用改进算法提取GaN HEMT小信号等效电路模型

基于GaNHEMT小信号等效电路模型参数的提取,针对扰动机制、退火方式、记忆功能、回火机制等关键点,提出了一种改进的模拟退火算法。用Matlab仿真工具实验证明,在5～15GHz之间基于S参数测试数据,选取16个频率参考点,利用改进算法返回等效电路的13个参数,与测试数据有良好的一致性,是一种快速的全局优化算法。     

毫米波GaN HEMT器件大信号模型

介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型。该模型采用SDD的建模方法。提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,并分析了拟合结果。与18GHz的在片loadpull测试结果比较,模型仿真结果显示输出功率及效率与实测数据基本一致。     

可重构的低温共烧陶瓷电容高频等效电路模型

低温共烧陶瓷电容元件在微波多芯片组件设计中具有重要地位,其模型是系统仿真的关键.根据电容的物理结构特点,提出了一个可重构的高频电容模型,并给出其模型参数的计算公式.最后用ADS对双层电容和四层电容等效电路模型的S参数和用三维电磁场仿真软件的仿真结果做了对比,结果表明,其双层电容等效电路模型可以准确到4 GHz,其四层电容等效电路模型可以准确到2 GHz.采用等效电路的仿真时间比三维电磁场仿真软件约快60倍.     

非对称带状线不连续性等效电路分析

非对称带状线广泛应用于LTCC微波集成电路系统(MICs)中。首次成功地将微带线不连续性等效电路模型移植到非对称带状线中,分析了其几种不同形式的不连续性,诸如开路端、阶梯、直角拐角和T形结。与数值分析结果相比,其S参数的平均误差均小于2%。     

AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效电路参数值的提取

利用国际通用的ColdFET以及宽带小信号提取方法对AlGaN/GaN HEMT器件进行小信号参数的提取,用仿真软件ADS(advanced design system)建立HEMT小信号等效电路模型,并对参数值进行优化.可快速提取器件的小信号参数并给予工艺一些反馈和指导.     

用于GaN HEMT栅驱动芯片的快速响应LDO电路

设计了一种用于GaN高电子迁移率晶体管(High-Electron-Mobility Transistor,HEMT)器件栅驱动芯片的快速响应低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)电路,可为高速变化的数字电路提供快速响应的供电电压。该电路采用动态偏置结构,通过在大负载发生时给误差放大器增加一个额外的动态偏置结构,来加快输出端的瞬态响应速度。基于0.18μm BCD工艺,完成了电路设计验证。仿真结果显示LDO瞬态响应时间小于0.5μs,可满足频率达1 MHz的GaN HEMT器件栅驱动芯片应用要求。     

垂直腔体面发射激光器等效电路模型在SPICE下的实现

介绍了一个基于速率方程的垂直腔体面发射激光器(VCSEL)的等效电路模型,该模型在电路模拟程序Pspice下得到了实现,其仿真结果与实验数据十分吻合。用C语言编写了一个可以自动生成VCSEL宏模型的网表自动生成器。     

单模半导体激光器等效电路模型

介绍了单模半导体激光器的大信号、小信号及噪声等效电路模型，给出了确定模型参数的一般方法，并在ＰＳＰＩＣＥ中以电路宏模型的方式实现了激光器的大信号模型，对激光器小信号调频响应和大信号非线性失真特性进行了计算机时域模拟。     

AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效电路参数值的提取

利用国际通用的ColdFET以及宽带小信号提取方法对AlGaN/GaN HEMT器件进行小信号参数的提取,用仿真软件ADS(advanced design system)建立HEMT小信号等效电路模型,并对参数值进行优化.可快速提取器件的小信号参数并给予工艺一些反馈和指导.     

矩阵式变换器的等效电路模型研究

本文把矩阵变换器分成五个部分，分别应用PARK变换求出相应的等效电路，然后综合成不含开关元件的矩阵变换器线性定常电路模型。运用线性电路的分析方法得出输入功率因数、输出电压增益、输入电流、输入有功功率、无功功率的数学模型，提出了矩阵变换器输入功率最优控制的概念，推出满足这一最优控制的表达式。最后，利用MATLAB进行了有关仿真分析，验证了PARK变换在矩阵变换器研究中的可行性。     

Equivalent Model of a Clock Recovery Circuit

In previous work a jitter model has been used to predict the growth of the timing errors along a chain of PCM regenerators. According to this model each regenerator behaves as a combination of a low-pass filter and a source of noise. The former accounts for the smoothing effect of the time constants of the regenerator, and the latter represents timing errors associated with the clock recovery process. This theory has been brought out under restrictive hypotheses either on the width of the pulses (often assumed very short) or on the form of the nonlinearity in the clock recovery system. In this paper we show that the theory is still valid for any reasonable form of nonlinearity and for pulses wider than the symbol spacing. A method is also given to compute the filter transfer function and the spectral density of the noise.     

一个简单的量子阱激光器等效电路模型

给出一个新的量子阱激光器等效电路模型,由量子阱激光器单模速率方程推导得到并在电路模拟程序ＳＰＩＣＥ中完成。该模型考虑了热辐射效应和分离限制区域（ＳＣＨ）内的载流子工作情况,给出了新的光增益表达式。并利用该模型对单量子阱激光器的小信号特性和瞬态大信号特性进行了预测,模拟结果表明和速率方程的直接求解结果吻合很好。     

SiGe HBT小信号等效电路的参数直接提取

提出了一种求解硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)小信号等效电路模型的参数直接提取方法.整个提取过程使用由小信号等效电路推导出的一系列解析表达式,不使用任何数值优化方法.参数提取结果使用ADS软件仿真验证.结果表明,该方法简单易行,较为精确.     

基于TSV的三维集成螺旋电感等效电路模型

基于硅通孔(TSV)技术,可以实现微米级三维无源电感的片上集成,可应用于微波/射频电路及系统的微型化、一体化三维集成。考虑到三维集成电路及系统中复杂、高密度的电磁环境,在TSV电感的设计和使用中,必须对其电路性能及各项参数指标进行精确评估及建模。采用解析方法对电感进行等效电路构建和寄生参数建模,并通过流片测试对模型进行了验证。结果表明,模型的S参数结果与三维仿真结果吻合良好,证实了等效电路构建的精确性。采用所建立的等效电路模型可以提高TSV电感的设计精度和仿真效率,解决微波电路设计及三维电磁场仿真过程中硬件配置要求高、仿真速度慢等问题。     

MSM光探测器的等效电路模型

本文详细介绍了一套完整的InGaAs MSM光探测器的等效电路模型。模型包括暗电流、直流、交流、瞬态和噪声等特性的等效电路模型。每一部分均从经典的物理模型出发,结合实际情况设计构造,并将理论曲线与试验数据进行了比较,结果是令人满意的。     

串联MEMS开关的一种等效电路模型

本文建立了串联悬臂梁MEMS开关的一个等效电路模型 ,利用该模型研究了开关的微波传输性能 ,并与有限元方法仿真的结果进行比较 ,结果表明 ,本文所建立的模型能很好地反映开关的微波特性     

An Improved Pinchoff Equivalent Circuit Model for Determining PHEMT Model Parameters for Millimeterwave Application

An improved equivalent circuit model under pinchoff condition for extracting parasitic model parameters for Double Heterojunction δ-doped PHEMTs is presented. Good prediction for S parameters and noise performance are obtained up to 40GHz. A modified parameter extraction technique based on this new model was use to determine a PHEMT equivalent circuit model. Signification improvements of the accuracy of S parameters are obtained by using the new pinchoff model.     

VDMOS等效电路的SPICE模型

分析了VDMOS器件中存在的各种寄生效应以及这些寄生效应对器件性能的影响,在此基础上建立了VDMOS等效电路的SPICE模型.通过MEDICI数值分析软件,模拟VDMOS在不同偏置条件下的电压、电流、电容特性,从而提取出VDMOS等效电路模型参数.并用SPICE软件对等效电路仿真,进行了直流分析和瞬态分析,得到等效电路的电学特性曲线图.仿真的结果与MEDICI器件模拟工具模拟结果相互比较,具有较好的一致性.     

一种新型的共模扼流圈等效电路模型

本文运用二端口网络理论,提出了一种应用变压器的等效电路模型来模拟等效共模扼流圈模型的方法。这种新的模型既考虑了线圈漏感、又考虑了铁心损耗和分布电容,与实际模型有更大的相似性,最后用仿真结果验证了此模型的有效性。     

圆极化罩的等效电路模型与设计

给出了多层圆极化罩的等效电路模型和一种设计方法,直接对圆极化罩的等效电路模型进行求解,求解出满足形成圆极化的电路导纳值,根据导纳求解值和电磁场软件仿真可以非常容易地确定每层金属栅的结构参数。基于文中给出的设计方法,分析设计了常用的2 层、3 层和4 层圆极化罩,给出了设计结果和仿真结果,仿真结果和设计结果非常吻合,验证了设计方法的正确性。这种基于电路求解的设计方法具有突出优点:原理清晰、设计简单且设计结果非常准确。