600Hz高抗干扰的尖脉冲发生器

应用红外光电耦合器,开关电源技术,功率绝缘栅双极型晶体管,采集６００Ｈ旋转火花开关的火花绝缘强度的同步变化信号,通过抗干扰信号处理理到放大功率,经过一个特殊的高压脉冲变压器,获得微秒级的同步高压脉冲的输出。控制电路采用全数字控制方式,提高了激励器的抗干扰能力。     

ZCN0545与ZCP0545低功率IGBT及其应用

ＺＣＮ０５４５与ＺＣＰ０５４５低功率ＩＧＢＴ及其应用毛兴武，祝大卫绝缘栅双极晶体管（ＩｓｏｌａｔｅｄＧａｔｅＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），英文缩写为ＩＧＢＴ。该器件于８０年代初问世，８０年代末实现了商品化。ＩＧＢＴ是一种功率半导体器件，主要应...     

高压IGBT的研制

介绍高压绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）的终端和单元的设计与制造技术；实验验证了两种用于１０００～１２００ＶＩＧＢＴ的高压终端，研制的芯片获得了７．５Ａ，耐压１１５０Ｖ的实验结果。     

功率IGBT的驱动保护及其应用技术

文章叙述了功率绝缘栅控双极性晶体管ＩＧＢＴ对驱动电路的特殊要求以及设计驱动电路应该考虑的问题，同时根据这些要求给出了几种功率ＩＧＢＴ的实用驱动和保护电路的应用实例．     

IGBT超小型CO_2激光器高频高压开关电源研究

本文讨论了ＣＯ２激光器绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）超小型高频高压开关电源电路原理与设计方法。它是脉宽调制（ＰＷＭ）单端正激型功率变换器，具有体积小、效率高、操作方便，工作可靠和成本低等优点。     

一种实用的IGBT驱动电路

一种实用的ＩＧＢＴ驱动电路张开如，程斌（山东矿业学院济南分院，济南，２５００３１）功率绝缘栅双极晶体管（简称ＩＧＢＴ）因具有开关频率高、通断电流大等优点而得到越来越广泛地应用。随之而来的各种驱动电路也应运而生，其中有分立元件构成的驱动电路，也有专用的...     

IGBT功率开关模块的发展及应用

文章首先概述了ＩＧＢＴ功率开关模块的发展动态，其次总结和比较了第二、第三以及第四代ＩＧＢＴ功率开关模块的各项技术性能参数，最后着重强调了ＩＧＢＴ的使用及使用中的几个关键性问题。     

150kHz IGBT将代替功率MOSFET

１５０ｋＨｚＩＧＢＴ将代替功率ＭＯＳＦＥＴ张先广孟进１５年前发明ＩＧＢＴ以来，在中等电压范围（４００～６００Ｖ）内，ＩＧＢＴ就有希望代替功率ＭＯＳＦＥＴ，然而直至今日，一直未能实现，主要原因是：过去ＩＧＢＴ的速度较慢，不能满足某些应用的要求，另外，近...     

IGBT的发展现状及应用

介绍了绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）的基本结构，工作原理及其在国内外的发展现状，并阐述了ＩＧＢＴ的独特性能及其在电力电子领域的应用。     

IGBT的应用

本文主要说明绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）特别是单体封装的分立式的ＩＧＢＴ的结构、工作原理、研制方向。最后还介绍了使用分立式ＩＧＢＴ的ＩＨ电饭锅、频闪观测器、通用逆变器等．     

绝缘栅双极晶体管（IGBT）的驱动与保护

在介绍ＩＧＢＴ结构原理及特点的基础上，讨论了设计ＩＧＢＴ驱动电路应考虑的问题和ＩＧＢＴ的过压和过流保护技术。在大功率高压开关电源中的应用证明，所设计的驱动保护电路性能良好。     

IGBT工作特性的理论分析

对绝缘栅双极晶体管（ＧＢＴ）的工作特性进行了理论分析。由于ＩＧＢＴ所含的ＰＮＰ晶体管是宽基区、低增益的，因此在分析其工作特性进用了双极传输理论。在分析瞬态特性进用准静态近似（ＮＱＳ），精确地描述了ＩＧＢＴ的瞬态特性。     

与众不同的SKM系列IGBT功率模块

德国西门康公司生产的ＳＫＭ系列ＩＧＢＴ功率模块，不必使用ＲＣＤ吸收电路，并联时能自动均流，开关损耗不随温度正比地产加，ＳＯＡ曲线为矩形，并具有不必负压关断、短路电流自动抑制、正温度特性且没有寿命刹手特点。本文分析了ＳＫＭ系列ＩＧＢＴ功率模块的特点，并与其它型号ＩＧＢＴ进行了比较。     

高压IGBT制造技术的最新动向

阐述了当前２．５～４．５ｋＶ高压ＩＧＢＴ的最新制造技术和典型器件结构，认为高压大电流ＩＧＢＴ器件的开发成功将为未来电力电子技术的发展提供新的机遇和挑战。     

大功率管的测试

随着ＭＯＳ技术引入功率半导体领域，功率控制器件发生了革命性的变化。在功率控制方面，发展最快的一个领域是高效的电机控制。对这个领域作出巨大贡献的器件是绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）。它们可望把ＭＯＳＦＥＴ和达林顿晶体管挤出传统的应用，这是因为它们在２０ｋＨｚ以下工作于硬开关应用，而在１００ｋＨｚ以下工作于软开关应用状态。功率半导体模块控制兆瓦级的功率。较新的Ｎｅｔｗｏｒｋｅｒ火车已在利用ＩＧＢＴ来控制主牵引电机的速度和通断。所以应当想一想这些庞然大物的测试设备会是什么样子。普通的２Ｎ２２２２或ＩＲＦ…     

IGBT准数值模型和模拟

本文采用数值计算与解析模型相结合的方法，建立了ＩＧＢＴ稳态特性的准数值模型。基于此模型与瞬态特性的电荷控制解析模型，我们开发了绝缘栅晶体管（ＩＧＢＴ）的稳态和瞬态准数值模拟软件包ＩＧＴＳＩＭ，可以模拟与ＩＧＢＴ的几何结构、掺杂分布、少于寿命相联系的直流和关断特性．本文介绍模拟所采用的物理模型、模拟技术和得到的结论，并给出部分模拟实例．     

IGBT式逆变弧焊电源的设计

提出一种实用ＩＧＢＴ（绝缘门极双极晶体管）逆变焊接电源。给出了全桥式串联谐振ＩＧＢＴ逆变焊接电源的原理及分析计算。     

IGBT式逆变弧焊电源的设计

提出了一种实用ＩＧＢＴ（绝缘门极双极晶体管）逆变焊接电源。给出了全桥式串联谐振ＩＧＢＴ逆变焊接电源的原理及分析计算。     

高压IGBT制造技术的最新动向

阐述了当前２．５－４．５ＫＶ高压ＩＧＢＴ的最新制造技术和典型器件结构，认为高压大电流ＩＧＢＴ器件的开发成功将为未来电力电子技术的发展提供新的机遇和挑战。     

绝缘栅双极晶体管直流电参数高温性能的测试与分析

通过对绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）直流参数温度特性的测试分析并与ＶＤＭＯＳＦＥＴ进行比较，从中得出ＩＧＢＴ能够承受更大的电流密度，其导通压降在高温下较之ＶＤＭＯＳＦＥＴ有较大的优势。