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采用传统固相反应法制备了Bi_2O_3掺杂的0.35PNN-0.60PZT-0.05V_2O_5压电陶瓷。通过X线衍射、扫描电镜等测试手段对其烧结特性、晶体结构、微观形貌和介电性能进行研究。结果表明,Bi_2O_3掺杂能降低0.35PNN-0.60PZT-0.05V_2O_5陶瓷的烧结温度,影响相结构,改变微观形貌,并优化电学性能。当Bi_2O_3的质量分数为1.0%时,0.35PNN-(0.60-w%)PZT+0.05V_2O_5+w%Bi_2O_3实现900℃烧结,表现出优异的电学性能:压电常数d33=580pC/N,机电耦合系数kp=0.65,介电常数εr=6 100,介电损耗tanδ=0.006 1,品质因数Qm=65。 相似文献
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采用固相反应法制备了(Bi2–xNax)(Zn1/3Nb2/3)O7陶瓷,研究了Na+替代Bi3+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7基陶瓷烧结性能、显微结构和介电性能的影响。替代后样品的烧结温度从960℃降至约880℃;当替代量x≤0.20时,相结构保持单一的单斜焦绿石相,随替代量进一步增加出现立方相;温度为–30~+130℃,替代后样品出现明显的介电弛豫现象,弛豫过程中的激活能约为0.40eV。用缺陷偶极子和晶格畸变对Na掺杂Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7基陶瓷的介电弛豫现象作出简要解释。 相似文献
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采用传统固相反应法制备Bi2O3-ZnO-Nb2O5基陶瓷.研究Na+、Ni2+分别替代Bi3+、Nb5+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷烧结特性和介电性能的影响.替代后样品的烧结温度从960℃降低到870℃左右.在-30~+130℃,陶瓷样品的温谱中出现明显的介电弛豫现象,弛豫峰所在温区较宽,当Ni2+替代量增加到0.2时出现双弛豫峰;随着Ni2+替代量的增加,弛豫峰值温度向低频移动,弛豫激活能增加,两弛豫峰的间距增加.用缺陷偶极子和晶格畸变对Na-Ni掺杂Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7的介电弛豫现象作出简要解释. 相似文献
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研究了Sm2O3掺杂的Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)基陶瓷(Bi1.5–SmxZn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(0≤x≤1.5,BSZN)的结构x和介电性能。实验采用传统的固相反应法制备陶瓷样品,XRD分析样品的相结构。结果表明:未掺杂的BZN陶瓷其结构为立方焦绿石单相;当Sm2O3掺杂量较少(0相似文献
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《电子元件与材料》2017,(11):12-15
主要采用固相反应法,将原料粉体经过混料、球磨、预烧、成型和烧结后制备Ba_3La_2Ti_2Nb_2O_(15)(BLTN)微波介质陶瓷。研究了不同量的Bi_2O_3掺杂对BLTN微波介质陶瓷烧结行为、显微结构和介电性能的影响。结果表明:Bi_2O_3的添加不仅能有效降低BLTN陶瓷的烧结温度,而且显著提高了其相对介电常数(ε_r)和品质因数。当Bi_2O_3添加量为0.2%(质量分数)时,陶瓷的烧结温度由1440℃降低到1360℃,并呈现较好的微波介电性能:ε_r=55,Q·f=13 500 GHz(4.71 GHz),τ_f=–2.35×10~(-6)℃~(-1)。 相似文献
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《电子元件与材料》2016,(7)
采用水热法,以K_2WO_4·2H_2O和La_2O_3为原料,以草酸为沉淀-模板剂,在pH=7,180℃下,通过调控草酸的添加量制备出了纯四方相结构的球形KLa(WO_4)_2:5%Eu~(3+)纳米晶。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及荧光光谱(PL)对不同条件下制备出的产物物相、形貌以及荧光性质进行表征,探讨了草酸添加量对产物形貌及发光性能的影响。结果表明,在初始溶液的pH值为7,摩尔比n(C_2O_4~(2-))/n(La~(3+))=0.3~0.5时,得到表面光滑直径为6~7μm的"足球形"KLa(WO_4)_2:5%Eu~(3+)纳米晶,在393 nm激发下在614 nm处发光性强,草酸起到控制游离La~(3+)浓度和模板剂的作用,草酸添加量对产物的形貌及发光性能起到重要作用。 相似文献
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当配比Bi_2Ru_2O_7/玻璃从15/85变化到70/30,850℃烧结后,方阻从1.60MQ/□变到6.28Ω/□,TCR从-60ppm/℃变到200ppm/℃。当配比Bi_2Ir_2O_7/玻璃从20/80变到70/30,780℃烧结,方阻从1.1MΩ/□变到77.9Ω/□,TCR从-274ppm/℃变到269ppm/℃。高温(950℃)煅烧制得的Bi_2Ru_2O_7、Bi_2Ir_2O_7与低温(600℃、700℃)制得的相比,方阻高,TCR较负,前者宜作高电阻膜,后者宜作低电阻膜。掺入Al_2O_3、SiO_2使方阻增大,而TCR和噪声良好,TiO_2使TCR较负。Au粉使方阻急降,但改善TCR。Pt粉对方阻和TCR无明显影响。Bi_2O_3或MnO_2使TCR由正值偏向负值方向。150℃、1000小时热存放后,Bi_2Ru_2O_7低阻变化较大,高阻变化率为±1%;Bi_2Ir_2O_7阻值变化率小于0.8%。Bi_2Ir_2O_7与Bi_2Ru_2O_7相比,噪声低,TCR略大。 相似文献
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Lasing at 1.3 μ upon flash photolysis of 2-2-2 tri-fluoroethyliodide, CF3 CH2 I, has been observed on the2P_{1/2} -2P_{3/2} magnetic dipole allowed transition of atomic iodine. Using an 800-J flash, a maximum peak power output of approximately 108 W for 10-μs duration at half-maximum intensity was obtained with a pressure of 17 torr CF3 CH2 I. 相似文献
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K. C. Goretta V. R. Todt D. J. Miller M. T. Lanagan Y. L. Chen U. Balachandran J. Guo J. A. Lewis 《Journal of Electronic Materials》1995,24(12):1961-1966
Three methods were used to introduce flux-pinning centers into Bi2Sr2CaCu2Ox (Bi-2212) and TlBa2Ca2Cu3Ox (Tl-1223) samples. It was found that carbon induced local decomposition, that nanosized Al2O3 additions created stable reaction products, and that second phases could be isolated in Tl-1223 during synthesis. Each of
these defects enhanced flux pinning and was of most benefit at temperatures ≤ 35K. 相似文献
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氟氧化物玻璃陶瓷综合了传统激光晶体和激光玻璃的优点,是近年来激光材料研究的新热点。我们制备了掺杂Er离子的SiO2-Al2O3-PbF2-ZnF2玻璃陶瓷材料,并对其显微结构进行了初步研究。 相似文献
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