MeV Si离子注入对BF_2注入Si样品特性的影响

本文利用卢瑟福背散射及沟道（ＲＢＳ／Ｃ）技术，二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术等研究了ＭｅＶＳｉ离子束轰击对ＢＦ２注入Ｓｉ样品特性的影响．结果表明，退火后在ＢＦ２注入形成的ＰＮ结结区内仍有大量的二次缺陷．退火前附加一次ＭｅＶＳｉ离子轰击可以有效地消除ＢＦ２注入区内的二次缺陷，抑制Ｂ原子的扩散，并提高Ｂ原子的电激活率．     

硅中离子注入硼的异常扩散

本工作用不同的Si~+预注入能量,改变注入损伤分布与离子注入硼杂质分布的相对位置,观察快速热退火中注入损伤对硼异常扩散的影响.结果表明,引起注入硼异常扩散的是点缺陷,而不是硼间隙原子的快扩散.而注入损伤中的点缺陷和簇团分解释放的点缺陷是驱动硼异常扩散的因素之一.如果注入损伤形成了扩展缺陷,那么扩展缺陷重构和分解将发射点缺陷,这是驱动硼异常扩散的另一个因素.     

硼和磷离子注入硅中的异常载流子剖面分布

观察了硼和磷离子注入 Si 中的载流子浓度剖面分布和异常增强扩散。将不同注入能量、不同剂量、常规退火和快速退火得到的结果进行了此较。结果表明:(1)对剂量小于或等于10~(14)cm~(-2)的硼离子注入,没观察到异常的载流子剖面分布。随着剂量的增加,将出现异常增强扩散尾;(2)不管退火方法如何,在磷离子注入中观察到了异常的载流子剖面分布和增强扩散尾。     

硅中注入硼的异常扩散

<正> 浅结制备是超大规模集成电路发展的关键技术之一。硅中硼、磷等杂质注入,在退火时发生异常扩散,使浅结的控制困难。异常扩散是一个瞬态快速扩散过程。对于硼,在退火开始时,杂质分布尾部推移极快,随之减慢,恢复正常扩散。这一过程用衰变时间表征。     

衬底预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响

本文研究了不同剂量,不同能量硅自注入预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响。对于10keV硼注入情形,只要含硼表面层是充分预非晶化的,都可得到结深为0.15μm左右的浅结。     

离能离子注入硅的无损表征

将能量为３ＭｅＶ，剂量为５×１０＾１５ｃｍ＾－２的硼离子注入硅单晶，经１０５０℃，２０ｓ退火形成导电埋层。本文应用Ｘ－射线双晶衍射分析高能离子注入硅的损伤演变。通过分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应的光学响应，应用计算机模拟红外反射谐，获得了载流子分布，迁移率和高能注入离子的电激活率。     

硅中硼离子注入层的卤钨灯辐照快速退火研究

本文研究了SiO_2掩蔽膜硼离子注入硅的卤钨灯辐照快速退火,测量了注入层表面薄层电阻与退火温度及退火时间的关系,得到了最佳的退火条件。对于采用920(?)SiO_2膜,25keV、1×10~(15)cm~(-2)的~(11)B离子注入样品,经不同时间卤钨灯辐照退火后,测量了注入层的载流子浓度分布,并与950℃、30分钟常规炉退火作了比较。结果表明,卤钨灯辐照快速退火具有电激活率高、注入杂质再分布小以及快速、实用等优点。     

离子注入有机聚合物

本文综述了聚合物在离子注入下对结构、化学、光学、电学等性质的影响,并评估了其潜在用途。     

强流离子注入均匀性控制

本文讨论了强流离子注入机的全机械扫描靶室中实现剂量高均匀性和高重复性注入的变速扫描设计原理及控制技术。     

金属中注入氮离子改善抗磨粒磨损性能的研究

在金属材料(轴承钢、铝、钛)中注入不同剂量的氮离子,用称重法测量被注材料抗磨粒磨损性能的改善状况。当注入剂量达到10~(17)/cm~2时,此性能有所改善。在(2～5)×10~(17)/cm~2范围内,此性能改善状况较佳。     

离子注入在Power MosFET中的应用

本文结合笔者的科研,论述了离子注入在Power MOS FET制作中的应用,并指出:由于离子注入较之扩散具有一系列优点,因此,离子注入不仅在制作Power MOS FET中作用巨大,而且在其他功率器件中的应用也将越来越广泛。     

提高金属材料离子注入效益的一条新途径

本文评述了在金属材料领域中应用离子注入技术的现状;阐明了提高离子注入效益的一条新途径:不仅以离子注入技术改变工模具的性能,延长其使用寿命,而且以离子注入技术来显著提高金属产品的质量。文末还对进一步发展离子注入的前景做了展望。     

用硅离子注入SiO2层方法制备的纳米硅的光学性质

报道了用硅离子注入热氧化生长的SiO2 层后热退火的方法制备纳米硅样品,并在室温下测量了样品的光致发光谱及其退火温度的关系.实验结果表明,在800℃以下退火的样品的发光是由于离子注入而引入SiO2 层的缺陷发光.在900℃以上退火,才观察到纳米硅的发生,在1100℃下退火,纳米硅发光达到最强.纳米硅的发光峰随退火温度升高而红移呈量子尺寸效应.在直角散射配置下,首次观察到纳米硅的特征拉曼散射峰,进一步证实了光致发光谱的结果.     

高能离子注入硅的无损表征

将能量为3MeV,剂量为51015cm-2的硼离子注入(100)硅单晶,经1050℃,20s退火形成导电埋层。本文应用X-射线双晶衍射分析高能离子注入硅的损伤演变。通过分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应的光学响应,应用计算机模拟红外反射谱,获得了载流子分布,迁移率和高能注入离子的电激活率。     

离子注入金属材料表面改性

本文着重叙述了最近以来离子注入金属材料改性新的进展。离子注入金属的研究,其研究对象品种繁多,需要高注量,且样品形状复杂,因此离子注入金属中的物理问题比半导体离子注入更加复杂。包括各种离子注入多种金属所出现的溅射腐蚀、倾斜注入、特球形状注入、离子浓度分布、注入条件与金属相变的关系以及离子注入提高耐磨损机理等诸多难题。离子注入金属材料改性研究近年来极为活跃,已发表了不少评论文章。希望这篇评论能对从事离子束材料改性工作的人员有所帮助。     

离子注入对轴承材料耐滚动磨损性能的影响

本文小结了用Cr+Mo+N和Cr+Mo+B的离子直接注入GCr15和Cr4Mo4V两种轴承材料后对其耐滚动磨损能力的影响。试验结果表明,无论是用活化法(TLA)还是称重法,注入后的耐磨性能都有1—3倍的提高。     

离子注入SOI材料的红外吸收谱分析

用傅里叶红外吸收谱对不同热处理条件下的SOI样品进行了系统的分析,结果表明:对于190keV,1.8×10~(18)/cm~2N~+注入的样品,在低于1100℃的温度下退火可保持氮化硅埋层的无定形态,而～1200℃热退火则导致氮化硅埋层的结晶成核现象。对于200keV,1.8×10~(18)/cm~2O~+注入的样品,氧化硅埋层的形成是连续渐变的,注入的氧化硅埋层向常规的热氧化非晶态SiO_2转变的激活能为0.13eV。