InP:Fe中与Fe~(2+)有关的一组新的红外吸收峰

利用高分辨的傅里叶光谱仪测量了InP:Fe在低温下(10K-20K)的红外吸收特性.在3100—3130cm~(-1)的波段范围内发现了一组新的红外吸收峰,我们将其指认为Fe~(2+)的~(?)E→~(?)T_(?)电子跃迁红外吸收的声子伴线,其中两个较锐的峰(3134cm~(-1)处、3120cm~(-1)处)与Fe~(2+)的局域振动模有关,两个较宽的峰(分别位于3117、3105cm~(-1)处)与InP的TO(x)声子有关.     

人早幼粒白血病细胞裸鼠异种移植模型的傅里叶变换红外光谱探索

应用傅里叶变换红外光谱法对HL-60(人早幼粒白血病细胞)裸鼠异种移植模型癌变及癌旁正常组织粉末样品进行了分析研究.结果表明:(1)甲基CH3和蛋白质分子C-O峰在癌变组织中均有不同程度的频移,(2)正常组织的红外光谱在1746 cm-1处存在较强的吸收峰,而在肿瘤中只有较弱的吸收峰或观察不到吸收峰,(3)癌变组织核酸分子磷酸二脂基团PO2-的对称伸缩振动的相对吸收强度明显增强,(4)正常组织中脂类分子弯曲振动谱带吸收峰相对强度明显强于甲基变角振动谱带的相对强度,而在癌变组织中这两处吸收峰的相对强度大小基本相等.说明傅里叶变换红外光谱法可以用于对裸鼠癌变组织进行鉴别诊断,利用动物异种移植模型进行红外光谱分析可成为肿瘤红外光谱研究的一种新方法.     

基于局部表面等离子体激元的共振增强超材料吸收器的吸收性质

提出了一种在150～165 THz区域内的具有单峰吸收特性的高性能超材料吸收器。设计的吸波器包含两个阵列:双金属颗粒阵列和双空气孔阵列。金属层的阻尼常数在模拟中被优化。发现在模拟中使用2. 3倍的阻尼常数时,可以获得最大吸收率96%。吸收峰由局域表面等离子体(LSP)模式共振激发。为了揭示共振电磁机理,进行了两组模拟,研究结构参数变化对共振吸收峰的影响。发现随着垂直距离V的增加,吸收峰被增强,当V=160 nm时,获得新的吸收带。在第二次模拟中,对于水平距离H的增加,吸收峰也增强,并且当H=190 nm时获得另一个新的吸收带。电场强度分布结果表明LSP模式的激发和LSP模式之间的耦合效应导致吸收峰增强现象。     

硅中氧的FTIR研究

对不同氧含量的硅片在300K到4.2K温度范围进行红外吸收测量表明:低温(80～4.2K)下硅的红外吸收谱中1127cm~(-1)处的吸收是硅中氧的吸收峰.     

基于局部表面等离子体激元的共振增强超材料吸收器的吸收性质（英文）

提出了一种在150～165 THz区域内的具有单峰吸收特性的高性能超材料吸收器。设计的吸波器包含两个阵列:双金属颗粒阵列和双空气孔阵列。金属层的阻尼常数在模拟中被优化。发现在模拟中使用2. 3倍的阻尼常数时,可以获得最大吸收率96%。吸收峰由局域表面等离子体(LSP)模式共振激发。为了揭示共振电磁机理,进行了两组模拟,研究结构参数变化对共振吸收峰的影响。发现随着垂直距离V的增加,吸收峰被增强,当V=160 nm时,获得新的吸收带。在第二次模拟中,对于水平距离H的增加,吸收峰也增强,并且当H=190 nm时获得另一个新的吸收带。电场强度分布结果表明LSP模式的激发和LSP模式之间的耦合效应导致吸收峰增强现象。     

中子辐照含氢硅单晶低温Si—H吸收峰的研究

本文用傅里叶变换红外吸收低温(10K)光谱研究中子辐照氢气区熔硅单晶的Si-H吸收峰。发现比室温光谱有更多的与氢有关的吸收峰,观察到1980cm~(-1)吸收峰的精细结构。确定1839cm~(-1)与817cm~(-1)吸收峰的相关性,观察到低温峰有比室温更明确的退火行为。对一些吸收峰的组态进行了讨论。     

N+注入硅中氮-空位复合体的红外光谱

利用离子注入以100和180keV的能量和5×1015cm-2的剂量向单晶硅片双面注入氮杂质,然后进行不同温度的快速热处理(RTP).利用傅里叶红外(FTIR)光谱研究不同温度RTP处理后的注氮硅中氮杂质的行为.研究发现,经过750～900℃的RTP处理50s后,样品的FTIR图谱中出现四个新的红外吸收峰,并随温度升高先增强后减弱,这些红外吸收峰被认为与氮-空位复合体有关.通过构建原子结构模型并进行理论模拟计算分析,表明在新出现的红外吸收峰中有两个与双氮-双空位(N2V2)结构相关的红外吸收峰.     

N+注入硅中氮-空位复合体的红外光谱

利用离子注入以100和180keV的能量和5×1015cm-2的剂量向单晶硅片双面注入氮杂质,然后进行不同温度的快速热处理(RTP).利用傅里叶红外(FTIR)光谱研究不同温度RTP处理后的注氮硅中氮杂质的行为.研究发现,经过750～900℃的RTP处理50s后,样品的FTIR图谱中出现四个新的红外吸收峰,并随温度升高先增强后减弱,这些红外吸收峰被认为与氮-空位复合体有关.通过构建原子结构模型并进行理论模拟计算分析,表明在新出现的红外吸收峰中有两个与双氮-双空位(N2V2)结构相关的红外吸收峰.     

P型LEC-GaAs中双重受主态的研究

在富镓的未掺杂P型LEC-GaAs锭条的头部和尾部样品中,低温下(T≤40K)在低频区和高频区分别观察到两组红外吸收峰.在原生长的 LEC-GaAs 中所观察到的高频区红外吸收,经鉴定与在掺硅或中子辐照处理过的LEC-GaAs中所观测到的、电离能为200meV的受主吸收是一致的.除了从基态到2p_(5/2)(Γ_3)和2p_(5/2)(Γ_7)激发态电子跃迁所相应的吸收外,还观察到了可能与从基态到3p_(3/2)态跃迁相应的吸收峰.4K的光致发光光谱和变温霍尔测量,进一步证实了在未掺杂P型LEC-GaAs锭条中,从头部到尾部都存在电离能为78meV和200meV的双重受主,其浓度沿晶体生长方向(从头到尾)增大.实验结果进一步支持了双重受主是Ga_(As)反位缺陷所产生的看法.     

氢气区熔硅单晶中的新红外吸收谱峰

在氢气区熔硅单晶中观测到一个2688cm~(-1)的新Si-H红外吸收峰.该谱峰不能由文献[2]、[4]提的模型来解释.     

FOX-7太赫兹波吸收特性及理论计算

为了研究新型高能钝感材料1,1-二氨基-2,2-二硝基乙烯(FOX-7)的分子结构特性,采用太赫兹时域光谱技术对FOX-7在0.2~2.3 THz波谱范围内的吸收光谱进行了探测,得到了待测样品的太赫兹吸收谱线,确定了其特征吸收峰的位置.基于密度泛函理论(DFT)对FOX-7单分子和晶体结构在小于2.4 THz范围内的吸收光谱进行了模拟计算,结果表明分子间相互作用对FOX-7吸收峰的形成起到很大的作用.完成了对实验光谱中特征吸收峰振动模式的分析和指认:1.59 THz处吸收峰的光谱特征主要由―NO2和―NH2的摆动造成,2.12 THz 处吸收峰光谱特征的产生包含―NO2和―NH2的摆动以及各自的扭动.     

GaAs/GaAlAs多量子阱激子吸收谱

在10K至292K温度范围内测量了GaAs/GaAlAs多量子阱结构的激子吸收谱.观察到轻、重空穴对应的激子吸收峰(LH和HH)及台阶状态密度.研究了轻、重空穴激子吸收峰的能量间隔及激子吸收峰的温度特性.发现多量子阱样品的LO声子展宽系数为6.1meV,比体GaAs的展宽系数略小.样品用国产MBE设备生长,采用化学选择腐蚀技术除去GaAs衬底.     

基于光强免校准的差分吸收光谱反演算法及其在NO测量中的应用

差分吸收光谱(DOAS)技术能够精确实时地监测烟气成分的浓度,是从源头上控制烟气污染物排放的有效手段。在DOAS系统中,光源强度变化是影响测量长期可靠性的重要因素。针对这一问题,提出一个新的光强免校准的DOAS反演算法。该算法利用邻域宽带截面对气体特征吸收的窄带截面进行归一化,从而获得不受光源强度变化影响的等效吸收强度参数α_eq(λ_k),通过比较该参数的测量值与标准截面的计算值,进而可以推算出气体浓度。与传统算法相比,该算法不需要进行多项式拟合、信号滤波等复杂计算,更便于硬件实现。搭建测量系统,用氮气与高浓度NO标气制备不同浓度NO,以NO测量数据为例,结果表明,NO的特征吸收峰只出现在195.5 nm(吸收峰1)、204.7 nm(吸收峰2)、214.8 nm(吸收峰3)、226.2 nm(吸收峰4)等4个位置,且该4个吸收峰的半高全宽均为1 nm左右。采用该算法,特征吸收峰4(226.2 nm)的线性回归决定系数R~2达到了0.998 17,验证了新算法的可行性。     

ZnS1-xTex混晶的压力光谱

研究了ZnS1-xTex(0.02≤x≤0.3)混晶的静压光致发光谱.每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰,来源于束缚在Ten(n≥2)等电子陷阱上的激子复合发光,且随压力(0～7.0GPa)而蓝移.发光峰的压力系数比相应混晶带边的都要小,随着Te组分的增加而减小,与混晶带隙压力系数的差别也越来越大.由于压力下与发光峰对应的吸收能量逐渐接近并超过激发光的能量,与发光峰有关的吸收效率降低,发光峰积分强度随着压力增加而减小.据此估算了Ten等电子中心的Stokes位移.发现Stokes位移随着Te组分的增加而减小.     

立方ZnMgO基体中六方ZnO量子点的化学溶液制备技术

首次报道了利用相分凝技术在非晶石英衬底上立方ZnMgO基体中制备六方ZnO量子点的化学溶液方法.对所制备的ZnO/ZnMgO/SiO2进行了原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、椭圆偏振光谱(SE)表征.XRD表征表明当六配位Zn2 以替位的形式取代六配位Mg2 时,会导致相同衍射条件下立方ZnMgO的2θ比立方MgO的2θ小.SE表征发现ZnO量子点的量子效应导致了ZnO量子点的激子吸收能(3.76eV)比ZnO体晶的能带隙(3.37 eV)大.AFM表征表明:导致薄膜的XRD的衍射峰、α吸收峰和PL发射峰皆很宽的部分原因是由于组成所制备薄膜的晶粒尺寸分散较大、形状不一引起的.     

带有咔唑支链的聚乙炔的发光特性研究

在室温下,对单取代聚乙炔(PACz-1)和两种双取代聚乙炔[PACz-2(m=3)、PACz-2(m=9)]的荧光特性和电子结构进行了研究.每种聚乙炔的支链上有一个咔唑单元.虽然它们的分子结构不同,但它们的稀溶液却有相同的吸收峰和强的绿色荧光发射峰,并且它们的吸收谱和发射谱很相似.当溶液的浓度增大到～1×10~(-3)M时,发现有强的绿色荧光发射,峰位位于475 nm.运用Huckel扩展紧束缚计算方法,从理论上计算了带咔唑支链的聚乙炔的电子结构。结果表明单取代聚乙炔和两种双取代聚乙炔的吸收峰、低浓度下的360 nm紫外光发射峰与高浓度下的475 nm的绿色荧光峰都是由于聚乙炔支链上咔唑生色团引起的.     

半导体CdS簇合物的制备及性能

以苯硫酚为有机配体合成了半导体镉硫蔟合物(Me4N)2[Cd4(SPh)10]、(Me4N)4[Cd10S4(SPh)16]、(Me4N)8[Cd20S13(SPh)22]和Cd32S14(SPh)36·DMF4.喇曼光谱研究证明簇合物的结构是以CdS为核心,有机配体通过Cd-S键包覆在核的外面;吸收光谱中发现了吸收带边蓝移的量子尺寸效应,(Me4N)8[Cd20S13(SPh)22]和Cd32S14(SPh)a6·DMF4出现了激子吸收峰;光致发光光谱中看到了发光峰的明显展宽现象;改变有机配体如巯基乙醇和二巯基丙醇,不影响簇合物的吸收和光致发光光谱性能.     

用红外光谱研究激光分离硼同位素的辐照产物

红外多光子吸收分离硼同位素过程中,我们观察到强激光辐照下BCl_3与全氟碳油脂发生激光诱导光化学反应,产生新的光化学产物,在1000厘米~(-1)处出现一强吸收峰与~(10)BCl_3v_3振动吸收光带相重迭,对用红外吸收光谱测试硼同位素浓缩系数有影响.     

甲状腺癌组织与正常组织红外光谱的研究

应用傅立叶变换红外光谱法( FTlR)对甲状腺癌组织及正常组织进行了分析。实验结 果表明:正常组织红外光谱分别位于1165cm- 1和1745cm- 1附近的吸收峰较为明显,而在癌组织中近乎消失;癌组织中970cm- 1附近的吸收峰强度较正常组织在相对强度上有所增加;正常组织中1084cm- 1附近的吸收峰在癌组织中向低波数移动3cm- 1且强度增加;甲状腺癌组织中酰胺Ⅰ带、Ⅱ带的吸收峰强度高于正常组织,酰胺Ⅱ带吸收峰向低波数移动2cm- 1 ,酰胺Ⅰ带、Ⅱ带的相对峰高比( I1654 / I1543 )高于正常组织。研究表明: FTIR可以从分子水平上揭示甲状腺正常组织和癌组织的特异性,能够对甲状腺肿瘤组织的良、恶性鉴别提供可靠的信息。     

樟脑型乙酰丙酮Pt配合物非线性光学性质及分子设计

在B3LYP/6-31++G(d,p)水平下(Pt原子采用LANL2DZ赝势基组),对几种樟脑型β-二酮环金属铂配合物的紫外-可见光谱和三阶非线性光学性质进行理论研究.结果表明,分子的电子跃迁性质属于金属到配体的跃迁(MLCT)、配体内跃迁(LC)和配体到配体的跃迁(LLCT)三种跃迁的混合.在苯环上引入-OC2H5分子的最强吸收峰和最低能量吸收峰均发生蓝移.在β-二酮环上引入苯基,同时在另一配体的苯环上引入氟代烷基可以增大非线性光学性质.在β-二酮环上引入吸电子基团-CF3使最低能量吸收峰红移,同时在另一配体苯环上引入烷氧基可以增大非线性光学性质.