退火工艺对HgCdTe材料位错密度及电学性能影响的研究

实验分别采用高低温退火和循环变温退火方式对液相外延生长的HgCdTe材料进行饱和汞压热处理,研究了两种热处理工艺对碲镉汞材料位错密度及电学性能的影响。结果表明：相较于高低温退火,经循环变温退火后HgCdTe材料的位错密度有了明显的降低,并且材料的迁移率有了显著的提升。研究发现循环变温退火是一种较好提升HgCdTe材料性能的热处理方法。     

富汞开管热处理对碲镉汞性能影响的研究

本文采用富汞开管热处理设备对中波MCT材料进行N型退火,研究并解决了如何控制汞蒸气回流的问题。在相同的退火温度和退火时间,使用开管退火工艺和闭管退火工艺进行了对比实验,研究发现随退火时间的增加,两种工艺处理的芯片霍尔浓度呈下降趋势,载流子迁移率呈上升趋势。当退火温度和退火时间相同时,开管退火工艺的载流子迁移率更高。对开管退火工艺的芯片进行I V测试和器件组件最终测试,其性能较好。     

去除弹簧片热处理工艺的可行性研究

本文以我厂64cmFS显像管弹簧片为例，以热处理加工工艺作为理论依据，通过对弹簧片在热处理、黑化前后其弹性性能、焊接强度及材料钢带的机械性能变化的对比，阐述了去除弹簧片热处理工艺的可行性。     

热处理对片状Fe-Si-Al磁微粉微波电磁性能的影响

以气体雾化Fe-Si-Al(Fe5.5Si9.5Al)合金粉末为原料,采用退火热处理和机械球磨相结合的方法制备出了片状Fe-Si-Al磁微粉,并研究了退火热处理对片状磁微粉微波电磁性能的影响.研究表明:通过对原料进行机械球磨可以获得片状形貌优良、磁性能良好的Fe-Si-Al磁微粉.机械球磨使Fe-Si-Al粉末的磁导率...     

金属膜电阻器膜层的热处理工艺

热处理工艺影响金属膜电阻器的阻值和性能。本文分析了热处理过程中的退火效应、凝聚效应、扩散效应和氧化效应。实验结果表明,660％是最佳热处理温度。     

热处理对电子束蒸发TiO2雕塑薄膜双折射性能的影响

使用倾角电子束蒸发技术制备了TiO2雕塑薄膜,通过对雕塑薄膜在不同退火温度和退火时间下进行热处理,发现热处理工艺可以优化薄膜的双折射特性和相位延迟性能.实验结果表明,TiO2雕塑薄膜的最佳退火条件为500℃下处理4 h,其双折射值达0.115左右,远高于未处理时的最大双折射值(0.06).椭偏仪测试结果表明,最优条件下热处理后的薄膜,在550 nm处相位延迟量达90°,可以作为该波长处的λ/4波片使用.因此,热退火是改善雕塑薄膜双折射性能的一种简单实用的方法.     

铁电PLZT薄膜退火工艺的研究

在无氧气氛下，采用射频磁控溅射法制备了ＰＬｚＴ系列薄膜，对原位溅射薄膜进行了快速退火及常规退火处理，深入研究了退火工艺对铁电薄膜结构与性能的影响。认为采用常规退火工艺处理无氧溅射的薄膜时，铁电薄膜具有更好的晶体结构和铁电性能。     

热处理学组将举办弹性与磁性合金材料热处理训练班

弹性合金材料与磁性合金材料是电子工业中经常使用的关键性材料,其热处理工艺正确与否,对产品性能与强度影响很大。为了提高从事这两项材料热处理工作的技术人员的理论水平,生产技术学会热处理学组决定于今年七月举办《弹性合金材料及磁性合金材料热处理技术训练班》。学员条件:中专以上毕业从事弹性、磁     

红外区熔再结晶SOI GE_XSi_(1-X)合金沟道P-MOSFET的研究

在红外区熔再结晶SOI材料上用MBE的方法形成Si／GexSi1－x／Si量子阱结构．在此基础上，采用常规的P－MOS工艺制造出了SOIGexSi1-x合金沟道P－MOSFET．为避免GexSi1-x合金材料发生蜕化，MBE以后除快速热退火（RTA）以外的所有工艺温度都不超过800℃．直流特性的测量结果表明，与普通Si沟道器件相比，GexSi1-x合金沟道器件的沟道载流子迁移率有所提高．而且，这种器件在性能的进一步提高方面存在着相当大的潜力．     

硅基法布里-珀罗微腔的红光发射

以PECVD为制备工艺，a—SiO2：H／a—Si：H为分布式布拉格反射镜的多层膜，a—SiCx：H为中间腔体发光材料，制备出垂直腔面的发光微腔，根据模拟结果确定了微腔的多层膜层数和排列顺序，并在250C下制备出了这种微腔，将微腔样品分别在不同温度下进行退火，对退火前后的微腔进行了反射谱和光致发光谱研究。结果表明，微腔能激射出波长为743nm，半高宽为9nm的光，在350C退火后发光性能进一步提高，而450C退火后，性能恶化。     

LSMCD技术制备PLT铁电薄膜的退火工艺研究

液态源雾化化学沉积(LSMCD)技术自1992年问世以来就引起了各国科学家的广泛关注。目前，已成功制备出了多种铁电薄膜。该文系统的分析了采用LSMCD技术制备PLT铁电薄膜在退火温度和退火方式的选择对其相结构的影响，在保证PbO不挥发的情况下，退火温度越高，薄膜的结晶越好；采用混合热处理(RCA)制备的薄膜晶粒尺寸较大，形成了连续致密的薄膜，而快速热处理(RTA)虽可以消除焦绿石相，但薄膜晶粒较小。     

不同热处理对SLM TC4组织性能及各向异性的影响

选区激光熔化(SLM)成形的TC4样件强度高、塑性差、各向异性明显。对SLM TC4成形件进行固溶时效、循环退火、循环球化退火+固溶时效三种热处理，采用光学显微镜、扫描电子显微镜、拉伸试验机对热处理所得成形件进行组织观察和性能测试。研究表明SLM TC4成形件微观组织由马氏体α′和马氏体α″组成，强度为1220 MPa左右，延伸率最高达13%;TC4成形件经热处理后板条α相粗化，有等轴α相产生，板条状α相长宽比降为5左右，固溶时效处理和循环球化退火+固溶时效处理的TC4成形件组织中产生二次α相；先950℃固溶1 h,之后550℃保温4 h,此条件下所得成形件的综合力学性能最好，其抗拉强度达到957.9 MPa,延伸率为17.6%,且所有拉伸性能指标的各向异性小于1.2%;循环球化退火+固溶时效处理的样件塑性很高，延伸率达18.3%,同时强度的各向异性不超过2%,固溶时效与循环球化退火+固溶时效处理后力学性能超过国家锻件标准。经过循环退火处理的TC4成形件强度损失较大，但塑性与另外两种热处理工艺相差不大。     

As离子注入碲镉汞的p+n结红外探测器

讨论了制作pn结构的另一种途径，即在n型HgCdTe材料上离子注入As^ 。然后通过辐射快速退火形成反型p^ 层来获得p^ n结。通过对制作工艺及实验结果的讨论，阐述了两种制作pn结工艺的特点，实验表明，采用辐射快速退火工艺可以在短时间内完成对HgCdTe注入表面的缺陷退火和杂质激活，而不会改变HgCdTe组份，已用此方法在注入As^ 的n型HgCdTe样片上制作出性能较好的p^ n结光伏红外探测器。     

质子交换LiTaO3平板光波导的表征

本文采用质子交换法制备了Ｚ切ＬｉＴａＯ３晶体平板光波导，并研究了退火前后波导的光学性能。讨论并用实验结果验证了退火前后波导内折射率的分布，实验证明退火前波导层的折射率分布为阶跃型，退火后其分布为费米型。在６３２．８ｎｍ的Ｈｅ－Ｎｅ激光波长下的测量结果表明：质子交换ＬｉＴＡＯ３波导层折射率增量退火前约为０．０１２，退火后为０．０２５。     

热退火对GaN阴极光电发射性能的影响

热退火不但可以减少GaN阴极样品中的各种缺陷和寄生电容，改善材料的结晶属性，而且可以改善样品的表面质 量，对提高样品的光谱响应是一种有力的手段，对GaN阴极样品进行了不同温度、不同时间的退火处理，使样品的性能得到了改善，最优条件下样品的暗电流为200ｐＡ，电阻率为1.6Ω·ｃｍ，最大光谱响应为0.19Ａ/Ｗ，依据光谱响应作为评估标准，可以得出，采用700℃热退火10min制备出的阴极具有更高的光电发射性能，从而实现了GaN光电阴极的优化制备工艺。     

气氛热处理对无取向硅钢组织及织构的影响

本文以鞍钢生产的50AW 600牌号的无取向硅钢为研究对象,进行常规热处理和气氛热处理试验。根据冷轧无取向硅钢退火工艺的特点,研究了退火温度和保温时间对冷轧无取向硅钢晶粒组织和织构演变的影响;同时,也研究了不同的热处理气氛对无取向硅钢织构的影响。结果表明,气氛热处理条件下的无取向硅钢的晶粒要比常态下及常规热处理条件下的晶粒粗大,且比较均匀;气氛热处理形成了有利织构,提高了其磁性能;同全氢气氛相比较,氨分解气氛更有利于50AW 600无取向硅钢有利织构的形成。     

注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响

分别采用一步和分步注入的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料，并对退火后的材料进行了二次离子质谱（SIMS）分析，结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO2/Si界面处．为了分析材料的抗辐照加固效果，分别在不同方法制作的SIMON材料上制作了nMOS场效应晶体管，并测试了晶体管辐射前后的转移特性．实验结果表明，注氮工艺对SOI材料的抗辐照性能有显著的影响．     

后处理工艺对PCT薄膜形貌与结构的影响

采用射频磁控溅射技术,利用快速退火工艺制备出了大面积(φ120 mm)表面光滑、连续、均匀的(Pb,Ca)TiO3(PCT)薄膜。原子力显微镜和X射线衍射分析结果表明,快速退火处理工艺较常规退火处理工艺具有晶化温度低、晶化时间短、薄膜结晶性能好、易与微电子工艺兼容等优点。经500～550快速退火处理后,PCT薄膜已完全形成钙钛矿结构,最佳晶化温度约为550。     

硅晶体中离子注入应力的红外光弹性测量及研究

根据光弹性原理,利用红外光弹性测量系统,采用Senarmont补偿法,对离子注入工艺应力进行了测量。对离子注入工艺应力、退火后应力、应力的分布、应力随剂量和表面浓度的变化进行了研究。     

锻铝底座热处理新工艺

本文论述了锻铝底座热处理的各种因素。采用新的热处理工艺，使底座的性能得到较大的改善。