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相似文献
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1.
分布反馈式半导体激光器耦合系数计算与垂向结构设计   总被引:1,自引:1,他引:0  
罗毅  蒲锐  彭吉虎 《半导体学报》1995,16(4):241-247
本文推导出增益耦合型分布反馈式(DFB)半导体激光器TE、TM模耦合系数K的计算公式.分析了DFB激光器的横模,讨论了k与DFB激光器横模、光栅级数、占空比及吸收光栅层厚的关系.最后得出含吸收光栅的GaAlAs/GaAs增益耦合型DFB激光器在采用三级光栅时的优化设计结果为:占空比0.16,吸收层厚50um.  相似文献   

2.
目前实验证明,由分子束外延生长的应变层GaInAs渐变折射率分别限制异质结(GRIN SCH)量子阱激光器,其性能相当于或优于OMVPE生长的激光器。提高MBE生长的激光器性能主要是优化生长条件,该结论来自以前生长应变调制掺杂FET的应变沟道。在此,我们将讨论GaAsIn/GaAs应变层结构的生长条件,这些应变层材料的特点以及在此条件下生长的激光器的直流和微波特性。  相似文献   

3.
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)和二次液相外延(LPE)生长的InGaAs/GaAs应变层量子季阱激光器深中心行为.在MBE激光器的n-AlxGa1-xAs组分缓变层和限制层里,除众所周知的DX中心外,还观察到有较大俘获截面的深(空穴、电子)陷阱及其相互转化.这些陷阱可能分布在x从0到0.40和x—0.40的n-AlxGa1-xAs层里x值不连续的界面附近.而在LPE激光器的n-AlxGa1-xAs组分缓变层和限制层里,DX中心浓度明显减少,且深(空穴、电子)陷阱消失  相似文献   

4.
本文报道了采用选择区域生长(Selective area growth, SAG)方法,在 SiO2作掩膜的 InP衬底上选择生长出高质量的 InGaAsP-MQW,并成功地制作出波长调谐范围达 6.5 nm的可调谐 DBR激光器和性能可靠的电吸收调制DFB激光器.SAG成为实现光子集成器件的有效途径,得到广泛的研究,并已实现了DFB激光器与电吸收调制器的单片集成 (electroabsorption modulated DFB Laser, EML).我们在国内率先开展这方面的研究,并取得重大的突破. 采用 …  相似文献   

5.
用MBE和原位离子束光刻技术制备的2DEG基区热电子晶体管据《IEEEE.D.》42卷第6期报道,S.G.Ingram等以GaAs/AlGaAs系统材料,将原位聚焦离子束(FIB)隔离技术与MBE再生长工艺相结合,克服了需要形成不同传导层之选择欧姆接...  相似文献   

6.
通过对分子束外延(MBE)中影响GaAs、AlGaAs材料生长的一些关键因素的分析、实验与研究,得到了具有很好晶格完整性和高质量电学、光学特性的GaAs、AlGaAs单晶材料,实现了75mm大面积范围内的厚度、组分和掺杂等的很好均匀性.研制了高质量的GaAs/AlGaAs量子阱超晶格材料,并应用于量子阱激光器材料的研制,获得了具有极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的高质量量子阶激光器外延材料.  相似文献   

7.
在10K低温下对分子束外延(MBE)生长的CdTe(111)B/GaAs(100)/CdTe(211)B/GaAs(211)B外延膜进行了光致发光(PL)测量,得到了PL谱和带边激子辐射的精细结构.计算得到束缚激子的半峰宽(FWHM)分别为0.2~0.smeV和1~2meV.实验结果表明外廷膜的质量和生长工艺均良好.  相似文献   

8.
对影响分子束外延( MBE) 材料生长的一些主要因素进行了细致的分析。利用MBE生长出GaAlAs/GaAs 梯度折射率分别限制单量子阱激光器(GRIN- SCH- SQW) 材料。利用该材料制作出的列阵半导体激光器的准连续输出功率达到了60 W(t= 200 μs,f= 50 Hz) ,峰值波长为808 .4 nm 。  相似文献   

9.
陈效建 《电子学报》1998,26(11):120-123
讨论了毫米波低噪声PHEMT的设计要点,藕助Schroedinger/Poisson方程及器件方程,进行了Ka波段AlGa/InGaAs低噪声PHEMT用异质层数值计算及CAD优化,确定出分子束外延MBE时诸层的最佳组分、浓度、与厚度、上述优化分析的结果用于器件的实验研制,取得了34.4GHz下噪声系数(NF)1.92dB、相关增益Ga6.5dB的国内最好结果。  相似文献   

10.
本文报道了一种含新型载流子注入光栅的1.55μmInGaAsP/InP应变多量子阱分布反馈(DFB)激光器.我们对该器件的掺杂与结构进行了优化,增强了载流子阻挡光栅的作用,得到了很强的增益耦合.利用LPE和MOCVD混合生长,在器件端面无镀膜的条件下获得了很高的单模成品率.  相似文献   

11.
利用MBE生长的GaAs/AlxGa1-xAs折射率渐变-分别限制-多量子阱材料(GRIN-SCH-MQW),经液相外延二次掩埋生长,制备了阈值最低达2.5mA(腔面未镀膜),光功率室温连续输出可达15mW/面的半导体激光器.经腔面镀膜后,器件已稳定工作4500多小时.  相似文献   

12.
本文报道了一种含新型载流子注入光栅的1.55μmInGaAsP/InP应变多量子阱分布反馈(DFB)激光器.我们对该器件的掺杂与结构进行了优化,增强了载流子阻挡光栅的作用,得到了很强的增益耦合.利用LPE和MOCVD混合生长,在器件端面无镀膜的条件下获得了很高的单模成品率.  相似文献   

13.
采用VarianGenⅡMBE生长系统研究了InGaAs/GaAs应变层单量子阶(SSQW)激光器结构材料。通过MBE生长实验,探索了In_xGa_(1-x)tAs/GaAsSSQW激光器发射波长(λ)与In组分(x)和阱宽(L_z)的关系,并与理论计算作了比较,两者符合得很好。还研究了材料生长参数对器件性能的影响,主要包括:Ⅴ/Ⅲ束流比,量子阱结构的生长温度T_g(QW),生长速率和掺杂浓度对激光器波长、阈值电流密度、微分量子效率和器件串联电阻的影响。以此为基础,通过优化器件结构和MBE生长条件,获得了性能优异的In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层单量子阱激光器:其次长为963nm,阈值电流密度为135A/cm ̄2,微分量子效率为35.1%。  相似文献   

14.
用MOCVD在(100)、GSMBE在(100)和(111)BGaAs上生长了GaInP外延层.PL测试表明,(100)衬底上GaInPPL峰的能量比计算的带隙分别小43(GSMBE生长)和104meV(MOCVD生长).用Kurtz等人的模型对MOCVD和GSMBE生长的GaInP中有序度的不同进行了解释.并讨论了衬底晶向对GaInP中有序程度的影响.  相似文献   

15.
采用无GaAs缓冲层,低温+常规的方法在GaAs(100)衬底上进行了InSb薄膜的分析束外延(MBE)生长,测试了样品的双晶X射线衍射半峰宽(FWHM),电学霍尔(Hall)特性及红外透射谱。通过大量的实验发现:不生长0.5μmGaAs缓冲层,同样可生长出电学性能及红外透过率都较理想的样品,这可缩短材料的生长周期,降低生产成本,对将来器件的批量制作有一定的意义。  相似文献   

16.
用分子束外延技术生长了InGaAs/GaAs异质结材料,并用HALL效应法和电化学C-V分布研究其特性。讨论了InGaAs/GaAs宜质结杨效应晶体管(HFET)的优越性。和GaAs MESFETS或HEMT相比,由于HFET没有Al组份,具有低温特性好,低噪声和高增益等特点。本文研究了具有InGaAs/GaAs双沟道和独特掺杂分布的低噪声高增益HFET。  相似文献   

17.
掺铒光纤激光器的热效应邱明新,M.A.Rebolledo,J.M.Alvarez,S.Jarabo,D.Booth(上海市激光技术研究所200233)ThermalEffectsinErbiumDopedSilicaFiberLasers¥QiuMi...  相似文献   

18.
利用GaAsMESFET功率特性的线性化模型,求出GaAsMESFET近似最佳功率负载阻抗,为利用谐波平衡法计算提供初值。然后,使用自行研制的谐波平衡分析软件包,进行GaAsMESFET大信号模型参数的提取和非线性电路模拟计算。将两只总栅宽为9.6mm的GaAsMESFET管芯,利用内匹配功率合成技术,在C波段(5.5~5.8GHZ)制成1dB压缩功率大于8W,典型功率增益9dB的GaAsMESFET内匹配功率管。  相似文献   

19.
本文利用X光双晶衍射的动力学理论对垂直腔面发射激光器(VCSEL)的分布布喇格反射境(DBR)的特性曲线进行了模拟研究.从中得到DBRAlAs/AIxGa1-xAs的厚度及组分x值,应用所得到的这些数值进行光学薄膜反射谱的模拟计算,并与实验所测得的DBR反射谱进行比较,得到了证实.我们应用这套方法指导VCSEL外延片的生长,获得了良好的结果.  相似文献   

20.
文章报道了用分子束外延(MBE)法在600℃和650℃下,在Si掺杂的GaAs衬底的(311)A和(311)B面上成功地生长了高质量的AlxGa1-As/GaAs单量子阱材料。计算了光荧光(PL)峰值能量,并与实验作了比较。讨论了(311)A和(311)B面上的不同生长特性。  相似文献   

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