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红外技术2001 红外用优质 HgCdTe 等温生长法的改进A modified approach to isothermal growth ofultra high quailty HgCdTe for infrared applicat-ions,P.Becla,J.Electrochem Soc.,1981.Vol.128,№,5,pp.1171-1173.用等温生长法在 CdTe 衬底上生长的 Hg_(1-x)Cd_xTe 外延层具有镜面状表面形态,高径向组分均匀度和突出的电子特性(即 x 接近0.15的电子迁移率数值为500000厘米~2/伏秒)。生长法新特点是利用富碲 HgCdTe而不是以前采用的 HgTe(或化学配比 Hg_(1-x)Cd_xTe)作     

Hg_(1-x)Cd_xTe的分子束外延生长及特性

在用分子束外延法(MBE)生长Hg_(1-x)Cd_xTe合金系时要特别重视这种材料的下述特性:(1) 在150℃以上,组分值x为0.2～0.3的Hg_(1-x)Cd_xTe会很快分解并变得非常不一致;(2) 汞的粘附系数很低,小于0.03;(3) 汞蒸汽压很高。由于Hg_(1-x)Cd_xTe合金系的分解速度随温度降低而快速下     

Hg1—xCdxTe组分x的横向均匀性

根据Hg_(1-x)Cd_xTe的吸收边规律,建立了从室温下体材料Hg_(1-x)Cd_xTe大光斑透过曲线确定样品平均组分x_0和均方差Δx的方法及计算软件.     

等温生长超高质HgCdTe的新方法

用等温生长方法在CdTe衬底上生长的Hg_(1-x)Cd_xTe外延层,具有似镜面一般的表面形态、高的径向组份均匀性和优良的电学特性(例如x值在0.15附近,电子迁移率为500,000厘米~2/伏秒)。这一生长工艺的新特点是采用富Te的HgCdTe作源材料,不象以前那样采用HgTe(或化学计量的Hg_(1-x)Cd_xTe)。改变源材料的组份和生长温度能得到所要求的组份值。利用一根热管可以高度精确地控制温度,又能使液相(即源)和气相中对流减到最小。     

红外探测器材料特性和先进的制备方法

麦克唐奈·道格拉斯研究所根据1978年12月5日生效的 NASA(美国宇航局)NAS8-33107号合同,对 Hg_(1-x)Cd_xTe 合金作了研究。这个计划的目的是定量地确定在地面生长的 Hg_(1-x)Cd_xTe 的性能,以此为基础来评价空间生长材料性能的改善,并提供了为评价所需的理论分析方法。本研究包括 Hg_(1-x)Cd_xTe 合金组分为0相似文献   

未掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe中杂质的鉴别和研究

引言当x值大于0.15时,Hg_(1-x)Cd_xTe材料为一种本征半导体。由于禁带宽度随组分x连续变化,故能设计出在1～14微米波长内具有理想性能的Hg_(1-x)Cd_xTe探测器。尽管这种合金系统具有接近本征的载流子浓度,然     

用光截止法测量Hg_(1-x)Cd_xTe的横向组分均匀性

本文提出一种测量Hg_(1-x)Cd_xTe横向组分均匀性的简便方法。该方法以相当可靠的黑体辐射公式为基础,利用Hg_(1-x)Cd_xTe样品本身的光截止特性,测量样品的截止波长,再用E_(?)-X经验公式求出样品的组分X。通过对样品的二维扫描,可求得Hg_(1-x)Cd_xTe横向组分的面分布。透光因子的定义     

HgCdTe外延层的最佳等温生长

首次在“原生态”中(而不是在富汞气氛下)经过一般的生长后退火处理,获得了具有低载流子浓度和高载流子迁移率的n型Hg_(1-x)Cd_xTe外延层。这一成就是基于:等温生长时,只要用一定组分的源材料在一定温度下就能长出具有特定组分和最佳电学性质的Hg_(1-x)Cd_xTe外延层。而且这些外延层呈现出镜面般的表面状态,其组分无论径向或轴向(深度达到大约15微米)都是很均匀的。     

用红外光吸收法测定Hg_(1-x)Cd_xTe组分

在室温下测量了组分x=0.170～0.443的Hg_(1-x)Cd_xTe薄样品的本征吸收光谱,并采用参考文献[4][5]中的方法确定其禁带宽度,发现与禁带宽度相当的能量处的吸收系数为α(E_g,300K)=500 5600x。把该式作为用红外光吸收法测定Hg_(1-x)Cd_xTe组分的工作曲线,先测出未知组分的Hg_(1-x)Cd_xTe厚样品的吸收边,并延长到α(E_g,300K)处,得到E_g(300K)后,即可求得待测组分:     

Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件电学特性的研究

MIS器件是研究窄禁带半导体材料碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)体内及其界面特性的有效工具。我们主要对一种由双层介质组成的Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件的电学特性进行了研究。对Hg_(1-x)Cd_xTe材料表面作适当的物理化学处理之后,利用阳极氧化的方法,在Hg_(1-x)Cd_xTe衬底上生长一层阳极氧化层(厚约600～1200(?)),再利用蒸发或溅射方法在阳极氧化层上淀积一层介质ZnS(厚约1000～2000(?)),组成双层介质结构。而金属栅电极则通过蒸发金属     

自富Te溶液液相生长Hg Cd Te的Hg抑制

Hg_(1-x)Cd_xTe是光伏和光导红外光子探测器用的重要半导体材料。Hg_(1-x)Cd_xTe可在大气压下,由500℃、汞蒸汽压低于0.1大气压的富Te溶液液相外延生长得到。这样低的汞蒸汽压使有可能采用开管、滑块生长工艺。本专利提出一加盖的石墨滑移系统,其中有一附加汞源,用来减少源片的汞损失,并有效地防止了(Hg_(1-x)Cd_x)_(1-y)Te_y生长液的汞损失。     

Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延中的汞压控制

制备均匀的接近完整的Hg_(1-x)Cd_xTe单晶非常困难,其主要原因是:CdTe对HgTe的分凝很严重;HK的蒸汽压很高。然而,采用富Te的Hg_(1-x)Cd_xTe溶液来生长Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜,可把汞压降到大约0.1atm左右。这对于制备高质量的Hg_(1-x)Cd_xTe材料具有很大的潜力。本文叙述了所采用的一种新的、开管、水平滑移接触型液相外廷(LPE)生长工艺。在这种工艺中,采用一种改进的水平外延系统,控制了系统的汞压,从而也就控制了外延溶液的组分,生长出了均匀的HgCdTe薄膜。     

长波Hg1—xcdxTe液相外延材料的研制及其特性

在改进的开管液相外延生长系统中用富碲母液已经重复地长出了长波(8～14μm)Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延层。在外延过程中低温区的纯汞能够起到维持系统的汞压平衡和调整母液组份的作用,系统的温度分布、两温区降温的同步性及生长过冷度△T是液相外延Hg_(1-x)Cd_xTe的重要参量。通过对Hg_(1-x)Cd_xTe外延层的组份、结构分析和原生片的电参数测试表明,所生长的长波Hg_(1-x)Cd_xTe外延材料质地十分优良。文章最后还对Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延生长中的几个常见问题进行了简要的讨论,其中最重要的是应努力改善CdTe衬底的质量。     

Hg_(1-x)Mn_xTe:红外探测器材料的一种新的侯选者

美国印第安纳州普杜大学物理系J.K.Furdyna在《SPIE》Vol.409(1983)上介绍一种新型材料Hg_(1-x)Mn_xTe,并将它与大家熟知并公认为目前最有前途的材料Hg_(1-x)Cd_xTe相比较。Hg_(1-x)Mn_xTe与Hg_(1-x)Cd_xTe这两种半导体材料有许多相似之处。在材料结构和晶体特性方面,Hg_(1-x)Mn_xTe也是一种优质的闪锌矿结构晶体,生长方法亦类似,只是Hg_(1-x)Mn_xTe的     

利用Hg压控制生长溶液的Hg_(1-x)Cd_xTe滑移接触液相外延

制备均匀的接近完整的Hg_(1-x)Cd_xTe单晶非常困难,其主要原因是Hg的蒸汽压高。然而,用外延生长Hg_(1-x)Cd_xTe薄层得到基本上质量较高的材料却具有很大的潜力。采用一种新的、开管、水平滑移接触型液相外延(LPE)生长工艺,在这种工艺中,利用Hg压控制生长溶液,并证明了生长溶液的组份得到了高度的控制。在CdTe衬底上生长了Hg_(1-x)Cd_xTe的液相外延层,用光学输运测量和电子显微镜探针测量,进一步证实了外延层的高质量。薄层厚度均匀,通过改变过冷度或生长时间,层厚在5到40微米间变化。在原生长位置上退火的样品,77K下测量的结果是:电子载流子浓度低至8.6×10~(15)/厘米~3,电子的霍尔迁移率可达到2.8×10~5厘米/伏·秒。     

Hg_(1-x)Cd_xTe的液相外延

本文介绍用平拉装置,在大气压力下,用富Te生长液,在面积达到2厘米×3厘米的CdTe衬底上,外延生长n型和p型Hg_(1-x)Cd_xTe晶体,能很好控制x值为0.2、0.3和0.4的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的生长,对其生长层的半导体特性进行了测量。     

Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延工艺进展

本文通过三种液相外延炉的比较以及液相外延与有机金属气相外延的比较,扼要评述了国外Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延工艺的现状。国外研究者借鉴Ⅲ—Ⅴ族材料液相外延技术在Ⅱ—Ⅵ族材料Hg_(1-x)Cd_xTe的生长研究中作了广泛的开发性工作,取得了一批成果,使Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延工艺初具规模。较为成功的富Te熔体滑块工艺和富Te熔体浸渍工艺有待进一步完善,提高生长条件的可控性和外延材料性能的重复性,仍然是一个长期的任务。     

用交流热激电流研究窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe的深能级

用交流热激电流(ATSC)方法研究了x=0.195～0.275的窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe半导体中的深能级,讨论了Hg_(1-x)Cd_xTe深能级的物理性质。实验表明交流热激电流方法(ATSC)是研究窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe深能级的一种有效方法。     

用交流TSC法研究窄带Hg_(1-x)Cd_xTe中的深能级

决定Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器性能的主要指标是其零偏压电阻与面积之乘积R_0A,Hg_(1-x)Cd_xTe材料中的深能级就是影响其PN结R_0A值的一个重要因素。因此,研究Hg_(1-x)Cd_xTe半导体中的深能级,弄清楚它对PN结性能的影响,对提高Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器的性能有重要意义。研究Hg_(1-x)Cd_xTe材料中深能级的电学方法主要有三种,即深能级瞬态谱(DLTS)、导     

Hg_(1-x)Cd_xTe双色光电导探测器

Hg_(1-x)Cd_xTe是窄禁带半导体材料,适于制备高质量的本征光电导红外探测器,而且可以通过控制x值,分别制备出响应波段在1～3μm,3～5μm,8～14μm,16～22μm的探测器。Hg_(1-x)Cd_xTe材料的吸收系数一般大于10~3 cm~(-1),要求探测器厚度小于10μm。利用Hg_(1-x)Cd_xTe材料的这些特点,可以制备出叠层多色光电导探测器,上层是响应波长较短的探测器,下层是响应波长较长的探测器,利用短波探测器作为滤光片,滤去短波辐射,让大于