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《固体电子学研究与进展》2017,(2)
介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型。该模型采用SDD的建模方法。提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,并分析了拟合结果。与18GHz的在片loadpull测试结果比较,模型仿真结果显示输出功率及效率与实测数据基本一致。 相似文献
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非对称带状线广泛应用于LTCC微波集成电路系统(MICs)中。首次成功地将微带线不连续性等效电路模型移植到非对称带状线中,分析了其几种不同形式的不连续性,诸如开路端、阶梯、直角拐角和T形结。与数值分析结果相比,其S参数的平均误差均小于2%。 相似文献
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设计了一种用于GaN高电子迁移率晶体管(High-Electron-Mobility Transistor,HEMT)器件栅驱动芯片的快速响应低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)电路,可为高速变化的数字电路提供快速响应的供电电压。该电路采用动态偏置结构,通过在大负载发生时给误差放大器增加一个额外的动态偏置结构,来加快输出端的瞬态响应速度。基于0.18μm BCD工艺,完成了电路设计验证。仿真结果显示LDO瞬态响应时间小于0.5μs,可满足频率达1 MHz的GaN HEMT器件栅驱动芯片应用要求。 相似文献
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介绍了一个基于速率方程的垂直腔体面发射激光器(VCSEL)的等效电路模型,该模型在电路模拟程序Pspice下得到了实现,其仿真结果与实验数据十分吻合。用C语言编写了一个可以自动生成VCSEL宏模型的网表自动生成器。 相似文献
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介绍了单模半导体激光器的大信号、小信号及噪声等效电路模型,给出了确定模型参数的一般方法,并在PSPICE中以电路宏模型的方式实现了激光器的大信号模型,对激光器小信号调频响应和大信号非线性失真特性进行了计算机时域模拟。 相似文献
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In previous work a jitter model has been used to predict the growth of the timing errors along a chain of PCM regenerators. According to this model each regenerator behaves as a combination of a low-pass filter and a source of noise. The former accounts for the smoothing effect of the time constants of the regenerator, and the latter represents timing errors associated with the clock recovery process. This theory has been brought out under restrictive hypotheses either on the width of the pulses (often assumed very short) or on the form of the nonlinearity in the clock recovery system. In this paper we show that the theory is still valid for any reasonable form of nonlinearity and for pulses wider than the symbol spacing. A method is also given to compute the filter transfer function and the spectral density of the noise. 相似文献
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一个简单的量子阱激光器等效电路模型 总被引:1,自引:1,他引:0
给出一个新的量子阱激光器等效电路模型,由量子阱激光器单模速率方程推导得到并在电路模拟程序SPICE中完成。该模型考虑了热辐射效应和分离限制区域(SCH)内的载流子工作情况,给出了新的光增益表达式。并利用该模型对单量子阱激光器的小信号特性和瞬态大信号特性进行了预测,模拟结果表明和速率方程的直接求解结果吻合很好。 相似文献
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SiGe HBT小信号等效电路的参数直接提取 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种求解硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)小信号等效电路模型的参数直接提取方法.整个提取过程使用由小信号等效电路推导出的一系列解析表达式,不使用任何数值优化方法.参数提取结果使用ADS软件仿真验证.结果表明,该方法简单易行,较为精确. 相似文献
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基于硅通孔(TSV)技术,可以实现微米级三维无源电感的片上集成,可应用于微波/射频电路及系统的微型化、一体化三维集成。考虑到三维集成电路及系统中复杂、高密度的电磁环境,在TSV电感的设计和使用中,必须对其电路性能及各项参数指标进行精确评估及建模。采用解析方法对电感进行等效电路构建和寄生参数建模,并通过流片测试对模型进行了验证。结果表明,模型的S参数结果与三维仿真结果吻合良好,证实了等效电路构建的精确性。采用所建立的等效电路模型可以提高TSV电感的设计精度和仿真效率,解决微波电路设计及三维电磁场仿真过程中硬件配置要求高、仿真速度慢等问题。 相似文献
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MSM光探测器的等效电路模型 总被引:2,自引:1,他引:1
本文详细介绍了一套完整的InGaAs MSM光探测器的等效电路模型。模型包括暗电流、直流、交流、瞬态和噪声等特性的等效电路模型。每一部分均从经典的物理模型出发,结合实际情况设计构造,并将理论曲线与试验数据进行了比较,结果是令人满意的。 相似文献
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Jianjun Gao Choi Look Law Hong Wang Sheel Aditya 《Journal of Infrared, Millimeter and Terahertz Waves》2002,23(11):1611-1626
An improved equivalent circuit model under pinchoff condition for extracting parasitic model parameters for Double Heterojunction δ-doped PHEMTs is presented. Good prediction for S parameters and noise performance are obtained up to 40GHz. A modified parameter extraction technique based on this new model was use to determine a PHEMT equivalent circuit model. Signification improvements of the accuracy of S parameters are obtained by using the new pinchoff model. 相似文献
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一种新型的共模扼流圈等效电路模型 总被引:1,自引:0,他引:1
本文运用二端口网络理论,提出了一种应用变压器的等效电路模型来模拟等效共模扼流圈模型的方法。这种新的模型既考虑了线圈漏感、又考虑了铁心损耗和分布电容,与实际模型有更大的相似性,最后用仿真结果验证了此模型的有效性。 相似文献
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给出了多层圆极化罩的等效电路模型和一种设计方法,直接对圆极化罩的等效电路模型进行求解,求解出满足形成圆极化的电路导纳值,根据导纳求解值和电磁场软件仿真可以非常容易地确定每层金属栅的结构参数。基于文中给出的设计方法,分析设计了常用的2 层、3 层和4 层圆极化罩,给出了设计结果和仿真结果,仿真结果和设计结果非常吻合,验证了设计方法的正确性。这种基于电路求解的设计方法具有突出优点:原理清晰、设计简单且设计结果非常准确。 相似文献