一种多幅单视角图像的双投影柱面全景图生成算法

提出一种多幅单视角图像的双投影柱面全景图生成算法.首先对多幅单视角图像进行正投影,形成一幅空间柱面形状的立体图像;其次对图像重叠部分的对应特征区域进行匹配和接合来实现图像无缝拼接;最后把得到的空间柱面立体图像在圆柱体侧面的任意一个切平面上反投影展开,即可生成一幅360度柱面全景图.实验表明,该算法运算量较小,能快速、有效的生成柱面全景图.     

群柱失稳研究进展

首先对群柱平面内稳定性进行论述,通过算例分析简单阐述了同层框架柱以及层间框架柱的相互作用机理,并对各国学者在此方面的研究工作进行了总结;然后着重讨论了通高区结构群柱面外稳定问题,包括平面框架（矩形通高区）和曲面框架,其中对平面框架的群柱面外稳定设计方法的研究相对成熟,而对于面外支撑效果更强的曲面框架,通过算例分析了其失稳机理;最后对在高层筒中筒结构和塔结构中大量使用的网格式筒壳结构的群柱稳定问题进行了探讨。结果表明：网格式筒壳结构不同于平面框架,其在失稳时表现出明显的空间变形特性,使得网格式筒壳结构群柱面外稳定设计理论的研究变得非常复杂;各国研究成果较少,严重滞后于工程应用,亟待进一步解决。     

压敏电阻非欧姆特性的研究

本文对压敏电阻的非欧姆特性做了一定分析。ＺｎＯ压敏陶瓷电阻内可形成晶界偏析和晶界空间电荷区，利用空间电荷限制电流理论可解释压敏电顺的非欧姆特性。     

Ce：KNSBN晶体中双光束耦合衍射效率的研究

对光折变晶体的衍射效率进行了理论性的分析研究,并以晶体Ｃｅ：ＫＮＳＢＮ为对象,其光生载流子的迁移机制在空间电荷场形成过程中以扩散为主,进行了实验上的探索。     

质点在绕水平轴等速旋转一般柱面型叶片上运动的微分方程

一、前言 质点在绕水平轴等速旋转叶片上运动的分析,是许多农业机械(如旋耕机、旋转犁、铲抛机、抛掷风扇等)工作部件性能设计的理论基础。 目前关于质点在绕水平轴等速旋转平面型叶片上运动的分析比较多。但是,并非所有叶片都能简化成平面型叶片的问题来分析。对于一般柱面型叶片,当叶片的曲率比较大时;或叶片的曲率不太大,但叶片较长时;或要求比较精确的运动分析时,不宜简化成平面型叶片来处理,则必须用质点在绕水平轴等速旋转一般柱面型叶片上运动分析理论来分析。平面型叶片只是一般柱面     

平面近场扫描技术及其测量系统

简要介绍了平面近场扫描原理,据此研制成功的测量系统的可实现平面,柱面等多种方式的近场扫描,近远场变换以及数据分析和各种终端处理。     

具有高频高压大电流优值的超结集电区SiGe HBT

为了在兼顾特征频率( fT )和电流增益(β)的情况下有效提高器件的击穿电压( BVCBO/BVCEO ),利用SILVACO TCAD建立了npn型超结集电区SiGe异质结双极晶体管( heterojunction bipolar transistor,HBT)的器件模型.研究表明：通过在集电结空间电荷区( collector-base space charge region,CB SCR)内引入p型超结层可有效降低“死区”内的电场强度,使较高的电场强度转移至“死区”外较深的CB SCR内,进而在几乎不增加CB SCR宽度的情况下抑制碰撞电离,达到提高击穿电压、改善fT和β的目的.随着p型超结层厚度( dp )的增加,击穿电压BVCBO和BVCEO的改善也越明显.但dp值需优化,较大的dp值将引发Kirk效应,大幅降低器件的fT和β.进一步通过优化p型超结层的dp值,设计出一款dp为0.2μm且具有高频高压大电流优值( fT ×BVCEO ×β)的新型超结集电区SiGe HBT.结果表明：与传统SiGe HBT相比,新器件的fT ×BVCEO ×β优值改善高达35.5%,有效拓展了功率SiGe HBT的高压大电流工作范围.     

有序锥形孔氧化铝模板的制备及其表征分析

阳极氧化铝(AAO)模板具有高度有序的纳米孔阵列,在制备一维纳米材料方面有广泛的应用,阳极氧化铝模板法是制备纳米线及纳米管的重要方法。文章基于二次阳极氧化的方法实验制备了柱面氧化铝模板,围绕氧化铝模板纳米孔径的大小和有序性,利用扫描电子显微镜(SEM)对所形成纳米孔的形貌特征进行观测,并与平面阳极氧化铝模板的纳米孔进行比较,分析了氧化铝模板表面纳米孔的生长情况及其形成机理。结果表明:高度有序的锥形纳米孔阵列会沿着柱面直径辐射生长;纳米孔没有出现弯曲和分叉现象,柱面AAO模板内外表面纳米孔径大小分别为40和55 nm;纳米孔径变化率为0.5 nm/μm,膜厚约为30μm,通过调整柱面铝片的曲率半径和阳极氧化时间,可以控制锥形纳米孔径大小范围在60~120 nm之间。     

集成电路制备中金属杂质与微缺陷自吸除

用高温扩散法制备集成电路,结区会造成金属杂质聚集与晶体缺陷大量导生,这将导致结电特性降低和集成电路失效。本文通过实验分析了在集成电路制备中快速扩散金属杂质和晶体缺陷的一些重要规律特性。根据这些规律特性和双极型集成电路制备的工艺特点,对扩散版图进行了特殊设计;实现了在集成电路制备过程中对快速扩散金属杂质与微缺陷的自吸除,对提高集成电路成品率、产品质量和减少失效均获得了显著效果。本文最后还对浓硼区吸除微缺陷的机理模型进行了探讨。     

绿色屋顶系统影响下建筑街区风-热压混合驱动通风性能研究

采用计算流体力学（computational fluid dynamics,CFD)方法深入探讨了高宽比H/W=1下街道峡谷中不同绿色屋顶系统布置方式(建筑屋顶、迎风侧、背风侧或不布置)对城市冠层内气载污染物的扩散和流场结构特性的影响,并引入无量纲参数Rb作为衡量街道峡谷内热浮升力和惯性风场作用力的强度比。数值模拟结果表明,绿色屋顶系统对建筑墙体表面的冷却作用对街道峡谷内的热浮升力分布具有显著影响。在4种布置方式中,迎风侧的布置方式对污染物扩散最为有利;在背风侧的布置方式下,部分气流不参与循环,主涡旋与角涡旋间形成了“自由流动区”;在屋顶布置条件下,街道峡谷损失了部分向上的热浮升力,污染物扩散情况最差。     

基于微元柱面法的机床圆柱固定面等效参数预估模型

为实现机床圆柱固定结合面等效参数的预测,提出了一种基于微元柱面法的预估模型。基于微元平面法的预估模型虽可对圆柱固定结合面等效参数进行一定程度的预估,但其在矢量方向及微观角度的表征具有局限性;依据微元柱面法获得的等效旋转接触刚度及等效轴向接触刚度预估模型,与圆柱固定面的实际接触情况更吻合,弥补了微元平面法的不足;最后对该预估模型的应用作出示例。     

基于可动电荷的SiGe HBT势垒电容

当SiGe HBT处于交流放大状态时,发射结空间电荷区和集电结空间电荷区存在可动电荷,因此,在考虑它们的势垒电容时,应采用微分电容．另外,集电结势垒区宽度与电流密度密切相关,依据电流密度该电容有3种情况．在SiGe HBT载流子输运基础上,建立了考虑发射势垒区载流子分布的势垒电容模型和不同电流密度下的集电结势垒电容模型．     

工艺参数对一种镍基单晶高温合金TLP接头组织的影响

研究了用Ni-Cr-B中间层合金在不同连接温度和连接时间条件下TLP连接一种镍基单晶高温合金,观察其接头组织变化。TLP接头分为三个典型的区域:接头中心的共晶区、位于共晶区两侧的等温凝固区和位于基体中的扩散影响区。接头中心形成Cr2B+γ和Ni3B+γ两种共晶;等温凝固区为γ镍基固溶体;在扩散区上形成M3B2析出相。随连接温度的升高或连接时间的延长均有助于共晶区硼化物析出相的分解和扩散,促进等温凝固界面由接头两侧向接头中心生长,促使扩散影响区的析出相继续长大并向基体内扩散。     

用拓扑变换法求解曲面相交问题

本文用拓扑变换法解决了用辅助截平面法，球面法，柱面法等不能解决的曲面相交问题，它拓广了曲面相交问题的解题思路。     

掺铁铌酸锂晶体光折变形成机制的研究

文章研究了掺铁铌酸锂晶体在激光辐射下的电荷输运迁移 ,探讨了光折变过程中光生载流子的漂移、扩散、光致电压以及空间电荷场的动态过程。提出了其光致折射率变化的机制主要是由光生伏特效应决定。并且通过晶体准击穿时的光折变和衍射光强随时间的变化关系 ,从实验上进一步说明了掺铁铌酸锂晶体的光折变形成机制。     

初始缺陷对单层柱面网壳稳定性的影响

通过结构非线性分析程序ＳＮＡＰ，利用“一致缺陷模态法”对单层柱面网壳结构进行了全面和系统的初始缺陷分析，选取了不同几何尺寸的单层柱壳，不同的荷载分布形式，考虑不同大小的初始几何缺陷，最后着重讨论了初始缺陷对单层柱面网壳稳定性的影响，对单层柱面网壳结构的设计有一定的指导意义。     

柱面展开在安全套表面缺陷检测中的应用

为了提高安全套的工业化生产,利用机器视觉来代替人工检测安全套表面缺陷.柱状物体由于自身形状的原因,图像两侧边缘部分存在着不同程度的信息压缩,针对模具棒上安全套图像边缘存在的压缩问题,建立了数学模型并进行了计算.基于柱面投影原理,推导了柱面正投影表达式,得到了柱面反投影公式.根据该公式实现了柱面展开,解决了图像两侧边缘压缩导致的缺陷不易检测问题.结果表明,该方法可以准确检测出安全套的表面缺陷.     

对电子束聚焦中空间电荷效应的解析

介绍了空间焊接中空间电荷效应对空间电子束聚焦的影响，提出了计算电子枪主透镜区空间电荷密度的流管法和计算机辅助设计方法．通过编程计算表明这种计算方法是可行的，从而为设计空间电子束焊枪的电聚焦系统提供了理论依据。     

平面、柱面和球面上面脉动荷载的计算方法

利用相关分析方法,详细讨论了作用于水工建筑物的平面、柱面和球面上的边壁脉动压力的点、面转换关系,推导出面脉动荷载的解析表达式.该成果对工程设计工作具有指导意义.     

双侧金属接触半绝缘GaAs的电传输特性

对双侧金属接触半绝缘GaAs(MSM)结构的电特性进行了模拟计算,包括不同外加偏压和不同载流子注入接触时的空间电荷分布以及电子和空穴电导率分布,在此基础上分析研究了接触处空间电荷区随外加电压的变化对这种结构的I－V特性的影响。