Cd_(1-x)Mn_xTe基本吸收边的研究

报道了用透射法在10～300K温度范围内测量不同组分(x=0.007、0.20、0.30和0.45)Cd_(1-x)Mn_xTe的基本吸收边,结果表明,能隙随温度线性变化,能隙的温度系数为负并显著地随Cd_(1-x)Mn_xTe混晶的组分变化。     

Cd_(1-x)Mn_xS高压吸收光谱

采用流体静压力,在室温和低温下测量了三元混晶半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xS的吸收光谱.室温下获得了Cd_(1-x)Mn_xS光吸收边的一阶和二阶压力系数,并且在吸收边尾部发现一个大的吸收带尾,随着组分x增加,压力系数下降,带尾增强,同时在高压下观察了Cd_(1-x)Mn_xS的压力相变过程.在77K下,高组分混晶Cd_0.67Mn_0.33S吸收光谱中出现两个Mn~(2+)吸收峰,测量了它们的压力系数,并用晶体场理论讨论了实验结果.     

半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe压力光致发光研究

采用金刚石对顶砧压机,在77K和不同压力下测量了半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe(x=0.25,0.40,0.60)的光致发光光谱.分别在x=0.25和x=0.40的Cd_(1-x)Mn_xTe和Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中观察到两种不同性质的复合发光。根据发光峰的能量位置及其随压力的变化可以判定在Cd_(0.75)Mn_(0.25)Te和Cd_(0.6)Mn_(0.4)Te中的发光峰对应于带间复合发光,而Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中的发光峰对应于Mn离子3d↓能级到杂化价带的复合发光.     

CdTe和Cd_(1-x)Mn_xTe吸收边的压力效应

在0～42kbar范围内测量了CdTe的吸收边随流体静压力的漂移。在33～35kbar之间,观察到一个结构相变,在此后直到42kbar范围内,在5800～25000 cm~(-1)之间不再能测到吸收边,从吸收边形状可以判断:闪锌矿结构的CdTe的最小能隙在T点,即为直接禁带。吸收边随压力向高能方向(蓝移)的移动速率为dE_g/dP=6.85×10~(-3) eV/kbar。     

Cd_(1-x)Mn_xTe光学吸收边的压力效应(英文)

For the Mn-substituted CdTe semiconductors, the anomaly of the concentration-independent optical absorption edge at about 2.0-2.3eV is studied by using the method of linear combinations of atomic orbits. Results show-that at the optical absorption edge, the p-d excitations may occur at higher Mn concentration and that the pressure behavior has the negative effect having the similarity as that of Mn intra-d excitations. The physical reasons of the negative pressure effect of the p-d transition are discussed and the numerical calculated result of the pressure coefficient for Cd0.5Mn0.5 Te is in excellent agreement with the experimental data.     

半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe的磁光开关效应

在半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe中实现了不需改变施加磁场方向的新型磁光开关效应,该效应是由Cd_(1-x)Mn_xTe的巨大法拉弟效应和磁光反馈系统的饱和特性产生的。讨论了该效应用于光控、温控磁光开关及混合型磁光光学双稳态的可能性。     

Cd_(1-x)Zn_xTe和Cd_(1-y)Hg_yTe系的品格匹配

由于ZnTe具有比CdTe位错密度低,缺陷浓度低,机械强度高等优点,尤其是通过调节zn的含量,可使Cd_(1-x)Zn_xTe晶格常数与各种组份的Cd_(1-y)Hg_yTe的晶格常数相匹配。因此普遍认为Cd_(1-x)Zn_xTe是代替CdTe作为Cd_(1-y)Hg_yTe晶体液相外延衬底的一种较希有     

三元系Cd_(1-x)Zn_xTe晶体生长

将三种元素一次合成,然后用布氏法长晶工艺生长CdZnFe单晶.得到x=0～0.15的若干晶体,全单晶直径为15～17mm,长度大于40mm,晶体结构致密,单个晶粒的自然介理面尺寸为13×20mm~2,光滑如镜,晶体外观无气泡。用“321”晶界腐蚀剂显示没有发现明显的孪晶线。扫描电镜观察未发现Te的沉积相及金属夹杂相。用X射线粉末法测量了     

Cd_(1-x)Zn_xTe和Cd_(1-y)Hg_yTe系的晶格常数的测定

本文给出含Zn量0.00≤x≤0.10的Cd_(1-x)Zn_xTe晶体晶格常数对组分x的变化曲线,并与三元系 Cd_(1-y)Hg_yTe晶体晶格常数进行比较.分别计算了 Cd_(0.094)Zn_(0.036)Te-Cd_(0.2)Hg_(0.3)Te和CdTe-Cd_(0.2)Hg_(0.3)Te双晶系的晶格失配度,讨论了其晶格匹配.     

红外探测器新材料Hg_(1-x)Mn_xTe、Hg_(1-x)Zn_xTe及其他半导体合金

本文介绍了HgMnTe、HgZnTe等新型红外探测器材料的特性,与传统的HgCdTe合金材料的性能进行了比较,指出这些新型红外探测器材料是有发展前途的,但要实用尚需进行许多重要工作。     

窄禁带半磁半导体Hg_(1-x)Mn_xTe的磁化强度

本文报道用提拉法测量Hg_(1-x)Mn_xTe单晶磁化强度的实验结果.在低温1.5K-30K范图内,磁场强度为0-7万高斯下,测量了不同组分x=0.06,0.08,0.12,0.16的Hg_(1-x)Mn_xTe磁化强度与组分,温度和磁场强度的关系.采用分子场近似模型,用类布里渊函数,最小二乘法对实验结果进行了拟合和分析.结果表明在本文x值范围内,理论与实验符合较好,证实了锰离子间存在强的反铁磁交换耦合.     

混晶Zn_(1-x)Mn_xSe的远红外光谱

通过测量混晶半磁半导体Zn_(1-x)Mn_xSe(x-0.31,0.18)在远红外波段20～7000m~(-1)的反射与透射光谱,观察到了类ZnSe和类MnSe光学声子的频率与组份的异常关系,应用等位移模型具体地分析了混晶的晶格力常数与有效电荷的组份异常关系,并定性讨论了这些异常关系的物理起源。     

稀磁半导体Cd_(1-x)Mn_xS磁化率的研究

用振动样品磁强计和提拉法在1.5K≤T≤300K温度范围内系统测量了组分为0.03≤x≤0.45的Cd_(1-x)Mn_xS稀磁半导体单晶样品的磁化率.磁化率测量表明在高温区服从居里-外斯定律。从定量分析得到Mn~(++)离子间交换积分常数值.低场磁化率与温度变化规律(最低温度达1.5K)表明当样品x≤0.2时,体系仍然为顺磁态;而当样品组分x=0.3时,经零场冷却后磁化率在温度T_f处观测到一个尖峰,对x>0.3样品亦得到类似结果,只是磁化率在不同冻结温度T_f处对应一个较宽的峰。这些结果说明在低温区发生从顺磁态到自旋玻璃态的相变.文中给出Cd_(1-x)Mn_sS的磁相图并对此作了讨论.     

使用分子束外延Hg_(1-x)Mn_xTe的生长及其特性

在HgCdTe三元系中由于Cd不稳定而减弱了Hg-Te键合,人们开始研究镉的替换物。其中,Mn是替换物的候选材料之一。即便目前还不清楚Mn是否能稳定Hg-Te键合,但由于Mn的磁学性质使得Mn是一种诱人的材料。因为Mn的未充满的3d壳层内有五个电子,其局限化磁矩将同带电子发生强相互作用而改变机制。Hg_(1-x)Mn_xTe基本上具有     

丝网印刷Cd_(1-x)Zn_xTe半导体电阻的研究

丝网印刷Cd_(1-x)Zn_xTe半导体厚膜电阻,具有较好的光敏性,且响应光谱范围较宽(可从近紫外到近红外)。其阻值和响应光谱波长,可用调节锌镉比来控制。这种电阻,可广泛用于各种光控电路。将它与Cd_(1-x)Zn_xS组合一起,可制成性能较好的太阳能电池。     

Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te液相外延的优质衬底——Cd_(1-x)Zn_xTe的晶体生长及应用

用改进型垂直布里奇曼法(VMB)生长出的Cd_(1-x)Zn_xTe (X=0.04)梨晶,切成具有单晶的薄片面积大达10～12cm~2,本文还对它代替CdTe用作液相外延生长HgCdTe的衬底,作了评价。与典型的CdTe晶体相比,CdZnTe晶体的缺陷密度较低、机械强度较好,并大大改善了在CdZnTe上生长的HgCdTe液相外延层的宏观与微观形态。CdZnTe衬底上生长的液相外延层的表面形貌表明,它与取向的关系,比在CdTe衬底(取向接近于{111}的平面)上生长的外延层与取向的关系更小。Zn加到CdTe晶格中可以使共价性增加,离子性降低,这样就抑制了范性形变和位错的产生。这些因素的组合能把晶格常数调整到两个极值范围内的任何所需要的值,这样就可以生长高性能红外探测器阵列所要求的低缺陷密度的HgCdTe外延层。通过缺陷腐蚀、红外显微镜检查、X射线摆动曲线分析和X射线形貌测量,对衬底和外延层的质量作了评定。     

半磁半导体Hg_(1-x)Mn_xTe中横向磁阻的反常行为(英文)

<正> The transverse magnetoresistance in semimagaetic semiconductor Hg1-x MnxTe has been studied with the aid of the Vander Pauw method. The measurements were carried out in magnetic fields up to 7T and at the temperatures of 1.5-20K.     

高阻值Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的生长及其性能测试

通过适当的工艺措施,采用Bridgman法生长了直径为30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd0 9Zn0 1Te晶锭.测试结果表明:该晶锭结晶质量良好,位错密度低,成分均匀,杂质含量低,红外透过率和电阻率都十分接近本征Cd0 9Zn0 1Te的值.并从晶体的生长特性、缺陷和杂质的角度,分析了生长高性能晶体的条件,研究了生长Cd1-xZnxTe晶体的x值与缺陷和杂质浓度之间的关系     

Hg_(1-x)Mn_xTe:红外探测器材料的一种新的侯选者

美国印第安纳州普杜大学物理系J.K.Furdyna在《SPIE》Vol.409(1983)上介绍一种新型材料Hg_(1-x)Mn_xTe,并将它与大家熟知并公认为目前最有前途的材料Hg_(1-x)Cd_xTe相比较。Hg_(1-x)Mn_xTe与Hg_(1-x)Cd_xTe这两种半导体材料有许多相似之处。在材料结构和晶体特性方面,Hg_(1-x)Mn_xTe也是一种优质的闪锌矿结构晶体,生长方法亦类似,只是Hg_(1-x)Mn_xTe的     

Cd_(1-x)Zn_xTe多晶薄膜的制备、性能与光伏应用

用共蒸发法制备了 Cd1 - x Znx Te多晶薄膜 ,薄膜结构属立方晶系空间群 F4 3m.通过透射光谱的测量 ,计算光能隙 ,得到室温时薄膜的光能隙随组分 x值的变化满足二次方关系 .作为对异质结界面的修饰 ,提出了有 Cd1 - x-Znx Te过渡层的 Cd S/ Cd Te/ Cd1 - x Znx Te/ Zn Te∶ Cu电池 .并在相同工艺下制备了 Cd S/ Cd Te/ Cd0 .4 Zn0 .6 Te/ Zn Te∶ Cu与 Cd S/ Cd Te/ Zn Te∶ Cu太阳电池 ,发现前者比后者效率平均增加了 35 .0 % .