制导的关键技术,并对毫米波制导技术的未来发展趋势进行了探讨。     

红外探测跟踪技术在复合寻的制导中的应用前景

现代战场环境中,不仅存在飞机类目标的威胁,而且还存在如战术地一地导弹、巡航导弹的威胁。这类空中威胁目标的飞行速度、作战空域、机动能力和电子／光电对抗的性能都有很大的提高,因此需要探索一种新的寻的方法,使得地一空导弹防御系统具有更好的精确制导能力。红外或RF／IR双模复合导引头就具有这种潜力。介绍了国外双模导引头的最新进展．同时分析了在地空导弹防御系统中采用红外探测跟踪技术的优缺点。     

强激光干扰红外成像制导导弹效能仿真研究

研究了强激光对红外成像导引头的干扰机理,通过建立模型,以Matlab语言为平台,仿真出了导弹受干扰前后的弹道曲线,并在此基础上研究了脱靶量与单发导弹命中概率的计算,通过对导弹在未受干扰和受干扰两种情况下命中概率的计算分析,验证了干扰的有效性.     

两栖装甲车辆对抗红外／毫米波复合制导方法研究

在分析两栖装甲车辆的毫米波、红外暴露特征和常见的干扰技术,以及人工水雾干扰红外/毫米波复合制导原理的基础上,运用Mie散射理论和热力学理论,对人工水雾干扰红外/毫米波复合制导技术进行了理论分析,给出了单位喷水量条件下,水雾滴径的最佳尺寸,最后模拟计算了人工水雾对红外/毫米波复合制导的干扰性能.     

红外测温技术在直线电机测温中的应用

直线电机的温升实验要求比较特殊,成本相对较高,是一种比较复杂的工作.依据红外测温仪的基本原理,对直线电机表面温度进行在线测量,测量值符合电机的实际运行情况,解决了直线电机在线监测困难这一难题.     

基于红外热像与电学测试法的OLED热学分析

采用红外 热成像与瞬态热学测试技术,测试并对比分析了有机电致发光二极管(OLED)的光电热学特性 。研究表明,OLED结温的升高会导致输入 电压的降低。在输入电流为100mA时,整个面板上呈现非 常明显的温度梯度,最高点与最低点 温差可高达30℃。在相同的工作条件下,采用红外热像测试获得的峰值温度比采用瞬态热 学测试获 得的温度要高,且温度梯度会随输入电流的大小发生变化。结合红外热像与电学测试法固有 特点的分析,指出两者的结合可以为OLED面板的热学设计与分析提供更具有指导意义的信息 。     

基于全变分扩展方法的压缩感知磁共振成像算法研究

针对全变分算法在压缩感知磁共振成像(CS-MRI)重构过程中存在阶梯效应的问题,该文研究3种基于全变分扩展方法的CS-MRI成像算法,即高阶全变分、总广义变分和组合稀疏全变分,并将其与平移不变离散小波稀疏基相结合,建立稀疏模型,采用快速复合分裂算法求解CS-MRI重构的凸优化问题。同时,讨论了全变分及其扩展方法对两种不同磁共振图像数据和径向欠采样模式重构CS-MRI的精度。实验结果表明,基于全变分扩展的重构算法能有效解决全变分重建中存在阶梯效应的缺点;另外,相比高阶全变分和总广义变分重构算法,组合稀疏全变分方法具有更好的重建效果,获得更高重构信噪比。     

Scanning electron microscopy study of the cross section of intermetallic compound in the solder ball on the plastic ball grid array package following reliability tests

The 63Sn-37Pb solder ball (φ=300 μm) was attached to gold-nickel-plated plastic ball grid array (PBGA) substrates, with gold and nickel thicknesses of 0.6 μm and 7 μm, respectively. The thickness of the intermetallic compound (IMC) in solder balls was measured following each instance of infrared (IR) reflow (90 sec at 230 °C), level II preconditioning, a pressure cooking test (for 96 h or 168 h), and a temperature cycle test (with 500 or 1,000 cycles). Scanning electron microscopy (SEM) was used to identify the cross-section sites of the solder balls following testing. Following all the reliability tests, the IMC demonstrated that an IMC thickness exceeding 5 μm will reduce the solder ball shear strength owing to diffusion of Ni into the solder balls.     

选择性生长技术制备GaN薄膜的研究进展

Ⅲ族氮化物化合物半导体GaN是目前半导体领域的研究热点之一,具有宽禁带、高温下物理、化学性质稳定等特点,在光电子、微电子等领域有广泛的应用.降低缺陷密度制备高质量的GaN外延层是生产高性能和高寿命GaN器件的关键,也是人们始终致力于研究的内容,本讨论对近年来发展的一种采用选择性生长技术生长GaN的方法、原理、进展情况进行了介绍.