片式电阻器生产增长价格下降小型款式受宠

片式电阻器已成为电阻器市场的主流产品,尽管短期内它还不能取代传统的引线电阻器,但它在电阻器中所占的份额却在急速上升,1996年,日本固定电阻器中片式电阻器已占了86%。厚膜、薄膜、金属膜、金属箔等不同电阻芯子的低阻片式电阻器也纷纷上市。市场对高阻、低阻和高压片式电阻器的需求在扩大,电阻器的尺寸也在不断缩小。继1×0.5mm产品商品化后,0.6×0.3mm款式也已上市,并将进入批量生产。由2、4、8个1005型片式电阻器构成的电阻网络也已有市售产品。目前,制造商已在开发阻值高达10MΩ的1005     

RIG超高阻片式厚膜电阻器

RIG超高阻片式厚膜电阻器用96％Al_2O_3基片,高阻浆料以钌酸盐作导电相,烧成温度850℃,烧成周期60min,阻值在1GΩ以上。开发产品主要用于传感器及以场效应管为输入级的高内阻放大器中。     

电阻器

0014223稳定的特高阻电阻器的研制[刊]/褚国京//电子元件与材料.—2000,19(3).—29～30(C)介绍一种体积小、性能稳定的特高阻电阻器的研制过程及其性能。电阻器阻值范围:1～100GΩ;a_R:(-40～-900)×10~(-5)℃~(-1);体积:5mm×12mm×2mm。0014224成核剂对 HDPE/CB 体系热敏电阻电学性能的影响[刊]/李刚//电子元件与材料.—2000,19(3).—11～12(C)0014225     

玻璃釉包覆片式NTC热敏电阻器的研制

为了得到更稳定、可靠的片式NTC热敏电阻器,在芯片表面涂覆一层玻璃釉是有效的途径之一。为此调整了玻璃釉包覆片式NTC热敏电阻器所进行的工艺,进行了玻璃浆及银浆的选取和匹配工作。所研制的片式NTC热敏电阻器,克服了传统片式NTC热敏电阻的精度不高、稳定性不好、可靠性差等主要缺点,F级阻值合格率提高了45%,阻值的年漂移小于0.1%,端电极强度提高了约4.9N,耐焊上锡率提高了约5%。     

2000年电子元件技术十大趋向——电子元件的发展方向:小型化、复合化、高精度、高可靠、低压化

随着电子技术的发展，电子元件的小型化、片式化、复合化、多功能化的发展趋势将进一步强化，电子元件的寿命将延长，精度将提高，成本将进一步降低，应用范围也将进一步扩大，生产自动化程度也将进一步提高。从目前到２１世纪初，各类元件均将以ＳＭＤ表面安装器件化为目标，并推进小型化、复合化、高精度、高可靠和低压化。１．电阻器继续向ＳＭＤ、高精度和小型化方向发展从目前到２１世纪初，电阻器将继续向超小型化、ＳＭＤ化、高精度、高电压方向发展。在整个电阻器领域，片式电阻器将成为主流产品，而其中１６０８又将成为片式电阻器…     

无源与分立器件

TT electronics金属合金条形电阻TT electronics IRC Wirewound and Film Techologies Division推出一种小阻值(2mΩ)的SMT金属条形电阻,额定电流达到45A@1W,而电感和TCR值极低。这些被称为CSS系列的电阻采用双端子设计和4端子的Kelvin设计,阻值范围是0.0005Ω～0.002Ω。该CSS系列适用于需要精密电流感应和电源管理的电路,具体应用为用到电流传感器件的计算机、电源和电机控制电路等。CSS系列电阻器的额定功率为1W@70℃,电阻值低至0.0005?￣0.003?,而公差范围有1%、3%和5%等几种,TCR则低至±20ppm/℃,温度范围为-40℃￣125o…     

稳定的特高阻电阻器的研制

介绍一种体积小、性能稳定的特高阻电阻器的研制过程及其性能。电阻器阻值范围 :1～ 10 0 GΩ ;αR:(- 40～ - 90 0 )× 10 - 6 ℃ - 1 ;体积 :5 mm× 12 mm× 2 mm。     

可模拟压控电阻器的乘法器

一个带有加法输入端的双象限或4象限乘法器经配置后可用来模拟阻值只是固定电阻和控制电压之比的电阻器(参见附图).由于这种压控电阻器(VCR)拓朴结构具有一种严格定义的传递函数,因此,在某些VCR应用场合,它可能比JFET更合乎要求.这种 VCR还可在日动测试设备中用作高速可编程动态负载.被模拟电阻器的实际频率响应是由所选择的乘法器带宽、所选择的阻值(R)和控制电压(Ec)确定的.AD835是 一种250MHz乘法器,其阻值为50Ω,可以在带宽10MHz或更大时模拟50～3,20Ω的阴值.乘器必须具有通用传递函数:W=D[(X_1-X_2)(Y_1-Y_2)/U]+2 式中,变量W、U、X、Y和Z全都是电压.分母U是比例电压,而Z是加法输入.Ec可以在0和U之间变化,用来 驱动双象限乘法器的单极输入或4象限乘法器的最高失真输入(一般为X输入).     

片式电阻器阻值命中率的研究

片式电阻器在生产中多次印刷、烧结,使其发生工序阻值变化,影响产品最终的阻值命中率。本文通过对电子浆料和工序因素的分析,设计了先行试验方案,提出了工序中应控制的因素,为片式电阻器生产过程控制、提高阻值命中率提供了依据。     

Vishay推出工作电压高达1800V的新款HVPS通孔单输入线薄膜电阻——精密器件具有10MΩ的高阻值、低至±0.01%的公差和±5ppm/°C的TCR

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新系列通孔单输入线薄膜电阻——HVPS。Vishay Dale薄膜HVPS器件适合精密、高压仪表和放大器中的高精度应用,具有高达10 MΩ的阻值、低至±0.01%的严格公差和1800 V的高工作电压。今天发布的电阻采用高工作电压,在+70°C下可以将±0.05%的稳定薄膜特性保持2000小时,具有±5ppm/°C的超低TCR和50 kΩ~10 MΩ的宽阻     

村田片式微调电位器何以成功——耐高温材料 插入式成型技术 高稳定连接

片式微调电位器是一类可表面安装半固定的可变电阻器,其值阻可适应电子线路中对阻值变化的要求进行调整。因而作为基本元器件广泛用于电子设备中。片式微调电位器 分类和存在问题 片式微调电位器有多种分类方法,如可按尺寸、结构及电极构成来分类。在各类电阻部件中,陶瓷电阻以其电性     

片阻端面垂直溅射研究

该文针对片式电阻器的特点设计了垂直溅射工艺,研究了垂直溅射方式对片阻端头对称率及溅射层阻值的影响,并给出了试验数据.实验结果表明:垂直溅射工艺能提高片阻产品端头对称性,改善产品的外观.     

PMR跳线系列：电阻器

罗姆株式会社推出导通电阻值降低到Max0．5mΩ,同时使额定电流大幅提高的超低阻值跳线电阻器“PMR跳线系列”。     

问与答

Q 有一把德国BRAUN（博朗）3615型充电式电动剃须刀不能使用,将充电插头插入市电插座指示灯也不亮,无法充电。拆卸检查,发现一个标注为“253”的灰绿色电阻器的阻值为无穷大,不知该电阻的正常阻值是25kΩ吗？能否用0．5～1W的碳膜电阻代替？     

一种新的厚膜电阻器脉冲电压调阻法

电子器件用长宽尺寸小于0.5mm~2的厚膜电阻器的脉冲电压调阻法(PVTM),实现了非刻槽技术、该方法采用粗调(加大峰值脉冲电压)和细调(增加脉冲组数)相结合,既不会损伤电阻器表面,又能保证阻值精度小于1%,同时大大改善了电阻器的高频特性和电流噪声。电阻器调阻后在功率调节能力方面也无损失。这些优点是通过增加传导路径数而获得的。     

北京牌8303型彩电常见“病状”速修集汇

1.三无查R_(803)(56kΩ/3W)电阻开路或阻值增大2.水平一条亮线查R_(327),FR_(10)或D_(302)(S5295)开路3.场上部压缩查R_(312)(51kΩ)阻值变大4.场下部压缩查R_(313)(24kΩ)阻值变大或开路。5.场线性变差查R_(328)(10Ω)开路或C_(314)(0.012μF/200V)开路。6.场幅不稳查R_(352)(50kΩ)接触不良。7.图像大幅S型扭动,B_+正常查电源C_(807)失效,D_(801)～D_(804)之一开路。8.图像大幅S型扭动,B_+偏高     

综合信息

<正>风华推出“半导体薄膜技术改造厚膜基础电子元器件应用技术”2006年,广东风华公司推出“半导体薄膜技术改造厚膜基础电子元器件应用技术”项目。“半导体薄膜技术改造厚膜基础电子元器件应用技术”项目主要是利用半导体薄膜技术——真空溅射方法,在薄膜电阻制程中应用电阻掺杂技术和热处理技术,有效地将产品TCR精度提高。高精度激光调阻,可以准确的测量产品阻值并进行激光切割,使得产品阻值精度达到0.1%的水平。经过近一年的努力,公司取得了初步成效。目前片式电阻器样品已研制成功,     

多层片式ZnO压敏电阻器的现状与发展方向

基于国内外多层片式ZnO压敏电阻器的研究及应用,介绍了多层片式ZnO压敏电阻器的结构(阵列及模块)、材料组成(ZnO-Bi2O3系、ZnO-玻璃系、ZnO-V2O5系及ZnO-Pr6O11系等)、电极材料、生产工艺(流延和电镀)等现状,并就多层片式ZnO压敏电阻器的工艺和技术发展趋势提出了见解。     

国内外片式元器件市场发展态势

世界现状及发展当今片式元器件产业在全球范围内迅速增长,促进了电子设备向轻薄短小、集成化、智能化和多功能化方向发展。据专家分析,2000年世界片式元器件市场约7000亿只,片式化率达70%。在世界片式元器件市场上,日本以其先进的制造技术和超大生产规模占居垄断地位,特别在片式多层陶瓷电容器(MLC)和片式电阻器上更是如此。美国虽然在生产规模上逊于日本,但在MLC及片钽方面技术是先进的。美国KEMET公司已成为世界上最大的钽电容器制造商。片式电阻器、片式热敏电阻、叠层和线绕片式电感器等正在扩大市场,向主流产品发展。薄型…     

厚膜指数型电阻器特性阻抗的设计

本文主要阐述作为电视差转机端接吸收负载的厚膜指数型电阻器,它不仅能在高频1000MHz下工作,而且其电压驻波比不大于1.22。主要技术指标为直流电阻值,R 50Ω±5%工作频率,f 1GHz交流阻抗,Z_0 50Ω电压驻波比,VSWR≤1.22功率,P 50W对于工作在高频下表现出集中参数的阻抗元件,我们通过用微带设计原理和厚膜工艺技术二者相结合而制作的厚膜指数型电阻器,使得厚膜产品跨出了直流工作的范畴而进入了更为广泛的应用领域。