氢掺杂C_(60)薄膜的电导性质研究

本文报道了用微波等离子法制备氢掺杂Ｃ６０薄膜．直流电导测量表明,室温下掺杂的电导率要比未掺杂膜的大５个量级．经５７３Ｋ温度退火后,掺杂膜的电导接近,但仍要高于本征膜的电导率,说明仍有少量的氢留在薄膜中．     

硼掺杂半导体金刚石薄膜的合成与红外吸收特性

用热丝协助化学气相沉积法，用Ｂ２Ｏ３作掺杂剂，用丙酮作碳源，成功地合成了硼掺杂半导体金刚石薄膜．本文报道了未掺杂和硼掺杂金刚石膜红外光谱的研究结果．实验结果表明：在０．３０８ｅＶ和０．３４１ｅＶ处产生的吸收是由于金刚石膜中硼原子的基态到第一、第二激发态的跃迁引起的．这个结果证实了硼原子在金刚石膜中以替位方式存在．     

Si掺杂B_4C半导体的热电性能

本文探讨了掺Ｓｉ对Ｂ４Ｃ半导体的热电性能（包括电导率、热导率及Ｓｅｅｂｅｃｋ系数）及显微结构的影响，应用小极化子跃迁机制，讨论了Ｓｉ掺杂Ｂ４Ｃ半导体的传输行为     

轻掺杂氢化非晶硅的制备与光电性能研究

采用等离子体化学气相沉积(PECVD)法,以高纯度硅烷(SiH4)为反应气体,硼烷(B2H6)为掺杂气体,在ITO玻璃衬底上制备出硼轻掺杂浓度的氢化非晶硅(a-Si∶H)半导体薄膜。测量了样品的光暗电导率、折射率、消光系数、禁带宽度随掺杂浓度的变化。结果表明:随着硼掺杂浓度的增加,薄膜的暗电导率先减小后增大。消光系数、禁带宽度等都随着掺杂浓度的增加而变化。在不同工艺条件下,改变硼掺杂浓度,确定了最佳掺杂比(光暗电导率之比最大),制备出适合器件级轻掺杂氢化非晶硅薄膜光敏层。     

氮掺杂富勒烯薄膜电学性质的研究

在氮气气氛中用石墨电弧法合成了氮掺杂富勒烯．质谱、紫外、红外分析等手段证实了样品中含有Ｃ５９Ｎ、Ｃ５９Ｎ２、Ｃ５９Ｎ４、Ｃ５９Ｎ６以及Ｃ７０Ｎ２等分子团簇，对蒸发制备的薄膜进行３小时２００℃退火测得其室温电导率为１e－６（Ｓ／ｃｍ），激活能为０．６９ｅＶ（常温），０．５６ｅＶ（高温）．     

硅分子束外延中硼δ掺杂生长研究

利用硅分子束外延技术和Ｂ２Ｏ３掺杂源，成功地实现了硅中的硼δ掺杂，硼δ掺杂面密度ＮＢ可达３．４e１４ｃｍ－２（１／２单层）以上，透射电镜所示宽度为１．５ｎｍ．我们首次用原位俄歇电子能谱（ＡＥＳ）对硼在Ｓｉ（１００）表面上的δ掺杂行为进行了初步的研究，发现在ＮＢ＜３．４e１４ｃｍ－２时，硼δ掺杂面密度与时间成正比，衬底温度６５０℃，掺杂源温度９０００℃时，粘附速率为４．４e１３ｃｍ－２／ｍｉｎ；在ＮＢ＞３．４e１４ｃｍ－２时，粘附有饱和趋势，测量表明在硼δ掺杂面密度ＮＢ高达４．４e１４ｃ     

高阻碳膜电阻膜层TCR的改进

基于碳膜固有的负电阻温度特性，在从工艺角度解决高阻碳膜电阻膜层ＴＣＲ偏高问题的同时，通过对物质的电导率形成机理的分析，提出了以硼置换碳的改性方案，为彻底实现高阻材料国产化提供了理论和实践的依据。     

射频磁控溅射法制备硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜的研究

研究了工艺参数对硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜形成及光电导性能的影响。采用射频磁控溅射的方法制备了硼轻掺杂的氢化非晶硅薄膜,结果表明,衬底温度和溅射功率对薄膜的沉积速率、掺杂量、光吸收系数、电导率等有着很大的影响,在温度300℃,溅射功率300 W时沉积速率达到最大。通过实验得到的规律可以通过调整工艺参数来得到性能优良的硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜。     

多晶硅膜原位掺杂制备浅发射结的研究

本文对ＰＥＣＶＤ法淀积原位掺杂多晶硅膜并制备浅发射结进行了实验研究，调查了Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨ４比率以及淀积、退火温度等对掺杂多晶硅膜电阻率以及浅发射结形式的影响，结果表明，在３５０～４００℃的较低温度先淀积原位掺杂非晶膜，再１０００℃退火使其相变为掺杂多晶膜的工艺，不但能方便地获得所要求的发射区掺杂量和浅发射结结深，而且还能同时获得满足制备欧姆接触电极要求的低电阻多晶硅膜。     

C60发光器件与异质结

Ｃ_（６０）发光器件与异质结杨国伟（湘潭大学物理系，湘潭４１１１０５）１引言富勒烯作为一种新型的功能材料，已经引起科技界的广泛关注，成为近年来材料研究的热点，尤其是富勒烯中碱金属掺杂的Ｃ５０表现出的高温超导性，以及Ｃ６０、Ｃ７０等表现出强烈的非线性光?..     

用化学掺杂法提高聚合介质抗辐射能力的研究

X射线引起的光电导测量表明聚乙烯对酞酸盐膜掺杂2、4、6三硝基芴酮后会使其辐射诱生电导率大大下降,2、4、6三硝基芴酮对光载子起一个深能级陷阱的作用。这个掺杂介质的辐射诱生电导率为未掺杂材料的1％而且低于我们曾研究过的工业聚合膜。本文描述了这种掺杂膜的制备与介电性能。     

用ICB法制备C60薄膜

用ＩＣＢ法制备Ｃ＿（６０）薄膜１９９０年以来，对作为新材料的Ｃ＿（６０）展开了广泛的研究工作，特别是利用掺杂碱金属来控制电导率，制作临界温度Ｔ＿ｃ＝１８Ｋ（Ｋ＿３Ｃ＿（６０）），３３Ｋ（ＲｂＣｓ＿２Ｃ＿（６０））的超导体，用它制作新电子器件的希望很大...     

C60与聚合物复合膜的制备及其形貌表征

研究表明 ,富勒烯Ｃ60 分子呈现出各种独特的物理化学性能 ,如机械、电学、电化学及光学性质等。富勒烯分子具有的优异摩擦学性能已逐步为人们所重视。富勒烯分子形状的高度对称性和高本体弹性模量使其具有较强的承载能力[1] ,对富勒烯薄膜的摩擦学测试同样表明 ,单一富勒烯薄膜具有较高的承载能力 ,但与有机薄膜相比 ,其摩擦系数较高。因此 ,将有机膜的低摩擦系数与富勒烯分子的高承载能力相结合 ,制备富勒烯分子与有机分子或聚合物的复合固体润滑膜 ,将进一步开拓富勒烯分子在摩擦学方面的应用。迄今为止的大部分研究中 ,Ｃ60 与聚合物复…     

中美学者携手发现全硼富勒烯团簇

正"硼化学和类富勒烯研究取得重大突破!"13日上午,山西大学分子科学研究所翟华金教授兴奋地向记者介绍说,山西大学、清华大学、美国布朗大学及复旦大学化学家密切合作,首次发现了全硼富勒烯B40团簇(All-Boron Fullerene),并将其命名为硼球烯(Borospherene)。该研究成果于13日在国际权威学术期刊《自然·化学》在线发表。翟华金介绍,B40的发现是硼球烯实验和理论研究的开端,是一个与碳富勒烯平行、具有广阔应用前景     

多晶硅膜的高压氧化

对未掺杂的、重磷掺杂的和重硼掺杂的多晶硅膜在812℃,7.5atm的高压水汽中的氧化特性进行了研究.为了比较,同时给出了(111)-Si 和(100)-Si的氧化结果.对未掺杂多晶硅,氧化特性和常压湿氧情况下类似,但标志初始迅速氧化阶段的时间t_1变短.对重磷掺杂多晶硅膜,加速氧化是很明显的.它能得到一个较大的x_(pod)/x_(SOM)厚度比率.对重硼掺杂多晶硅,在高压和常压下氧化速率都比(111)-Si快,但加速氧化的现象小得多.     

硅基SiO2平面光波导中硼磷硅玻璃覆盖层的制备和研究

利用等离子体增强化学气相沉积方法．在SiH4／N2O反应气体中掺入PH3和B2H6制备了用于硅基SiO2平面光波导的硼磷硅玻璃覆盖层．分析了磷掺杂和硼掺杂对折射率的影响，提出了选择掺杂气体流量匹配折射率的方法．研究了退火温度和气氛对膜层性能的影响．高温退火使膜层的折射率趋于稳定，对光的吸收损耗减小；采用氧气退火可以抑制和消除氮气退火时膜层中出现的下透明的微晶粒，改善膜层质量．采用多步沉积退火方法，消除了台阶覆盖层出现的空洞和气泡，得到了台阶的覆盖性和覆盖平坦度都较好的硼磷硅玻璃膜层．     

碲镉汞薄膜材料

研制ＨｇＣｄＴｅ焦平面器件是当前实现长波红外焦平面器件的主要途径。红外焦平面器件要求大面积、均匀性好和高质量的ＨｇＣｄＴｅ材料。用ＬＰＥ、ＭＯＣＶＤ和ＭＢＥ外延生长的ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料可满足焦平面器件对材料的要求。ＬＰＥ是目前研制ＨｇＣｄＴｅ光伏列阵主要材料，用双层掺杂生长的ｐ－ｎ异质结得到当前最高的Ｒ＿０Ａ值。ＭＯＣＶＤ和ＭＢＥ生长的ＨｇＣｄＴｅ外延膜近期有了较大的进展，除了在硅衬底上ＭＢＥ生长ＨｇＣｄＴｅ仍在研究之外，其它已趋向成熟并开始转向工业生产。为了研制高质量的ＨｇＣｄＴｅ外延膜，高质量的衬底材料与建立薄膜均匀性的检测工艺是十分必要的。     

在微晶硅薄膜中替代式硼杂质的非受主态行为

已知,在使用PECVD法沉积的硅薄膜中,掺硼所能获得的最高室温电导率要比在同样沉积条件下掺磷硅膜低一个数量级。我们用SIMS及声表面波技术测得,氢化硅膜中起受主作用的活性硼原子在其总掺硼量中仅占0.7％,而绝大部份掺入的硼原子是非活性的。这是由于氢化硅薄膜网络结构中的氢填补了未饱和的B—Si键,使之形成中性的B—H—Si复合体所致。使用低能电子束流辐照掺硼样品,引起退氢化作用,从而使大量的B—H—Si中性复合体转变成活性的B—Si键,能使其电导率提高一个数量级,达到与掺磷硅膜同一水准。     

晶化对掺杂GD非晶硅薄膜导电性能的作用

在a-Si:H薄膜中进行置换式硼、磷掺杂能引起薄膜结构的变化。在一定衬底温度下,增大r.f淀积功率能使薄膜发生由非晶向微晶及类多晶结构的转化,晶化了的非晶硅薄膜的室温电阻率又可下降三个数量级,其电导激活能也大幅度下降。从而使薄膜的导电性能得到提高。只有在类多晶结构的硅膜中才能获得更高的电导率。     

W波段TWT用硼掺杂金刚石衰减器的热稳定性能研究

针对大功率折叠波导行波管(TWT)对高导热衰减材料的迫切需求,开展了硼掺杂金刚石膜制备和介电性能研究,在此基础上研制出硼掺杂金刚石衰减器并探究衰减器性能的热稳定性。研究结果表明,硼掺杂浓度为1.81×10¹⁹ cm^-3的金刚石膜,在W波段介电常数和损耗角正切平均值分别为7.18和0.30;随着环境温度从室温升高至90 ℃,在85~110 GHz范围内,硼掺杂金刚石衰减器的|S₁₁|由19.67 dB提高至20.94 dB,|S₂₁|由44.03 dB提高至45.63 dB,呈现出较高的热稳定性。