GaAsFET大信号模型与参数提取

提出适用于功率ＧａＡｓＦＥＴ的新的大信号模型以及脉冲Ｉ－Ｖ和小信号Ｓ参数相结合的整体化参数提取方法。用研制出的大信号建模软件提取了功率ＦＥＴ的大信号模型参数，并用该模型模拟和测量了器件大信号Ｓ参数，结果完全一致。     

大信号设计GaAs MESFET功率合成

利用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ功率特性的线性化模型，求出ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ近似最佳功率负载阻抗，为利用谐波平衡法计算提供初值。然后，使用自行研制的谐波平衡分析软件包，进行ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ大信号模型参数的提取和非线性电路模拟计算。将两只总栅宽为９．６ｍｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ管芯，利用内匹配功率合成技术，在Ｃ波段（５．５～５．８ＧＨＺ）制成１ｄＢ压缩功率大于８Ｗ，典型功率增益９ｄＢ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ内匹配功率管。     

MESFET和PHEMT大信号建模

分析了ＭＥＳＦＥＴ和ＰＨＥＭＴ大信号建模的现状,提出了在ＤＣ和脉冲两种状态下通用于ＭＥＳＦＥＴ和ＰＨＥＭＴ的有确Ｉ－Ｖ模型;提出了具有二维Ｃ－Ｖ模型精度的一维Ｃ－Ｖ模型格负载线Ｓ参数测量提取方法,提出了采用改进Ｃｏｌｄ ＦＥＴ测量与提取技术进行管壳封装器件建模的方法。本文的大信号模型具有很好的数值收敛性和标准的等效电路。提出了的模型精确地模拟了器件的ＤＣ Ｉ－Ｖ、脉冲Ｉ－Ｖ、偏置样在Ｓ参数、Ｃ－Ｖ     

微波功率FET小信号等效电路参数提取方法

文章针对Ｓ参数提取微波功率ＦＥＴ小信号等效电路参数方法,着重论述二种改进的算法,并应用于我所研制的微波功率２１００μｍ栅宽的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ管芯的小信号等效电路１３只元件参数计算,计算得出的Ｓ参数与实验数据相吻合,提高了计算速度和精度。     

微波MESFET小信号噪声等效电路模型分析

本文将噪声源引入ＭＥＳＦＥＴ小信号等放电路模型，推导了由ＭＥＳＦＥＴ内部参数计算其参数的计算公式及由噪声源引起的各端口噪声电流表达式和噪声参数的计算公式，编制了相应的计算程序和绘图程序，经验证得到了令人满意的结果，说明ＭＥＳＦＥＴ小信号噪声等效电路模型对研究和应用ＭＥＳＦＥＴ是有效的和新颖的。     

大功率FET芯片大信号的S参数

大功率ＦＥＴ芯片大信号的Ｓ参数报导了直至１２ＧＨｚ、６Ｗ下，对１８ｍｍ栅宽ＦＥＴ芯片进行大信号Ｓ参数的测量。此法特点是测得大功率工作状态时的前向参数（Ｓ１１，Ｓ２１）和反向参数（Ｓ１２，Ｓ２２）。ＩＥＥＥＭｉｃｒｏｗａｖｅａｎｄＧｕｉｄｅｄＷａｖｅＬ...     

微波场效应功率放大器的CAD技术

微波场效应晶体管功率放大器的计算机辅助设计与分析技术关键是微波非线性电路的分析方法和功率场效应管器件模型的建立。本文在概述微波ＧａＡｓ ＦＥＴ ＣＡＤ、ＣＡＡ基本原理基础上，着重阐述了分析微波非线性电路的频域谐波平衡法，接着介绍了一个直接从ＧａＡｓＦＥＴ小信号Ｓ参数建立其大信号模型的新方法，上述技术可望在微波功率场效应放大器的批量研制中得到应用。     

自升温效应下的GaAs MESFET大信号模型

本文首先分析ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ在自升温效应下的升温幅度,然后结合器件电学参数随温度变化的特点,对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。修正后的模型更准确地反映了器件的工作特性,应用于ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ功率ＭＭＩＣ ＣＡＤ中能进一步提高电路的设计精度。     

CMOS／SOI电路模拟与参数提取

ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ主要模型参数得一致的提取，因而该模型嵌入ＳＰＩＣＥ后能保证ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的正确模拟工作，从ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和环振电路的模拟结果和实验结果看，两者符合得较好，说明我们所采用的ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ器件模型及其参数提取都是成功的。     

通用于GaAs MESFET和HEMT的精确I_(ds)模型

回顾了十年来国内外在ＧａＡｓＦＥＴ大信号模型方面的研究进展，提出了可用于ＭＥＳＦＥＴ和ＨＥＭＴ的统一的精确沟道电流模型。     

2．4Gb／s跨阻型光前置放大器CAD及验证

阐述了光纤通信前置放大器的设计原理，分析了光接收机中ＰＩＮ二极管和ＧａＡｓＦＥＴ器件的信号模型和噪声模型，提取了放大器用ＧａＡｓＦＥＴ器件的模型参数（包括大信号、小信号和噪声模型参数）。利用ＰＳＰＩＣＥ程序对光前置放大器进行了模拟分析和优化设计，并实际制作了用于２．４Ｇｂ／ｓ光纤通信的ＰＩＮ－ＨＥＭＴ前置放大器。实测结果表明放大器３ｄＢ带宽达到ＤＣ～４．４ＧＨｚ，增益为１８±１ｄＢ；加入ＰＩＮ二极管后的光接收模块的３ｄＢ带宽为ＤＣ～１．６８８ＧＨｚ，满足了２．４Ｇｂ／ｓ光纤通信的需要。     

通用于GaAsMESFET和HEMT的精确Ids模型

回顾了十年来国内外在ＧａＡｓＦＥＴ大信号模型方面的研究进展，提出了可用于ＭＥＳＦＥＴ和ＨＥＭＴ的统一的精确沟道电流模型。     

测量散射参数的交互换位双信号方法及其应用

叙述了外内向功率波复数比的测量方法,给出了散射参数测量的交互换位双信号测量线方法。用此方法测量了双栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ适用散射参数,并用它设计Ｓ波段混合集成双栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ可控增益放大器。测试结果与设计吻合。     

一种提取 Statz MESFET 非线性电容模型参数的方法

文章提出一种Ｓｔａｔｚ ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ非线性电容模型参数的简单方法。它基于逐点拟合和综合拟合法,并以小信号模型数据分布在电容电压特性曲线的三个区为判据,判定提取的电容模型参数的正确性。计算表明,对偏置的电容Ｃｇｘ和Ｃｇｄ数据情况,提取Ｓｔａｔｚ非线性电容模型参数较适用。     

适合于PSPICE的一种精确的功率MOSFET等效电路

建立了一种新的功率ＭＯＳＦＥＴ等效电路，以便利用先进的电路模拟软件ＰＳＰＩＣＥ对功率ＭＯＳＦＥＴ所有特性进行模拟和分析．对ＩＲ公司的各类ＨＥＸＦＥＴ进行的模拟结果与其数据手册中的实验曲线十分吻合，表明该模型具有较高的精确性．     

GaAs MESFET大信号瞬态模拟

本文采用了大信号瞬态分析方法，从砷化镓（ＧａＡｓ）材料参数和器件几何参数出发，通过求解Ｐｏｉｓｓｉｏｎ方程和连续性方程，模拟出ＦＥＴ器件端口特性，得到了大小信号器件模型不同的定量依据，并在此基础上提取出了ＦＥＴ非线性模型参数．本文所开发的软件，其有效性在从材料器件物理参数出发，一步设计出微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）的ＣＡＤ过程中得到了验证．     

偏置相关GaAs MESFET建模分析

通过对利用多组偏置条件下的Ｓ参数获得精确ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ器件非线性模型方法的讨论，提出了新的沟道电流的栅电容模型，并提取了ＤＣ和电容模型参数。实验结果表明该模型模拟值和测量值吻合很好。     

GaAs双栅MESFET的PSPICE直流模型

提出了一种ＧａＡｓ双栅ＭＥＳＦＥＴ的ＰＳＰＩＣＥ直流模型．分析了ＧａＡｓ双栅ＭＥＳＦＥＴ漏极电流与两个控制栅偏置电压之间的关系,给出了漏极电流表达式．通过提取适当的模型参数,其直流输出特性的模拟曲线与实测曲线基本吻合,说明文中提出的ＧａＡｓ双栅ＭＥＳＦＥＴ的ＰＳＰＩＣＥ直流模型是有效的．     

低通滤波器结构的改进分析及模拟

在高频域，ＭＯＳＦＥＴ的分布参数对全集成ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ滤波器的特性有很大影响，本文应用ＳＰＩＣＥ（Ⅱ）通用模拟电路程序，采用非理想运算放大器单极点电路模型，考虑到ＭＯＳＦＥＴ的寄生电容，对一个六阶切比雪夫低通滤波器全ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ平衡结构应用传输线模型进行了仿真分析。     

MOSFET衬底电流模型及参数提取

在短沟道ＭＯＳＦＥＴ器件物理的基础上,导出了其衬底电流解析模型,并通过实验进行了模型参数提取。模型输出与短沟ＭＯＳＦＥＴ实测结果比较接近,可应用于ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ可靠性模拟与监测研究和亚微米ＣＭＯＳ电路设计。