超高记录密度GdFeCo磁光材料超高速磁存储技术的研究进展

稀土-过渡金属GdFeCo磁光材料由于具有亚铁磁特性,在超快飞秒激光作用下有望实现超高记录密度、超高记录速度的磁存储技术。详细介绍了在飞秒激光作用下,超高记录密度GdFeCo磁光材料应用于超高速磁存储技术的最新研究进展,具体包括飞秒激光辅助跨越磁化补偿点磁化反转,飞秒圆偏振激光全光磁化反转和飞秒激光超快加热全光磁化反转存储技术。     

不同工艺条件对FePt-AlN纳米薄膜磁性影响的研究

利用磁控溅射方法,在加热的单晶MgO(100)基片上制备了以AlN为母体的FePt薄膜,再经过真空热处理后,得到了具有垂直磁各向异性且无磁交换耦合作用的FePt薄膜;同时,研究了掺杂AlN含量、薄膜的厚度及退火温度对薄膜的磁性能的影响.结果表明,非磁性相AlN的添加能够降低磁交换耦合作用,但同时也会破坏薄膜的垂直磁各向异性.降低薄膜厚度,有利于改善薄膜的垂直磁各向异性,FePt-AlN薄膜的厚度为6nm且掺杂AlN含量达到40%时,经650℃热处理1h后薄膜具有良好垂直磁各向异性、适中矫顽力且无磁交换耦合作用.     

超高密度磁存储的展望

磁性存储是最常用的海量存储技术,其记录密度越来越高,发展也越来越快。本文通过对信息记录、读出和存储三个过程的分析,对比了硬磁盘记录、垂直磁记录和磁光记录的优缺点,指出了采用垂直记录模式、非晶结构合金薄膜或铁氧体薄膜介质是实现超高密记录的方向,光辅助磁记录是很有希望的记录技术。同时,还指出量子磁盘技术是未来高密记录的方向。     

超高密度图案化磁信息存储介质的研究进展

信息存储的容量不断增大才能满足信息社会高速发展的需求。要提高磁信息存储的容量,就必须不断减小用于记录数据信息位的磁性颗粒的尺寸,但当尺寸减小到一定程度时,由于超顺磁效应将影响磁信息信息位的稳定性,所以必须开发新型高密度磁记录技术。目前,商用硬盘的磁记录技术正从传统的水平记录技术向垂直记录技术过渡,但正如业内人士指出那样,为了应对其它超高密度存储技术,如有机存储、光存储等的挑战,垂直记录技术只是磁信息存储技术向超高密度方向发展的一个“跳板“。展望2011年前后的新技术,希捷提出了“热辅助磁性写入“(heat-assisted magnetic recording)技术,该技术的实质是采用高矫顽力的磁性材料如铁铂合金作为记录介质,在信息写入时通过激光束加热降低信息位翻转场写入信息。而日立存储则提出“图案化介质“(patterned media)技术,在这种技术中,存储数据的信息位宛如“点“一样彼此相互独立,减少相互间的干扰和降低数据信息位损坏的危险。这两种技术都可望将磁信息存储密度提高到1Tbit/平方英寸以上,但是它们的实用化还有许多科学与工程问题需要解决。详细介绍了图案化介质记录技术的工作原理、读写存储系统的...     

磁光超分辨近场结构存储技术

介绍分析了近场存储基本原理和现状，对实现磁光近场存储的一种新方法－磁光超分辨近场结构的应用原理、最新进展及发展方向进行了综述。     

薄膜热应力的研究

讨论了薄膜热应力的产生原因及其计算方法，热应力与薄膜和基片的热膨胀胀系数，基片温度及其分布密切相关，利用溅射沉积在基片表面上的Ｆｅ－Ｎｉ薄膜热电偶测量薄膜沉积过程中的基片温度及其变化。Ｆｅ－Ｎｉ薄膜热电偶具有易于制作、性好和动态响应等优点，热电热率也较高（０．０２２ｍＶ／Ｃ）。最后，简介介绍了磁控溅射Ｃｏ－Ｃｒ合金膜的热应力和本征应力的研究结果。     

ZnO基稀磁半导体材料研究进展

随着铁磁性半导体（如Mn掺杂InAs和GaAs）的发现,稀磁半导体（DMS）近来吸引了众多研究者的目光。传统半导体不具有磁性,而稀磁半导体可以在不改变传统半导体其它性质的情况下引入磁性,具有良好的物理化学性能。从实验和理论计算两个方面总结了ZnO基DMS的国内外研究现状,讨论了各种生长方法、基底选择、生长温度对材料磁性的影响,总结了如何通过改变实验条件来增大饱和磁化强度及提高Curie温度。     

磁性材料磁热效应的研究

设计组装了一种冰量热计法磁致热效应测量仪,它可用于测量交变场下铁磁样品磁致热的绝对量。从磁热测量的结果,得到了一些单一磁样品和磁－良导体复合样品的磁致热效应实验规律。     

薄膜热应力的研究

讨论了薄膜热应力的产生原因及其计算方法。热应力与薄膜和基片的热膨胀系数、基片温度及其分布密切相关。利用溅射沉积在基片表面上的Fe－Ni薄膜热电偶测量薄膜沉积过程中的基片温度及其变化。Fe－Ni薄膜热电偶具有易于制作、稳定性好和动态响应快等优点，热电势率也较高（0．022mV／℃）。最后，简要介绍了磁控溅射Co－Cr合金膜的热应力和本征应力的研究结果。     

反铁磁耦合软磁/硬磁双层膜体系的交换弹性反磁化特性

基于微磁学理论研究了软磁/硬磁反铁磁交换耦合双层结构体系的反磁化特性,利用一维原子链模型模拟了其反磁化过程。研究表明:当考虑了软磁层的磁晶各向异性能后,随着软磁层厚度的增大,交换弹性反磁化过程从可逆过程转变为不可逆过程。存在一个临界的软磁层厚度tc,当软磁层厚度tstc时,交换弹性反磁化过程为不可逆过程。形核场Hb随软磁层厚度的变化仅当体系的反磁化过程为可逆的交换弹性反磁化过程时才满足经验公式Hb=Hb0/tsn。     

FePt—MgO垂直磁记录介质的磁性和记录特性之间的关系

利用溅射和退火工艺制备了不同组分和厚度的FePt-MgO垂直磁记录介质,并用极化克尔效应测量了介质的磁滞回线,用spinstand测量了记录性能.研究结果表明,垂直记录介质中磁性晶粒间交换耦合的α值与退火前单层FePt的厚度成反比;信噪比与α值成反比;高频噪音与α值成正比.     

图案化磁记录介质

在分析传统磁记录在高密度化过程中遇到的困难的基础上,指出了未来超高密度磁存储的方向,着重分析了图案化磁记录(patterned magnetic recording)对介质的要求,并简要介绍了图案化介质的制备技术.     

NiO/CoFe双层膜的交换机制研究

通过改变制备NiO薄膜的氩气压和衬底材料,研究了NiO的结构、表面粗糙度对NiO/CoFe双层膜交换耦合场Hex的影响.实验表明完全自旋未补偿面与交换耦合场的产生没有直接联系,但交换耦合场Hex与界面状况密切相关.增大NiO的表面粗糙度会使交换耦合场Hex减小.应用随机场理论在考虑了实际界面存在的粗造度、杂质和缺陷等实际情况下,正确地预测了交换耦合场的数量级,而且对交换耦合场与铁磁层厚度tFM、反铁磁层厚度tAFM以及交换耦合场的温度特性等实验结果做出了合理解释.并应用随机场模型对反铁磁/铁磁双层膜中铁磁层矫顽力Hc与铁磁层厚度tFM的关系进行了定量计算,发现矫顽力Hc与铁磁层厚度1/tFM成正比,这一结果表明理论计算与我们的实验数据符合得很好.     

室温磁制冷材料的研究现状及发展前景

制冷业耗能占社会总耗能的15%以上。目前普遍使用的气体压缩制冷技术的卡诺循环效率最高仅为25%左右,而且气体压缩制冷中使用的气体制冷剂会破坏大气臭氧层并引起温室效应。探求无污染、绿色环保的制冷材料和研发新型低能耗、高效率的制冷技术是当今世界需要迫切解决的问题。磁制冷技术具有绿色环保、高效节能、稳定可靠的特点,近些年来已经引起世界范围的广泛关注。具有磁热效应的材料是磁制冷技术的关键。重点综述了当今室温磁热材料的研究现状。为了使该项技术走向工业化和实用化的道路,提出改进并优化磁制冷工质的性能是未来的研究方向。     

钙钛矿锰氧化物磁制冷材料的研究

简要叙述了磁卡效应的基本原理、钙钛矿化合物的晶体结构，对比了不同A、B位离子不同比例取代的钙钛矿化合物的磁熵变，并对其机理做了简要分析。     

室温磁致冷工质的选用原则及制备技术

本文对近年来在制冷界研究相当活跃的磁致冷工质，尤其是室温磁致冷工质--铁磁材料，在外加磁场中的热力学特性进行了分析、讨论，并在此基础上总结了选取室温磁致冷工质的理论依据和原则。本文介绍了室温磁致冷工质的制备方法，特别是系列工质复合法，并展望了今后的研究方向。     

基于云计算的虚拟化存储技术研究

云计算发展至今已5年有余,成为国内外信息技术领域研究与开发的热点话题和主要方向。研究基于云计算的虚拟化技术和网络存储技术,目的在于基础设施云服务中更加合理利用网络与存储资源,深化云存储技术的研究与应用。     

Cu覆盖层对CoCrPt颗粒膜的微结构和磁特性的影响

在室温下,应用对靶磁控溅射设备制备了系列Cu(x nm)/CoCrPt(40nm)/Cu(20nm)三明治结构的纳米颗粒膜,随后进行了原位退火.实验发现Cu覆盖层的厚度(x)对颗粒膜的微结构和磁特性有很大影响.样品垂直方向的矫顽力在x=11nm时达到最大,为138kA/m,平行于膜面方向的矫顽力基本上与x的变化无关,且所有的样品都显示出很强的垂直各向异性.退火后的CoCrPt薄膜呈六角密堆积(HCP)结构,AFM和MFM测量显示在x=11nm时,颗粒的平均粒径和磁畴尺寸均为最小.开关场分布(SFD)的测量表明,退火有效地减弱了颗粒间的交换耦合作用.