Cd1-yZnyTe的Zn组分面分布及均匀性控制

随着HgCdTe红外探测器尺寸规模的扩大,晶格匹配的Cd1-yZnyTe衬底组份均匀性越来越受到重视。由于在CdZnTe晶体中Zn的分凝系数大于1,晶片中Zn组分分布不均匀,从而使HgCdTe外延薄膜不同区域因晶格失配而产生位错的情况不同, 精确测量CdZnTe衬底的Zn组分及其均匀性是十分必要的。高分辨率X射线衍射是精确测量晶格常数和Zn组分的有效方法之一,但不适合常规面分布测定,而采用红外透射光谱法则能够在短时间内及实验容许的误差范围内快速获得CdZnTe中Zn组份的分布。另外,对锭条上不同方位的晶片进行径向和横向面分布红外透射光谱测量,可为组份均匀性控制提供依据。     

多程腔中光强分布均匀性的测量

本文描述多程腔内扫描光束光强分布均匀性的计算和测量方法,讨论了光强分布均匀性的影响因素。     

微波炉功率,均匀性及安全性的测定

本文用国际电工委员会(IEC)建议的方法对市场上几种常见类型家用微波炉的输出功率、均匀性及安全性进行了更仔细的测定.由我们的工作得出结论:测量微波炉功率时,用2000g水作为负载较为合适,且负载面积应占腔体底面积的16%以上,此时测出的功率更准确和接近标称功率,而测定微波炉漏能时则应使用较小负载.转盘转动时负载的受热均匀性较转盘静止时提高约1倍.     

MCZ硅的氧碳含量及电阻率均匀性

在国产ＴＤＲ－５０ＡＣ单晶炉中使用外加磁场生长φ１００ｍｍＰ型单晶硅锭，利用扩展电阻探针技术及红外光谱术研究其Ｏ，Ｃ含量及电阻率均匀性随磁场强度的变化。     

钨丝中AKS—添加剂组分分布不均匀性

采用中子活化分析法测定ＷＯ３和ＷＯ２，金属钨粉和致密钨（坯）中标准ＡＫＳ－添加剂元素的含量。在还原序列ＷＯ３→ＷＯ２→α－Ｗ和致密钨中，根据变化系数估计各种相组份中铝，硅和钾含量分布很不均匀。致密钨中铝和硅变化系数的改变范围３０－５０％，而钾高达７０％。致密钨中的主要相是叶蜡石和硅线石型的铝代硅酸盐和刚玉。     

eMule系统中的非均匀性分布

eMule是一款流行的P2P软件,它拥有大量的用户。通过eMule中的KAD覆盖网络开发了一个爬虫,抓取了eMule系统中的节点信息。发现eMule系统中资源分布得非常不均匀,如节点所处的地区分布不均匀,IP分布不均匀,文件的副本数分布不均匀,用户共享的文件数分布也不均匀。文件的副本数分布和用户共享的文件数分布基本符合Zipf分布,但是这两个分布并不完全符合Zipf,有着自己独特的特性。     

锑化铟单晶杂质分布均匀性的研究

本文介绍通过生长锑化铟单晶的试验,得出在[111]方向生长时,改变生长条件可提高其径向不均匀度(最佳为59～88％)。而要进一步提高,则须改变生长方向,如在[112]、[113]、[115]和[001]方向生长时,由于(111)小平面移至截面边沿的很窄区域内,从而可大大改善横截面不均匀度(20～39％)和径向不均匀度(8～27％)。     

内热式多级连续真空炉炉温均匀性的测定及改善

内热式多级连续真空炉广泛应用于二元合金的分离中,但由于炉膛冷凝罩内温度均匀性差而影响了产品质量。真空炉温度控制水平不高是导致真空炉炉温均匀性差,制约真空炉广泛应用和发展的重要原因。本文以内热式多级连续真空炉温度控制为研究对象,利用模糊算法离线整定PID（由比例单元P、积分单元I和微分单元D组成的控制器）参数,得到了较为理想的控制效果。同时利用有限元法分析真空炉温度场分布规律并依此安装测量热电偶,在未加料的情况下测量结果表明：利用模糊算法整定PID参数后炉膛内各测试点温度偏差较改善前明显缩小,偏差降低率最小为2.38％,最大为6.35％。提高了真空炉冶炼合金的种类范围和产品质量。     

用散射套管改善泵浦光分布的均匀性

在固体激光器的许多重要应用中,往往对输出光束特性有一定的要求,例如:小的聚焦斑点,稳定的模体积或对称的横模结构等等.要达到这些要求,除固体激光器应具有特定的结构外,使工作物质处于泵浦光均匀照射之中,对于改善激光的输出特性显得很重要.     

强激光近场分布测量中科学级CCD 的非均匀性校正

首先分析了引起CCD 非均匀性的原因,将其归纳为两个方面,一为因制作工艺、材料、偏置等因素引起的空间噪声,二为CCD 响应特性随时间的漂移而引起的时间噪声,两者的共同作用将严重影响CCD 的测量性能。为了能够定量描述空间噪声和时间噪声对CCD 产生非均匀性的影响,文中基于CCD 光电响应曲线呈线性状态这一假设建立了CCD 光电响应的数学模型,然后在该模型的基础上提出了利用最小二乘法来估计校正系数,从而消除CCD 的非均匀性,实验证明该算法是有效的。     

热处理改善未掺杂LECGaAs中EL2分布均匀性的机理研究

本文以热处理方法研究了ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ中ＥＬ２径向分分布变化规律，着重研究了不同的热处理后冷却方式对ＥＬ２分布均匀性改善程度的影响，讨论了ＬＥＣＧａＨｓ中ＥＬ２分布不均匀性的起源及热处理改善ＥＬ２分布均匀性的机理．     

真空荧光显示管激发功率分布的均匀性分析

平板荧光显示管采用直丝阴极的结构方式使电子激发阳极荧光粉的功率分布不均匀，举例计算，在空间电荷限制区，头尾单元的激发功率相差３倍以上，正对阴极丝的地方与阳极上下沿的激发功率相差约３倍。制管中尺寸公差和工艺技术也会影响激发功率分布。调整栅阴极距离和采用适当工作电路可改善功率分布的均匀性；在结构条件允许时，采用校正电路可消除其不均匀性；较高的亮度水平可减轻或消除人眼对亮度不均匀性的视觉感受。     

砷化镓外延层纵向浓度分布均匀性的改善

一、引言为了改善砷化镓外延层浓度分布的均匀性,自70年9月开展了立式外延炉的工作,两年多来,做了一定工作,有了一些初步的认识。采用本设备,外延层的横向均匀性有所改善,在此基础上又采用汽相腐蚀方法,明显地改善了外延层的纵向浓度分布,获得的较均匀的材料有较好的重复性。用这种材料已制出的3公分耿氏二极管,输出功率一般在200～300毫瓦左右,效率3％;最高450毫瓦,效率4.9％。     

铜合金中的铜及精密合金中镍的测定

介绍应用示差分光光度法,测定铜合金中的铜,其方法选择铜氨络离子的吸收波长为610nm,铅含量小于1.5％时,进行高含量铜的示差分析。对精密合金中Ni的测定,是在氨性溶液中加入掩蔽剂拧檬酸铵以消除铁的干扰,在氧化剂存在下镍与丁二肟生成络合物用示差比色法测定。     

Cu—Zn合金中贝氏体预相变的电镜研究

尽管对β黄铜中的贝氏体相变已经作了大量研究,但其相变机制仍不清楚,主要可分为扩散控制的台阶机制与切变机制这二种观点,而且其争论正越演越烈。最近有人认为在母相的晶界、夹杂等处存在着应力场,溶质原子在应力场中定向扩散,产生了溶质原子贫化区,     

晶体中掺质分布均匀化的分析

本文分析了晶体中掺质的分布规律及其均匀化的问题,推算了保守体系中晶体掺质浓度随晶体变化的函数关系和提拉法生长掺质均匀的晶体对晶体生长速率和转动速率的具体要求。即: 式中:C_s——晶体中掺质浓度;k——掺质有效分凝系数;C_o——掺质初始浓度;W_o——体系中原料总量;W_s——任意时刻晶体的质量;f——晶体生长速率;f_o——晶体初始生长速率;ω——晶体转动速率;ω_o——晶体初始转速;D——掺质在熔体中的扩散系数;ν——熔体的运动粘滞系数。     

Cd Zn Te晶体中位错分布特性研究

用Ｅｖｅｒｓｏｎ腐蚀剂对ＣｄＺｎＴｅ材料的位错进行了腐蚀显示和观察,并对产生的腐蚀坑密度（ＥＰＤ）进行了统计分析,结果发现在同一样品表面不同位置上或在同一晶锭中不同区域内的位错密度分布都满足修正的瑞利分布．根据这一分布规律,从理论上得到了如何正确计算ＣｄＺｎＴｅ材料ＥＰＤ值的抽样检查方法,并就这一分布规律对材料性能及其探测器光敏元大小选取的影响进行了讨论．     

热处理改善未掺杂LEC GaAs中EL2分布均匀性机理的研究

根据ＥＬ２分布的热处理行为和Ａｓ沉淀分布特征的实验结果，讨论了Ａｓ沉淀对ＥＬ２分布的影响和热处理改善ＥＬ２分布均匀性的机理。