中间退火对高纯铝箔立方织构的影响

采用晶体取向分布函数（ODF）研究和分析了中间退火对高纯铝箔立方织构的影响。研究结果表明：中间退火对高纯铝箔冷轧形变织构影响不大,但对成品退火箔材中立方织构和R织构含量产生重要影响,在300C/2h中间退火条件下,成品箔材中再结晶立方织构物取向密度最大,R织构含量较小。     

高压阳极电容铝箔生产工艺对立方织构的影响

综合分析了高压阳极电容铝箔生产工艺对立方织构的影响，包括化学成分、热轧，冷轧及热处理工艺等，力求最大程度地增加铝箔中立方织构的含量，以达到提高铝电解电容器比电容和组织均匀化的目的。     

微量稀土对高压阳极电容铝箔织构演变的影响

采用晶体取向分布函数方法（ODF）和X射线衍射测定板面晶面衍射强度研究和分析了在高纯铝加入微量稀土（Y）对箔材织构演变的影响。研究结果表明：添加微量稀土，能改变高纯铝箔中变形织构组分的相对强度，随稀土含量增加，黄铜取向密度增加，S织构组分减少，成品退火箔材中立方织构含量随稀土含量增加就相应减少。当稀土含量为0.0030%时，成品退火箔材中立方织构取向密度最大。其作用机理是稀土元素Y化学活性强，能与铁等微量杂质元素形成一系列化合物，析出后可净化基体，降低基体中铁等杂质的浓度，消除杂质元素对高纯铝箔中立方织构形成的不利影响。     

冷轧形变量对异步轧制高纯铝箔织构的影响

应用取向分布函数(ODF)研究和分析了异步轧制高纯铝箔的形变织构和再结晶织构.结果表明:异步轧制高纯铝箔的形变织构除了C{112}<111>、B{110}<112>和S{123}<634>织构组分外,还有较强的CubeND{001}<110>和{102}织构.异步轧制高纯铝箔的再结晶织构由强的立方织构{001}<100>和弱的R{124}<211>织构组成.随着形变量的增加,异步轧制高纯铝箔的形变织构和再结晶织构呈现规律性的变化,{102}织构减少,S织构先增后减,速比较小时C织构近线性减少,速比较大时C织构则先增后减.异步轧制高纯铝箔的退火样品中有很强的立方织构,这与异步轧制提高高纯铝箔的形变储能有关,形变量过大时,立方织构随形变量的增加急剧减少.{102}织构有利于再结晶立方织构的加强.     

微量铅和铬酸盐对高压铝箔腐蚀行为的影响

研究了含微量铅和无铅高压阳极铝箔在铬酸系和非铬酸系溶液中的电化学腐蚀行为和对比电容的影响.用扫描电子显微镜观察了铝箔的腐蚀形貌.结果表明,重铬酸盐腐蚀和微量铅均可单独使高压阳极铝箔在腐蚀过程中发孔均匀,并提高比电容.相关的环保型高压铝箔生产技术还有待深入开展.     

铝箔针孔及其对阻隔性的影响

铝箔是采用纯度99％以上的电解铝,经过压延制作而成。铝具有资源丰富、价格低、容易加工等优点,作为包装材料使用时,铝箔是包装材料中唯一的金属基材。铝箔无毒、无味,具有优良的导电性和遮光性,有极高的防潮性、阻气性和保味性,能最有效地保护被包装物,是一种至今尚未能被代替的包装材料。无论是何种蒸镀薄膜,还是涂布的特种薄膜,都不能完全取代铝箔。在现代包装装横领域中,几乎所有要求不透光或高阻隔的复合软包装材料均采用铝箔做阻隔层。金属铝具有高度致密的金属晶体结构,理论上完美的铝箔能完全阻隔任何气体、水蒸气和光线…     

低压阳极铝箔表面状态对铝箔点蚀行为的影响

采用二次离子质谱仪分析了微量元素在低压电解电容器用阳极冷轧铝箔表层的浓度分布.用扫描电子显微镜观察了冷轧箔300℃和500℃真空退火1h后的腐蚀形貌,并检测了相应的比电容值.结果表明,微量元素会不同程度地偏聚在铝箔表层,并进一步富集于表层的位错、机械划痕等缺陷附近.300℃退火1h可以促使铝箔中的微量元素向表面位错附近的富集,但不足以实现向机械划痕区域的富集.500℃退火1h不仅可以实现微量元素向机械划痕区域的富集,而且还会降低缺陷区域平衡偏聚的浓度,使铝箔表面微量元素的分布趋于均匀化.在铝箔的腐蚀过程中点蚀优先在表面缺陷与微量元素相结合的部位出现.表面均匀分布的微量元素会减小点蚀孔坑的大小,并提高点蚀孔坑的密度和腐蚀箔的比电容.     

电场时效对LY12铝合金微变形行为的影响

研究了电场时效处理中电场强度对LY12铝合金的微屈服强度和微变形行为的影响，也研究了直流电场时效和脉冲电场时效对合金微变形行为的影响。结果表明，适当的电场时效可以使合金的微屈服强度明显提高，优选出最佳的电场时效工艺参数是：E=2kV／cm，190C／10h。     

薄膜制备中的微蚀孔问题

研究了自终止腐蚀停法制备浓硼重掺杂硅薄膜的腐蚀孔问题．许多MEMS结构需要进行2次或2次以上的深刻蚀,有些需要在多次深刻蚀后释放超薄的悬空薄膜结构,这时薄膜表面极易出现微小的腐蚀孔．分析可知,微蚀孔并不完全在第2次腐蚀的过程中形成,而是从第1次深腐蚀过程中对掩膜层的钻蚀开始的．对掩膜层的钻蚀,导致硅表面出现轻微腐蚀,形成细小的凹坑,并在浓硼扩散和第2次深腐蚀中被放大,最终在成膜过程中形成小孔．分析了微蚀孔的成因,提出了工艺上的解决方法,形成了一套重复性好的成膜工艺．     

可防止酸及酱油侵蚀的铝箔

日本东洋铝业公司开发出一种铝箔，在与酸接触时不会受到破坏。一般的铝箔均含有小量的铁、铜和镁；这些元素可提高铝箔的强度，但却使其抗蚀能力降低。新的铝箔材料中减少了这些影响抗蚀性能的成分，但是增加了锰的含量以确保其强度。     

Al含量对含25%Ba的Si-Ba合金物相结构的影响

在含Ba量为25%的Si-Ba合金中加入不等量的Al,研究其对合金物相结构的影响规律.结果表明:含Al量大于2.5%时,其合金不再粉化,这是由于Al_Ba、(Si、Al、Fe)2等物相的生成,抑制了Si-Ba二元化合物的大量形成.     

基坑爆破对边坡变形的影响

结合广州中旅城深基坑爆破施工引起的边坡变形进行现场观测与理论分析,提出了挡土桩边坡基坑爆破动力变形的计算方法,解决了设计和施工中的关键技术问题     

酸溶铝含量对车轮性能的影响

拟在车轮钢冶炼中采用降低钢中加铝量的工艺以杜绝因大尺寸Al2O3夹杂导致的车轮次表面疲劳破损，但减少钢中加铝量会导致钢中酸溶铝含量的降低，是否会影响成品车轮性能值得关注。为此，进行了实物车轮奥氏体晶粒度对比试验分析及成品车轮性能的统计分析。分析结果表明，将车轮钢中酸溶铝含量降低至0．010％以下，在现热处理工艺下，车轮奥氏体晶粒度和性能未发生明显变化，降低钢中加铝量这一工艺值得推广。     

RC带翼缘剪力墙变形能力计算方法研究

通过3个T形截面RC剪力墙的拟静力试验,分析了各变形分量所占比重及其在加载过程中的变化规律。以此为基础,基于截面的弯矩-曲率分析,采用考虑等效塑性铰区高度变化的集中塑性铰模型建立了墙肢弯曲变形计算方法,通过对Lowes滑移模型的修正建立了纵筋滑移引起的变形计算方法,根据剪应变与曲率间的线性关系建立了剪切变形计算方法。据此提出了一种全新的考虑弯曲、纵筋滑移和剪切变形贡献的带翼缘剪力墙荷载-变形分析模型,其计算结果与试验吻合良好。研究表明,该文提出的分析模型不但变形分量计算明确,对层间位移及任意高度处的变形均可做出准确估计,同时对于不同截面形式的剪力墙具有广泛的适用性,为性能设计和性能评估提供了一种有效的分析手段,可供工程设计参考。     

铝箔坯料晶粒的显示和测定

用混合的强酸侵蚀铝箔坯料表面，通过显微观察及数码摄影技术，可准确检测铝箔坯料的晶粒大小，与常规的图片比较法相比，提高了晶粒测定的准确度。     

聚丙烯薄膜形变对微观结构的影响

用X射线衍射的方法分析了聚丙烯流延薄膜受单向拉仲作用后形变的微观结构,得到了形变后微晶尺寸和点阵畸变的数值,找出了聚集态精细结构随形变而变化的微观规律。     

铝质易拉罐泄漏原因分析

采用金相、扫描电镜及能谱仪等测试方法，对铝质易拉罐内侧表面进行了分析，认为造成其泄漏的主要原因是铝质易拉罐内侧表面保护涂膜存在微裂，龟裂及气泡等缺陷，饮料中含有氯离子沿这些缺陷渗入纛铝质基体，致使铝质易拉罐产生电化学腐蚀而穿洞泄漏。     

SiO2对铝合金熔体直接氧化的影响

本文研究了在高温空气氛中涂覆在Al-Mg-Si合金表面的SiO₂对铝合金直接氧化的影响规律。实验揭示了SiO₂对Al-Mg-Si合金熔体直接氧化生长表面的形态的影响规律,发现SiO₂有助于Al₂O₃/Al复合材料以光滑的方式进行氧化生长,提高了材料的致密度。实验还发现,SiO₂可消减Al-Mg-Si合金熔体直接氧化所需的孕育期,缩短Al₂O₃/Al复合材料的生长时间。     

端部约束箍筋对受弯破坏RC剪力墙变形能力的影响

该文从机理分析、试验验证以及有限元模拟三个角度分析了端部约束箍筋对钢筋混凝土剪力墙变形能力的影响规律。混凝土应力-应变模型以及平截面假定的理论分析结论表明当原钢筋混凝土剪力墙破坏为混凝土压溃或钢筋屈曲的受弯受压破坏时,端部约束箍筋对其变形能力有积极作用;反之,如果原剪力墙破坏表现为钢筋拉坏的受弯受拉破坏,增加约束箍筋没有明显的影响。以端部箍筋为参数的剪力墙试验和有限元Vector2的分析结果均支持以上结论。提出了增加端部约束箍筋是否能影响无约束剪力墙变形能力的判定公式,公式能准确判断剪力墙破坏类型,从而判定箍筋是否对其变形能力产生影响,判断公式与试验对比结果非常符合。     

有限变形下的后继屈服面演化规律研究

有限变形下的后继屈服面会出现膨胀或收缩,移动和畸变等变形特征。基于塑性变形的滑移机制,建立了适用于有限变形条件下的多晶塑性本构模型。提出了一种混合硬化假设,可以一致描述后继屈服面演化中的等向、运动和畸变硬化以及正或负交叉效应、包氏效应等。预测了2种加工硬化铝合金（A16061-T6511和annexed1100A1）分...