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聚苯硫醚涂层/金属基体的界面研究 总被引:10,自引:0,他引:10
用X射线光电子能谱(XPS)研究了聚苯硫醚(PPS)在高温下的化学反应和PPS与不锈钢、铸铁、A3碳钢的结合机理。结果表明,PPS在300℃以上发生了氧化交联和氧化反应,反应中有C-O-C、Ph-SO-Ph和Ph-SO2-Ph基团生成,涂层界面的Ph-S-Ph中的S有23%生成了Ph-SO-Ph和Ph-SO2-Ph。同时初步解释了PPS涂层与金属界面的结合是由于PPS中S原子的孤对电子和金属基体的 相似文献
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纤维涂层对复合材料力学性能的影响 总被引:8,自引:0,他引:8
对于SiC纤维/MAS微晶玻璃复合系统,发现在烧结温度下,纤维和基体之间有较严重的化学反应发生,界面结合强,力学性能较差.通过对NicalonSiC纤维加涂层,发现Nb2O5和c涂层对复合材料的界面结合改善不大,而LCAS晶玻璃涂层能使纤维和基体间的界面结合明显减弱,力学性能大幅度提高,室温抗折强度和断裂韧性分别达327MPa和13.9MPa·m1/2. 相似文献
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等离子、连续爆炸喷涂Cr3C2-25%NiCr层的磨料磨损性能 总被引:2,自引:0,他引:2
在销盘式磨料磨损试验机上,对等离子喷涂(APS)及爆炸喷涂(DS)的Cr3C2-25%NiCr涂层的耐磨料磨损性能进行了研究。试验证明了耐磨性从小到大的顺序。扫描电镜(SEM)对磨损表面分析表明,磨损机理主要是犁沟和应变疲劳两种。用压痕法测定的涂层韧性顺序与涂层的耐磨性顺序一致。 相似文献
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脉冲电流烧结技术的研究进展 总被引:1,自引:1,他引:0
脉冲电流烧结(Pulse electric current sintering,PECS)是材料科学领域开发出的一种新型快速烧结技术,已广泛应用于金属与合金、结构陶瓷、氧化物超时体、复合材料、热电材料、离电材料、高分子材料以及功能梯度材料的制备;检验结果,对脉冲电流烧结非导电性粉体的烧结过程和机理,提出自己的观点。 相似文献
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EC90型便携式氧分析仪(%和10-6)英国Systech公司EC90型便携式氧分析仪,可用来检测从0.1×10-6~30%O2浓度。因而可被用于大多数工业气体和环境空气中氧含量的测定。SYSTECH氧传感器已被众多事实证明的Systech公司的氧传... 相似文献
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动脉硬化平滑肌细胞增殖和凋亡及其调节 总被引:3,自引:0,他引:3
为阐明动脉粥样硬化(AS)斑块发展与稳定的内在机制,围绕动脉增生内膜、AS斑块内平滑肌细胞(SMC)增殖和凋亡密切相关的即刻早期基因(c-fos、c-jun、c-myc)和相关基因(p53、bcl-2、c-sis)表达失衡和重调这一中心展开研究,提出血管SMC增殖和凋亡是决定AS斑块发展的关键环节。 相似文献
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27例乙型血友病患者Ⅸ因子基因突变研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用PCR(聚合酶链反应)及GAWTS(GenomicAmplificationwithTranscriptsSequencing)技术,研究了江苏、湖北、山东、广东、福建、宁夏六省区27例乙型血友病患者及其家系成员FⅨ(九因子)基因各2.2Kb DNA序列。在2l例中发现20种不同类型的突变。其中12种是未曾报道的新突变。38%的突变发生在CpG二核苷致序列上,进一步证实了CpG确系突变热点。同时检出6例女性为致病基因携带者。对开展基因产前诊断及优生优育等,具有重要意义。 相似文献
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采用多弧离子镀技术在1Cr18Ni9Ti表面涂覆Zr、ZrN涂层,通过X-射线衍射物相分析,可知ZrN涂层由单相ZrN(f.c.c)组成,且有较强的(111)面择优取向,采用塔菲尔曲线相交法,测定了涂层在两种介质中的腐蚀电流。用室温全浸泡试验,测定了涂层在20%HCl和20%H2SO4溶剂中的腐蚀速率,并在扫描电镜下观察了涂层腐蚀后的表面形貌,测量了涂层的力学性能。结果表明,Zr膜的耐蚀性明显优于 相似文献
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研究了Ar/He和Ar/H2作为等离子气体的大气等离子喷涂和连续爆炸喷涂三种喷涂工艺的Cr3C2-25%NiCr层抗涂层抗滚动触疲劳磨损性能。试验证明,CDS涂层综合性能最好,三种涂层具有不同的失效机理。 相似文献
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谈CI设计中企业标志的设计纪绍纬CorporateSymbolinCIDesign¥JiShaoweiAbstract:CorporateIdentity(CI)takesanimportantpartincorporateimagewhilecor... 相似文献
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在等离子体化学气相沉积系统(PECVD)中,使用高氢稀释硅烷(SiH4)加乙烯(C2H4)为反应气氛制备了纳米硅碳(nc-SiCx^2H)薄膜,随着(C2H4+SiH4)/H2(Xg)从5%时,由于H蚀刻效应的减弱,薄膜的晶态率从48%下降到8%,平均晶粒尺寸在3.5-10nm。当Xg≥6%时,生成薄膜为非晶硅碳(a-SiCx^2H)薄膜。nc-SiCx^2H薄膜的电学性质具有与薄膜的晶态率紧密相 相似文献
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GaInAsSb是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积(MOCVD)技术在n型GaSb衬底上成功地生长了GaInAsSb外延层,用PL谱、红外吸收谱、X射线衍射和扫描电子超声显微镜(ScanningElectronAcousticMicroscopy,SEAM)等实验手段对GaInAsSb外延层进行了表征。用GaInAsSb材料制作的红外探测器的光谱响应的截止波长达2.4μm,室温探测率D*达1×109cmHz(1/2)/W,2.25μm波长时的量子效率为30%。本文首次给出了GaInAsSb外延层的扫描电子超声显微镜像(SEAM像),为扫描电子超声显微镜在半导体材料方面的应用开辟了一个新的领域。 相似文献