什么是“环境额定”？什么是“管壳额定”？——电力半导体器件额定电流如何确定（一）

额定电流是电力半导体器件最重要、最基本的参数之一。这个参数是怎样规定的?不同器件的额定电流的定义或规定有什么不同?使用者应该怎样正确理解和采用器件的额定电流?这些问题看来很简单，不过要真正弄清楚，绝不是简单几句话的事。本刊将分几期在“趣味问答”栏中讨论这些问题。     

新一代真空灭弧室

在2003年国际配电网会议上，Alstom公司介绍了该公司使用“环保设计法”设计的新一代真空灭弧室。新一代真空灭弧室为VG型，其参数可达额定电压40．5kV，额定电流3150A，额定短路开断电流63kA。     

电动机控制保护电器及导线的选用

一、电动机额定电流的速算速查 1．电动机额定电流的对表速查 在实际工作中,往往由于电动机铭牌的损坏、丢 失,或缺乏实用维修电工手册等资料,不能确切知道电 动机的额定电流。现在使用“电动机配用断路器、熔断 器、接触器、电子型电动机保护器及导线选用速查表”, 根据电动机的额定容量,即可查出所对应的额定电流。 例如一台Y132M-4型7．5kW电动机,从速查表查得其额 定电流为15．4A。     

增强型PowerBridge^TM整流器系列器件

此器件为增强型高电流密度PowerBridge^TM整流器的新系列，这些器件的额定电流为10～25A，最大额定峰值反向电压为600～1000V。PowerBridge器件的热构造可提高散热效率。因此，此整流器可以提供较其体积更大产品相同的额定功率，同时需要更少的散热装置。     

开关电源设计中开关管选择方法的研究

开关管作为开关电源的关键器件,其特性是开关变换器电路设计中很关键的问题。文章分析了开关管的各个参数及这些参数之间的相互关系,给出了这些参数对变换器性能的影响,在此基础上给出了开关管的选择方法。文章还详细给出了在市电输入情况下,不同的电路拓扑和不同的控制方式中,所要选用的开关管的额定电压与额定电流的具体数值,为高效率开关电源设计中开关管的选择提供了有效可行的参考方法。     

Vishay推出增强型PowerBridge整流器系列器件

Vishay推出增强型高电流密度PowerBridge整流器新系列，这些器件的额定电流为10A～25A，最大额定峰值反向电压为600V～1000V。与体积更大的桥式整流器相比，PowerBridge器件先进的热构造可提高散热效率，可以提供与体积更大产品相同的额定功率，同时需要更少的散热装置。     

Vishay推出增强型PowerBridge整流器

日前,Vishay宣布推出增强型高电流密度PowerBridgeTM整流器的新系列,这些器件的额定电流为10A至25A,最大额定峰值反向电压为600V至1000V。     

电路保护器件AHEF系列

AHEF系列有七个器件,它的关键参数包括额定保持电流从0．5～10A,最大故障电流额定值100A。该系列所有器件的额定最高工作电压是32V,与欧洲汽车电子设备的最大额定工作电压是一样的。所有器件的最高工作温度均为125℃,不仅可以用于载客车厢,也可以在安装发动机的空间中使用。     

TD480A型真空灭弧室

TD480A型真空灭弧室是我公司应市场需要开发的使用于固体封装绝缘技术的断路器上的小型化真空灭弧室，也可用于充气柜等有外绝缘条件的开关，该灭弧室额定电压12kV，额定电流1250A，额定开断电流31．5kA，外径Φ94mm，安装高度174mm。具有体积小，开断能力强，机械及电气寿命长的特点，并且适用于环氧树脂固体封装技术。     

如何选择和比较耐雪崩MOSFET或具UIS能力的MOSFET

基于不同技术或来自不同厂家的MOSFET,即使RDS(ON)和BVDSS值相接近,也可能在耐雪崩(Avalanche)/UIS能力方面存在很大差异.耐雪崩/UIS能力是许多不同参数的复杂函数,主要取决于裸片尺寸,但也受其它参数影响.大多数产品资料都采用EAS值来表示UIS能力,但EAS值本身并不是比较UIS能力的好方法.有些器件的参数是在额定电流下测量的,另一些则是在额定电流的几分之一情况下测量的.     

创新示来 赢在器件

从真空电子管、晶体管、集成电路、大规模集成电路到超大规模集成电路，每一代新型电力电子器件的出现，总是带来一场电力电子技术的革命。因此，关注器件技术的发展现状及未来趋势对于变频器和电源行业的企业无比重要。由《变频器世界》主办的“电力电子器件创新技术与解决方案研讨会”应需而生，围绕“面向未来的器件创新技术与解决方案”这一主题，     

TD24A-12／1250-25型真空灭弧室

TD24A-12／1250-25型真空灭弧室灭弧室是针对国外用户开发的，主要用于额定电压12kV、额定电流1250A、额定短路开断电流25kA的高压真空断路器上，广泛应用于城网、农网输配电系统及其它高压交流电路中，起开关控制和保护作用。     

CCPD-1024器件的MTF_i实验值的测试

线列CCD MTF_i(积分调制传递函数)是衡量该器件成像性能好坏的重要参数之一。以狭缝象扫描的方法,测得了CCPD-1024器件在“刷扫”重迭率趋于无穷大时的MTF_i。MTF_i的实验值与理论值相比,在列阵方向差别较大,而在列阵垂直方向较为接近。在“刷扫”工作状态下计算CCPD-1024器件的MTF_i值,结果表明:线列CCD的“刷扫”重迭率ζ取1～2较为合理。     

MHP-TA系列：热保护器件

TEConnectivity旗下业务部门TE电路保护部推出了用于锂电池保护的MHP-TA系列超小型（长：5．8mm，宽：3．75mm，高：1．15mm）可重置热关断（TCO）器件，MHP-TA系列具有9VDC额定电压，两种具有不同载流容量水平的产品类型，以及多种额定关断温度。     

开断对真空开关管绝缘性能的影响

本文论述了“无电流关合／无电流开断”，“无电流关合／额定电流开断”以及“无电流关合／额定短路电流开断”三种操作对真空开关管绝缘强度的影响。为此目的，我们对商品化的ＣｕＣｒ触头横向磁场的两种类型的真空开关管进行了试验。我们用实验的方法测定了开关操作前后出现的击穿电压和发射电流。其相应的特性是在老炼后测定的。老炼采用直流电压老炼，其点火脉冲电压为１．２／５０μｓ和５０Ｈ２的交流电压老炼。我们对得到的结     

Vishay推出新型60A、100V双高压Trench MOS肖特基势垒整流器

Vishay公司.推出一款新型TrenchMOS肖特基势垒(TMBS)整流器,其正向电压是迄今为止此类器件中最低的。新型V60100C采用共阴极30AX2配置,其额定电流及额定电压分别为60A及100V,该器件在30A及125°C时正向压降(每脚)为0.70V,在30A及25°C时为0.79V。专为在70W～800W的高频开关模式     

2005年IGBT市场将超过5亿只

步入21世纪，全球电子电力器件市场呈现快速发展的势头，特别是我国，随着近年国民经济发展和对电子电力器件需求的不断增加，市场总规模日益膨胀。据专家预测，“十五”期间电子电力器件的年平均增长速度超过20％，到2005年市场销售额将超过200亿元。而其中高科技产品如IGBT等新型电子电力器件的年平均增长率更是超过30％，较一般电力电子器件的年平均增长率更高，而且未来的市场容量更大，发展前景被广泛看好。     

2005年IGBT市场将超过5亿只

步入21世纪，全球电子电力器件市场呈现决速发展的势头，特别是我国，随着近年国民经济发展和对电子电力器件需求的不断增加，市场总规模日益膨胀。据专家预测，“十五”期间电子电力器件的年平均增长速度超过20％，到2005年市场销售额将超过200亿元。而其中高科技产品如IGBT等新型电子电力器件的年平均增长率更是超过30％，较一般电力电子器件的年平均增长率更高，而且未来的市场容量更大，发展前景被广泛看好。     

能有效测试下一代宽带设计的新测试方法

Credence的ASL 3000RF为无线器件的特性化测试带来了强有力的新工具，帮助工程师面对下一代无线器件及应用，包括802．11WLAN标准和5G移动通信服务，在技术上和经济上遇到的挑战。调制S参数以新视角来看器件性能，提供了“真实”复杂的调制信号作为测试条件。该分析方法结合有调制信号能力的网络分析技术使得S参数对于目前的宽带通讯系统更为有用。     

开合操作对真空开关管绝缘强度的影响

本文阐述了开合操作对真空开关管绝缘强度的影响，给出了详细的实验步骤以及实验结果的数据处理。和前后的击穿电压和发射电流用实验的方法来确定，实验步骤包括“无电流关合／无电流开断”，“无电流关合／额定电流的开断”和“无电流关合／额定短路电流的开断”并研究它们对击穿电压和发射电流的影响，在这些实验中触头间隙是变化的。我们施加的电压波形如下：直流电压、闪烁脉冲电压和５０ＨＺ的交流电压。用从市场上买来的三咎不