MEMS封装和微组装技术面临的挑战

１引言经过近１０年的发展，MEMS（微电机械系统）已从最初的实验探索阶段发展到具有广泛应用的可行技术。在商品消费市场上，MEMS封装和MEMS器件制造业已取得了重大的发展。在MEMS制造中，人们使用了硅基集成电路技术将具有机械特征的尺寸减至微电子尺寸。在同样一块芯片上将机械性能和电子电路结合起来提供了一系列制造新产品的方法，而这些是传统的制造和设计方法不能实现的。最初的MEMS是指以硅为基底的装置，但现在它不只限定于硅材料。MEMS器件已经超出了电子和机械的功能限制。今天，这些器件已具有机械、光学、液体、热功…     

电子封装与微组装密封技术发展

近年来,电子封装和微组装技术进入了超高速发展时期,新的封装和组装形式不断涌现,而其标准化工作已经严重滞后,导致概念上的模糊,这必然会对该技术的发展造成影响.力求将具有电子行业特点的电子封装和微组装密封的内涵和特点加以诠释,并对其发展提出见解和建议,以促进该技术的发展.     

硅通孔(TSV)转接板微组装技术研究进展

以硅通孔(TSV)为核心的三维集成技术是半导体工业界近几年的研发热点,特别是2.5D TSV转接板技术的出现,为实现低成本小尺寸芯片系统封装替代高成本系统芯片(So C)提供了解决方案。转接板作为中介层,实现芯片和芯片、芯片与基板之间的三维互连,降低了系统芯片制作成本和功耗。在基于TSV转接板的三维封装结构中,新型封装结构及封装材料的引入,大尺寸、高功率芯片和小尺寸、细节距微凸点的应用,都为转接板的微组装工艺及其可靠性带来了巨大挑战。综述了TSV转接板微组装的研究现状,及在转接板翘曲、芯片与转接板的精确对准、微组装相关材料、工艺选择等方面面临的关键问题和研究进展。     

微电子封装与组装中的微连接技术的研究

从现阶段微电子技术发展情况来看,微电子封装与组装中的微连接技术得到了较为广泛地应用,这对于满足微电子技术发展需要来说,起到了至关重要的作用。本文主要分析了微电子封装与组装中的微连接技术,就相关技术手段进行了分析和阐述。     

电子封装和组装中的微连接技术之四

8、钎料熔滴与焊盘的界面反应 球栅阵列(BGA—Ball Grid Array)、倒扣(FC—Flip chip)封装已经逐步成为高密度微电子封装的主流，其关键技术之一是凸点制作，凸点的特性直接影响到封装的可靠性。最常采用的凸点材料为Sn基钎料，目前常用的凸点制作技术一般采用蒸镀、电镀、印刷、拾放等方法将钎料合金、钎料膏、钎料球等预先置于基板上的凸点下金属化层(UBM—Under-Bump Metallurgy)上，     

MEMS封装技术的发展及应用

封装技术在微电子机械系统(MEMS)器件中的地位和作用越来越重要。本文归纳与总结了MEMS封装的特点和发展趋势,重点对MEMS封装技术的应用进行了分析,最后给出一些有益的想法和看法。     

电子产品的微组装技术

随着微电子技术领域的新工艺、新技术的不断实用化,电子产品的组装技术从手工操作阶段迈入了微组装时代,电子产品实现了小型化、便携式、高可靠。国际半导体技术发展路线图对未来组装技术的走向也做了定位,指出组装和封装技术是影响集成电路（IC）工作频率、功耗、复杂度、可靠性和成本的重要因素。本文简要介绍微组装技术的发展过程,对微组装技术的发展现状、发展趋势及应用前景进行综述。     

满足高密度组装的SMT三维封装堆叠技术

随着人们对手持式电子设备不断提出的微型化、多功能化和集成化的需求,转化为采用三维(3D)方式装配印制电路板(PCB)强大推动力。实现三维装配的成功道路之一是通过在芯片规模封装(CSP)采用晶芯堆叠的方法,实现三维装配的另外一条成功之路是通过封装器件的堆叠来实现。文章中将封装堆叠作为SMT工艺流程中的一个组成部分进行了介绍。     

采用ThinSOT封装的微功率升压变换器内置肖特基二极管和输出断接功能

凌特的LT3464是一种带集成肖特基二极管及输出断接晶体管的高效微功率升压变换器.LT3464利用一个电流限制及恒定关断时间开关拓扑和一个115mA(典型)内部开关电流来提供高达34V的输出电压.     

一种低成本专用混合微电路封装技术

随着半导体技术的发展,无论是对产品的技术指标、长期可靠性还是其成本,选择合适的封装技术显得极其重要。文章介绍了一种混合微电路硅胶滴注封装工艺,它具有美观、成本低、可返工的特点,同时又能适应震动、高温等恶劣环境,还能满足中等功率电路的散热需求。     

微电路封装中的铝钎焊技术

为满足电子系统小型化、轻量化、高性能、高可靠等要求,采用铝合金材料做封装外壳和布线基板已提到议事日程.但铝合金外壳的密封和钎焊存在一系列有待解决的问题,影响了铝合金材料的高导热率和质量轻等性能的充分发挥.文章介绍了一种采用低温铝钎焊料和钎焊技术的铝合金外壳基板钎焊和密封方法.     

采用MEMS工艺制作封装载体的LED封装技术

针对SiC衬底的白光LED技术研究和智能化半导体照明技术发展的需求,基于Si材料的功能特性和物理特性,研究了将Si作为SiC基LED封装载体的相关技术.采用MEMS的加工工艺,设计了精确尺寸的芯片安装腔体和高效率的反射层,抑制了Si本体材料对光的吸收,提高了芯片侧向光的导出效率.通过分析光窗形貌及封装胶折射率对白光LED光效的影响,给出了一个全新的SiC衬底的白光LED封装的技术路线,为LED芯片与驱动一体化封装的实现奠定了技术基础.实现了完整的加工过程和样品制备,测试表明光效大于130 lm/W,热阻小于4.6℃/W.     

电子器件封装工艺技术新进展

该文扼要分析了电子器件封装技术迅速发展的成因，预测了电子封装新技术的发展方向，深入阐述了引脚布置方式的突破，BGA技术的发展，GBA和倒装芯片结合的优势，CSP产业化的关键，在晶圆片上进行CSP封装的新工艺，以及倒装芯片和CSP封装的综合比较。     

谐振梁压力传感器的气密封装技术

文章介绍了谐振粱压力传感器的气密封装技术，全面分析了影响气密封装的各种因素，提出了相应的解决方法。     

瓦级半导体激光器光束整形装置

介绍了一种采用光束远场发散角分割的方法 ,利用已有专利的微片棱镜堆光束整形器 ,对瓦级半导体激光器光束整形 ,该装置由半导体激光器、微柱透镜、柱面透镜、微片棱镜堆、聚焦系统和光纤组成 ,该方法可在一定程度上改善整形效果 ,具有结构简单、加工和装配容易的优点     

一种微电路封装中锡膏印刷钢网开口处理方法

针对微电路封装中的锡膏印刷钢网开口,提出了一种新的处理方法。通过自编程序,直接对CIF格式的印刷钢网数据进行焊盘自动识别和焊盘形状的自动处理。利用公开软件,实现CIF数据与其他钢网数据之间的互相转换。该方法具有处理速度快、精度高、易于实现等特点,适用于处理各种EDA软件导出的锡膏印刷钢网开口数据。     

质子注入等平面GaAs梁式引线混频管

本文论述质子注入等平面GaAs梁式引线混频管的特点、器件结构及工艺途径.根据理论分析及实验,采用厚度合适的选镀金层作为掩蔽膜,选定合适能量及剂量的多能量叠加质子注入条件,得到较为满意的实验结果,制成的样管在8mm波段测得的变频损耗Lc=5～5.5dB.     

大功率半导体激光器光束整形

提出一种新型堆积式半导体激光器(LD)光束整形方案,材料为K9玻璃,其入射面为一长方形,出射面为一正方形,一个侧面为平面,另一个为斜面,斜面倾角为3°。利用此棱镜对LD输出光束进行变换,可得到7mm×7mm的正方形光斑,光强起伏小于5%,在此范围内的光能量占总辐射能量77%。     

Beam Lead Tunnel Diode Amplifiers on Microstrip

The characteristics of beam lead tunnel diodes and their application in low-cost microstrip reflection amplifiers are discussed. Three low-noise C-band amplifiers are described, including one with the amplifier printed directly on a garnet substrate with a three-port Y-junction circulator.