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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
建立了一个MEMS膜开关电容比理论模型,由于这个模型比较全面地考虑了开关阈值电压、维持电压、偏置电压和介质膜内的电场强度等因素对电容比的影响,因而能较为正确地反映开关的电容特性。用数值方法计算了影响开关电容比的因素,并对计算结果进行了分析和讨论。提出了使用脉冲电压作为偏置电压可以使介质膜gj的厚度减少到50nm,从而使开关的电容比增加到3800。最后,讨论了实现高电容比MEMS膜开关的可行性。  相似文献   

2.
罗荣海 《电子世界》2013,(13):71-72
随着新能源产业的发展,变流技术相应得到普遍运用,DC-Link电容作为其中的关键器件选型尤为重要。直流滤波器中DC-Link电容一般要求大容量、大电流处理以及高电压等特性,本文通过薄膜电容和电解电容特性对比以及相关运用分析,得出在要求工作电压高、承受高纹波电流(Irms)、有过电压要求、有电压反向现象、处理高冲击电流(dV/dt)以及长寿命要求的电路设计中,随着金属化蒸镀技术以及薄膜电容器技术的发展,薄膜电容在性能及价格方面替代电解电容将成为设计者今后选择的一种趋势。  相似文献   

3.
《电子产品世界》2004,(11B):52-52
Seiko Instruments公司S—T111系列和S-1200系列是正电压调节器,采用最新CMOS技术,S-1200可以在18μA极低静态电流下保证70dB的纹波抑制比和低噪声LDO。其极低电流消耗保证极高能效,可大大提高电池寿命。S-1200和S-T111使用极小0.1μF陶瓷电容,纹波抑制  相似文献   

4.
三、DIY功放常用电容的种类与选择 1.纸介电容 纸介电容是最早生产的一种薄膜电容,它的最大缺点是体积大,绝缘电阻低于有机薄膜电容和聚丙烯薄膜电容,因此在晶体管电路中早已被淘汰。然而纸介质是最适合与金属化电极结合,也就是说各种介质膜与金属化电极相叠,以纸介质的金属化电极质量最好。  相似文献   

5.
图1中的倍压电路可以将2.5VDC转换为5VDC,或将1.8V转为3.3V。大多数倍压器都采用电感,但这个电路不需要电感。电路使用了一只电容器C,并通过串接的开关对其充电。充电开关使电容C充电,而放电开关开路。在其后的放电周期中,充电开关开路,而放电开关闭合。两个放电开关现在将电容C连接在输入电压源V与输出电容COUT之间。这种连接方法将施加的电压加在一起。于是,输出端的电压值就接近于2VS。  相似文献   

6.
提出了一种检测微小电容信号的可配置的电容-电压转换电路.该电路由电容补偿电路、电荷积分电路、采样保持电路、低通滤波和缓冲器组成.使用调制解调的电容检测方法,实现了电容-电压转换.仿真结果表明,电容分辨率为1.70 aF/√Hz,输出电压信号与电容差成正比,确定系数R2为0.999 99.电路中的积分电容值、放大增益、补...  相似文献   

7.
AVX推出新FLB系列中功率薄膜电容。FLB系列电容采用圆柱形的铝壳,金属化聚丙烯材料,填充使用柔软的聚氯酯(PU)树脂,并配有可直接连接的三相端子。  相似文献   

8.
理论分析了影响射频/微波MEMS电容开关寿命的因素:介质内的电场强度和可动薄膜对介质膜的冲击速度。用三种不同的偏置电压,对介质内电场强度和可动薄膜对介质膜的冲击速度进行了数值分析和比较。提出了在脉冲电压作用下,可得到可动薄膜对介质膜最小的冲击速度和介质内的最小电场强度,从而极大地提高MEMS电容开关运行的可靠性和寿命。实验验证了上述结论。  相似文献   

9.
针对电容发展所面临的电容密度、绝缘强度和高频特性等方面问题,利用兼具横向、纵向电通量的叉指电极结构提出一种新型三维电容。电容测试及分析结果表明采用该设计结构能将电容最高击穿电压增大到40V,最高工作频率提升到10 GHz以上,电容值可调范围比平面电容扩大了2~3倍,有助于解决电容发展中面临的相关问题。  相似文献   

10.
新货架     
①欧博Eric书架式音箱这是欧博第一款独立设计的高保真扬声器,使用铝合金面板,单元由Vifa公司制造。低音单元采用了多项先进技术,用以抑制分割振动、减小互调失真、延伸频率以及减小气流噪声等;高音单元使用了特殊编织膜材料,高频延伸达到24kHz,并采用独特的动态平衡技术及磁液冷却技术,减少失真并提高承载功率。分频器采用极低损耗角的金属化聚丙烯薄膜电容、空心利兹电感,可大幅度降低失真。其声音表现追求平衡自然。  相似文献   

11.
随着无线多媒体网络技术和计算机技术的发展,视频图像处理技术取得长足进步。现阶段我国对视频图像的处理要求越来越高,其相应的通讯技术要求也随之提高。文中论述了视频图像处理中的无线网络与通讯技术,以及与视频图像处理相关工作的完善和提高。  相似文献   

12.
Technology     
《IEE Review》2004,50(2):48-51
  相似文献   

13.
Technology     
《IEE Review》2004,50(4):52-54
  相似文献   

14.
Technology     
《IEE Review》2004,50(9):52-53
  相似文献   

15.
Technology     
《IEE Review》2005,51(1):50-53
  相似文献   

16.
Technology     
《IEE Review》2004,50(8):34-35
  相似文献   

17.
Technology     
《IEE Review》2004,50(3):50-51
  相似文献   

18.
Technology     
《IEE Review》2004,50(12):50-51
  相似文献   

19.
高密度封装技术的飞速发展也给测试技术提出了新挑战。为了应对挑战,新的测试技术不断涌现。本文主要介绍了几种新型测试技术的特点,并对未来测试技术的发展趋势及方向进行了初步分析。  相似文献   

20.
高密度封装技术的飞速发展也给测试技术提出了新挑战。为了应对挑战,新的测试技术不断涌现。本文主要介绍了几种新型测试技术的特点,并对未来测试技术的发展趋势及方向进行了初步分析。  相似文献   

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