非晶硅太阳能电站的设计及经济分析

介绍了非晶硅太阳能电站的设计方法及经济分析。     

非晶硅太阳电池应用和开发的新进展

评述了ａ－Ｓｉ电池的工艺优势、开发水平，市场现况、应有和领域及发展趋向。     

弱光非晶硅太阳电池的研制

讨论了弱光下影响非晶硅太阳电池性能的主要因素,指出要提高弱光下太阳电池开路电压主要应提高太阳电池的并联电阻.用辉光放电法顺序沉积p, i, n三层非晶硅,制作出了弱光非晶硅太阳电池,在200lx白荧光灯照射下,其单位面积最大输出功率达7.76μW/cm2.     

非晶硅薄膜太阳能电池应用开发新进展

非晶硅（ａ－Ｓｉ）薄膜太阳能电池是取之不尽的洁净能源－太阳能的光电元（组）件。文章详述了ａ－Ｓｉ薄膜太阳能电池的工艺优势，市场开发状况，可能应用领域，存在问题和展望。     

非晶硅太阳电池的衰减与退火

讨论了影响非晶硅太阳电池稳定性的因素,介绍了改善非晶硅材料稳定性的方法,进行了非晶硅太阳电池光致衰减测试.描述了电流注入退火和热退火对非晶硅太阳电池性能的改善.     

非晶硅太阳电池电极红外诊断技术研究

本文介绍了红外诊断技术用于探测物体内部结构性质的方法,用这种方法分辩并确定出被测物体现人部缺陷准确的位置,可以进行定量分析。通过对物体的红外辐射过程以及物体内部热传导特性的研究,提出了用经外诊断技术检测非晶硅太阳电池电极质量的新方法,并给出了诊断结果。     

低温高速率沉积非晶硅薄膜及太阳电池

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,保持沉积温度在125℃制备非晶硅薄膜材料及太阳电池。在85 Pa的低压下以及400～667 Pa的高压下,改变Si H4浓度和辉光功率等沉积参数,对本征a-Si材料的性能进行优化。结果表明,在高压下,合适的Si H4浓度和压力功率比可以使a-Si材料的光电特性得到优化,并且薄膜的沉积速率得到一定程度的提高。采用低压低速和高压高速的沉积条件,在125℃的低温条件下制备出效率为6.7%的单结a-Si电池,高压下本征层a-Si材料的沉积速率由0.06～0.08 nm/s提高到0.17～0.19 nm/s。     

大面积高效率高稳定非晶硅太阳电池的研究

根据电流连续性原则和光伏材料选择原则，对叠层电池的电流匹配进行了研究，结果表明，电流匹配是影响叠层电池短路电流和转换效率的重要因素之一，电流匹配可以通过调整单元电池厚度来实现，在此基础上，获得了面积为４００ｃｍ＾２，转移效率分别为８．２８％，７．５２％和６．７４％的ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ，ａ－Ｓｉ／ａ－ＳｉＧｅ和ａ－Ｓｉ／Ａ－Ｓｉ／ａ－ＳｉＧｅ高效率叠层电池。     

电子辐照改善氢化非晶硅的结构弛豫

氢化非晶硅（α-Si:H）的结构弛豫是导致α-Si:H性能光诱导衰变的重要原因之一。用0.5MeV、注量1.3×1020e/cm2的电子束辐照,α-Si转化为微晶硅,不稳定的弱Si-Si键因断裂而减少。α-Si光电池的相应试验初步证实,合适的电子辐照可以缓解α-Si的结构弛豫现象。     

非晶硅太阳电池及其在通信中的应用

介绍了非晶硅太阳电池的发电原理、概况及生产工艺流程;论述了非晶硅太阳电池在现代通信工程设计中的配套应用问题及经济分析,并举例说明。     

PIN型非晶硅薄膜太阳电池仿真研究

运用AMPS软件,对TCO/p-a-SiC:H/i-a-Si:H/n-a-Si:H/metal型非晶硅薄膜太阳电池进行了仿真研究,重点模拟和分析了电池性能参数随i层和n层厚度变化的规律.结果表明,为了获得电池转换效率和短路电流密度的最大值,n 层非晶硅薄膜应尽可能地减小厚度,而i层非晶硅薄膜厚度最好控制在500～700 nm范围内.     

非晶硅太阳电池减反射膜的设计

基于非晶硅太阳电池的工作原理,对其减反射膜进行研究．根据四分之一波长作用原理得到反射率最小时的厚度优化参数．单层减反射膜选用ITO（m=2．0,d=75nm）,加权平均反射率为5．91％．双层膜选用MgF2／ITO,厚度分别为111nm和75nm,加权平均反射率为3．72％．此外,还作出反射率随波长的变化曲线,并通过计算仿真结果进行比较说明如何选材：对于单层减反射膜,采用折射率小的材料能取得更好的效果,而对于双层减反射膜,采用折射率上低下高形式,能取得更好的效果．     

缺陷浓度对非晶硅薄膜太阳电池性能的影响

利用一维微光电子结构分析工具AMPS-1D（Analysis of Microelectronic and Photonic Structures-1D）研究了一种PIN结构的非晶硅基薄膜太阳电池的电流一电压特性。通过系统分析不同缺陷浓度对太阳电池光电特性的影响,探索了在不致严重影响器件性能情况下可容许的最高缺陷浓度。模拟结果表明,若半导体膜足够薄,在带边附近有很高的吸收系数,且具有满足一定条件的迁移率,则可使用含有相当高缺陷浓度（10^16～10^17cm^-3数量级）的非晶硅基薄膜制造出性能良好的太阳电池．     

非晶硅太阳能电池的光学分析

我们采用一种新方法——光学导纳分析,把非晶硅太阳能电池看作由吸收膜和透明膜组成的多层膜系,计算了该膜系的光学导纳,分析了电池的光学性质。 电池吸收谱中存在干涉峰。通过考察各层膜光学参数对光吸收的影响,发现(ⅰ)高反射背接触的电池结构可增加0.6—0.7μm的吸收,(ⅱ)非晶硅膜厚能改变干涉峰在光谱中的位置;(ⅲ)减反膜(AR)与短波区的反射率密切相关,选择最佳AR膜厚能够减少反射损失;并且AR最佳膜厚几乎与非晶硅膜厚无关。     

光诱导化学汽相淀积非晶硅薄膜及其在太阳电池中的应用

本文较系统地评述了光诱导化学汽相淀积(LCVD)技术淀积非晶硅薄膜的开发现状,主要介绍了LCVD淀积非晶硅薄膜 的机理.评价了LCVD淀积非晶硅薄膜的电学和光学特性,最后介绍了这种薄在制备晶硅太阳电池方面的应用.     

激光在非晶硅薄膜太阳能电池制造中的应用

人类进入21世纪,能源问题更为突出,常规能源的匮乏不足,面临在有限资源和环保严格要求的双重制约下实现经济和社会可持续发展已成为全球热点问题。传统的石油、煤等化石能源的开发利用,在一定程度上带来了环境污染、温室效应     

非晶硅太阳能电池的应用

<正> 太阳能是最洁净的能源,它无任何污染和公害,并且取之不尽,用之不竭,有着十分广阔的应用领域。它的开发和应用为人们的生活带来了很大方便。 工作原理 非晶硅太阳能电池是一种新型的太阳能电池。它是可把光能直接转换成电能的半导体器件,具有以下特点:(1)     

纯净化真空电弧沉积非晶硅薄膜

本文阐述了真空电弧沉积（ＶＡＤ）的各种净化方法，并讨论了纯净化的真空电弧在非晶硅膜层沉积方面的应用，包括在制造太阳能电池方面的应用前景。分析表明，真空电弧沉积非晶硅膜，关键在于合理设计弧源使电弧纯净化，采取各种有效方法抑制宏观颗粒对膜层的污染，同时采用适当的等离子体诊断设备，通过调节等离子体微观参数来控制膜层质量。     

佳讯光电成功中标蚌埠2MWp非晶硅示范电站

安徽省蚌埠市2MWp非晶硅太阳能示范电站招标代理蚌埠中源光伏电力于近日宣布，常州佳讯光电（Giansolar）成功中标安徽省蚌埠市2MWp非晶硅太阳能示范电站。该2MWp非晶硅太阳能示范电站位于蚌埠市龙子湖区曹山东南坡，由机械工业第一设计研究院设计。蚌埠中源光伏电力与常州佳讯光电在10月28日正式签署电站工程总承包合同。