激光晶体热效应的阶梯泵浦技术

针对大功率固体激光器热效应纵向分布不均匀,提出分散热效应思路。根据激光晶体的吸收系数和掺杂浓度的关系设计了阶梯泵浦技术。以LD端面泵浦Nd：YAG固体激光器为例,讨论了激光晶体的最佳分段数、每段晶体的最佳掺杂浓度和最佳长度,仿真分析了热效应的改善情况。结果表明,阶梯泵浦技术能有效降低激光晶体的温度,使泵浦光的吸收功率密度分布、热效应沿轴向分布更均匀。     

二极管泵浦时CaGdAlO4：Nd^3＋晶体的振荡特性

寻找近期能获得更广泛应用的新固体激光激活介质是一个很重要的任务［1］。实现了一系列基底，用二极管泵浦时它们中的Nd3＋离子能获得高效振荡。首先需提到的介质有：Nd3＋：Y3Al5O12［12］，Nd3＋：YLiF［3］Nd3＋GdLiF4［4］，Nd3＋：YVO4［5］和Nd3＋：LCSc3（BO3）4［6］，它们的特点是阈值低，振荡效率高（微分效率等于55～70％）。本文首次研究由Nd3＋离子激活的CaGdAlO4晶体。CaGdAlO4的机械强度好（莫氏硬度为6），导热率高，热扩散系数适中（9×10－6K－1），使其能长出含钛离子浓度高的大尺寸晶体，这些品体可以当…     

激光二极管泵浦晶体的研究进展

文章概述了适于激光二极管泵浦激光晶体的研究进展，讨论了十几种适于激光二极管泵浦激光晶体的性。     

二极管侧面泵浦连续固体激光器的研究

本文详细介绍了一个台量大输出功率的37W的二极管侧面泵浦连续固体激光器。并对不同输出功率下的光束质量进行了测量,同时还测量了冷却水温对激光器输出功率的影响。     

Molecular beam epitaxy growth of InAs-AlSb-GaSb interband tunneling diodes

This paper presents our studies of the growth of InAs/GaAs and GaSb/GaAs heterojunctions by molecular beam epitaxy and their applications in fabricating the InAs-AlSb-GaSb interband tunneling devices. The Hall effect and x-ray diffraction were used to determine the optimum growth conditions for the layers. In addition, the qualities of the InAs and GaSb epilayers, grown under their optimum conditions, were compared. The full width at half maximum (FWHM) from the x-ray diffraction for a GaSb epilayer is about 50 arcsec narrower than an InAs epilayer of the same thickness. The narrower FWHM and excellent surface morphology of the GaSb layer have led us to grow the polytype heterostructure on a p⁺-GaAs substrate using a p⁺-GaSb as the buffer layer. The polytype tunneling structures grown on GaAs substrates under these conditions show good negative differential resistance properties. Five different interband tunneling structures are compared and discussed in terms of their peak-current densities and peak-to-valley current ratios.     

氩离子激光泵浦的Nd:YAG单晶光纤激光器

本文报道了以氩离子激光作泵浦源的Nd:YAG单晶光纤激光器的研究结果。获得了波长为1.064μm基模的连续激光输出。其斜率效率高于20％;最高激光输出达35mW。实验结果与理论计算基本吻合     

激光对半导体材料热作用的理论计算

本文从焓的定义出发，根据焓平衡方程，考虑相互作用过程中材料的热物性参数的变化和相变问题，据此进行计算，得到了几种典型的半导体材料的动态温升曲线，其熔融阈值与激光持续作用时间之间的关系，以及熔融阈值与入射激光频率之间的依赖关系。     

采用解析法估算弯曲波导超辐射发光二极管的光学损耗

器件弯曲区域的光学损耗对弯曲波导超辐射发光二极管(SLD)性能有着重要影响。对于器件制备和性能优化来说,若能对弯曲损耗作出估算,将大有裨益。在本论文中,我们推导出一个解析公式,可用于拟合器件P-I曲线而得到弯曲损耗系数。该公式已成功应用于对仿真P-I曲线损耗系数的估算(该P-I曲线通过一个复杂的量子点器件模型仿真得到),我们期待这一方法对估算实际器件损耗亦有效用。     

光子晶体红外隐身材料研究进展

红外探测在军事中已广泛应用。如何降低军事目标被红外探测和发现的几率已成为一个亟待解决的问题。光子晶体作为一种新型的人工结构材料,因其具有光子禁带的高反射、低辐射特性,在红外隐身领域具有广阔的应用前景。简述了光子晶体的基本概念和主要特性,重点介绍了国内外可用于红外隐身领域的光子晶体的研究状况。     

大功率半导体激光器光纤耦合模块的耦合光学系统

针对 8 0 8nm大功率 Ga As/ Ga Al As半导体量子阱激光器的远场光场分布特点 ,提出了与多模光纤耦合时对耦合光学系统的特殊要求 ,并根据低成本、实用化的要求设计制作了专用的耦合光学系统 ,对耦合光学系统的实际性能进行了测试 ,给出了耦合效率统计分布图、耦合偏差曲线和高低温可靠性实验结果 .用设计制作出的实用化耦合光学系统完成了输出功率 15— 30 W,光纤束数值孔径为 0 .11— 0 .2 2的半导体激光光纤耦合模块 ,模块的使用结果表明耦合光学系统稳定、高效、实用     

Multi-layer epitaxially grown silicon impatt diodes at millimeter-wave frequencies

Complementary (N⁺PP⁺) and double-drift (N⁺NPP⁺) silicon IMPATT diodes were prepared and investigated as oscillators in the millimeter-wave frequency region of 50 to 70 GHz. All the diodes were fabricated from multi-layer epitaxially grown silicon structures. A maximum CW output power level of 198 mW at 62.9 GHz and a maximum conversion efficiency of 7.3% have been measured for the complementary diodes. The double-drift IMPATT diodes have a maximum CW output power of 400 mW at 56.3 GHz and a maximum conversion efficiency of 8.5%.     

VGF法生长半导体晶体的研究进展

VGF法可实现晶体生长条件可控,晶体重复性好,所生长晶体尺寸大、位错密度低、应力小,是一种很有前景的晶体生长方法。本文综述了VGF法生长半导体晶体、数值模拟和磁场应用的国内外研究进展。     

大功率GaInP/AlGaInP半导体激光器

制备了大功率实折射率GaInP/AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器.所用外延材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延一次外延生长得到.制备的激光器具有双沟脊波导结构,条宽和腔长分别为3和900μm,前后端面分别蒸镀5%的增透膜和95%的高反膜.分析了室温连续激射时激光器的光电输出性能.阈值电流的典型值为32mA,光学灾变阈值为88mW,功率为80mW时的工作电流为110mA,斜率效率为1W/A,串联电阻为3Ω.基横模光输出功率可达60mW,60mW时的平行结和垂直结的远场发散角分别为10°和32°,激射波长为658.4nm.器件的内损耗为4.1cm-1,内量子效率达80%,透明电流密度为648A/cm2.     

激光二极管泵浦Nd：YVO_4晶体的激光特性

报道了用激光二极管纵向泵浦掺钕钒酸钇晶体的激光实验结果。当输入功率为３２０ｍｗ时，激光输出为７８．８ｍＷ，光一光转换效率为２４．６％。