WO3的气敏特性研究

通过实验,结合气敏元件分析方法,对WO3气敏元件的气敏特性、响应与恢复时间、电阻特性、初期驰豫特性进行了系统分析。为进一步开发研制WO3气敏元件提供了可靠的数据。     

一种新的气敏光纤传感材料

作者研制成功一种新的气敏光纤传感材料SnO2:ZnO,并对它作了甲醇试验。SnCl4:ZnCl2的重量比为1:1最好,是一种有前途的光纤(光学)气敏材料。     

气敏传感器集成化的研究

本文回顾了气敏传感器的发展史,针对限制气敏传感器发展的诸因素,提出了解决问题的思路;指出了集成化的关键在于敏感膜的设计和制备,最后讨论了几种有前途的集成气敏传感器单元。     

MQK—2气敏元件的特性与应用

MOK—2型气敏元件是根据进口和国内通用型气敏头在实际使用中存在RO漂移、敏感特性过于广谱、寿命短而反复研制的:1.采用烧结半导体工艺,形成的敏感烧结体,具有稳定的RO阻值,保证了长期的稳定性;2.自然贮存失效率降至千分之二以下;3.单电源供电,其功耗仅0.7W左右;4.对城市煤气、石油液化气、天然气、丙丁烷、氢气等有极高的灵敏度和信噪比,MQK—2型气敏元件技术特性如下:     

半导体气敏元件长期稳定性的影响因素

介绍了近年来文献中半导体气敏元件长期稳定性的研究现状。总结了敏感材料制备条件,敏感材料在长期使用过程中的物理和化学性质变化,以及催化剂失活等主要因素对气敏元件长期稳定性的影响。最后讨论了未来提高气敏元件长期稳定性的研究重点(重点要解决敏感材料在制备、使用过程中的团聚问题)和研究方向(采用改变制备方法来优化材料结构,通过掺杂和表面修饰来改变材料性质等)。     

半导体材料γ-Fe_2O_3超细粉的制备与改性

以Fe（NO3）3·9H2O2为源物质，乙二醇为溶剂，用Sol－gel法制备了平均粒径为10nm的γ-Fe2O3和掺Y2O3的γ-Fe2O3超细粉，并同时对样品的热稳定性、物相、微结构和气敏性能作了分析和测定．结果表明，掺入适量Y2O3后能使γ-Fe2O3的相变温度提高到775℃，这将使γ-Fe2O3基气敏元件的稳定性得到改善．两种超细粉制成的旁热式厚膜气敏元件对H2和CO几乎不敏感，而对C2H5OH、C2H2、液化石油气（LPG）和汽油则有较高的灵敏度．     

气敏元件和传感器技术的发展现状

本综述了气敏元件、传感器技术现状及发展趋势，分析了市场需求，提出了发展建议。     

纳米氧化铁基气敏材料的研究进展

综述了1998~2002年间纳米氧化铁基气敏材料的研究进展,对其制备方法(sol-gel法,固相合成法,化学沉淀法,微乳液法及水热法等);气敏机理,即表面电阻控制型(a -Fe2O3)与体电阻控制型(g -Fe2O3)进行了探讨。还总结了掺杂效应对气敏性能的影响,并对未来气敏材料的发展,提出了几点建议。     

实现气敏元件高选择性的一种方法

本文提出一种提高半导体电阻式气敏元件选择性的新方法。这种方法的基本出发点是互补反馈原理。这种新型气敏元件的结构与原有的不同,由两种不同特性的敏感体组合而成,其组合方式可以是N-N,P-P,N-P等。文中给出了有关的理论讨论和在此理论指导下制作的高选择性乙醇气敏、丁烷气敏元件的实验结果,证明此理论是正确的。     

气敏元件的结构工艺研究

对几种工艺结构的氧化物半导体气敏元件进行对比,阐述了气敏元件的结构和工艺对气敏元件性能参数的影响。并介绍一种新型结构的氧化物半导体气敏元件。     

离子注入金属材料表面改性

本文着重叙述了最近以来离子注入金属材料改性新的进展。离子注入金属的研究,其研究对象品种繁多,需要高注量,且样品形状复杂,因此离子注入金属中的物理问题比半导体离子注入更加复杂。包括各种离子注入多种金属所出现的溅射腐蚀、倾斜注入、特球形状注入、离子浓度分布、注入条件与金属相变的关系以及离子注入提高耐磨损机理等诸多难题。离子注入金属材料改性研究近年来极为活跃,已发表了不少评论文章。希望这篇评论能对从事离子束材料改性工作的人员有所帮助。     

提高金属材料离子注入效益的一条新途径

本文评述了在金属材料领域中应用离子注入技术的现状;阐明了提高离子注入效益的一条新途径:不仅以离子注入技术改变工模具的性能,延长其使用寿命,而且以离子注入技术来显著提高金属产品的质量。文末还对进一步发展离子注入的前景做了展望。     

全方位离子注入技术

等离子体离子注入(PII)是一种用于材料表面改性的新型离子注入技术。PII分为两类,用于金属表面改性时称为等离子体源离子注入技术(PSII),用于半导体材料表面改性时称为等离子体浸没离子注入(PIII)。本文介绍一种新的PII技术,称为全方位离子注入(All Orientation Ion Implantation),采用横磁瓶电子迴旋共振等离子体源,样品上的负高压可以是直流、交流或脉冲方式,本装置可以工作在离子注入和动态离子束混合两种模式。     

离子注入模型

本文结合我们的科研工作,阐述了半导体器件工艺模拟中的离子注入模型,并指出,由于离子注入具有能精确控制工艺参数,并能在较大面积上形成薄而均匀的掺杂层等特点,因此在工艺模拟中选用合适的离子注入模型对于提高工艺模拟的精确性是十分重要的。     

离子注入有机聚合物

本文综述了聚合物在离子注入下对结构、化学、光学、电学等性质的影响,并评估了其潜在用途。     

离子注入对轴承材料耐滚动磨损性能的影响

本文小结了用Cr+Mo+N和Cr+Mo+B的离子直接注入GCr15和Cr4Mo4V两种轴承材料后对其耐滚动磨损能力的影响。试验结果表明,无论是用活化法(TLA)还是称重法,注入后的耐磨性能都有1—3倍的提高。     

硅离子注入对聚醚氨脂表面浸润性和结构的影响

本文研究了经硅离子束轰击的医用聚醚氨脂材料。结果表明材料表面浸润性和结构都发生了明显变化。在室温下用40,60,80,100keV能量的硅离子在2×10~(13)～2×10~(16)ions/cm~2剂量范围内分别对材料进行注入。表面浸润性是通过测量材料表面和蒸馏水的接触角变化完成的。结果表明随着剂量的增加,水接触角从82.1°下降到68.8°。用扫描电镜(SEM)已观察到经注入的材料表面变得粗糙。电子能谱化学分析(ESCA)和电子自旋共振(ESR)分析表明:注入的硅离子打断了材料表面的某些化学键而产生了一些新的自由基,这是表面改性的主要原因。     

强流离子注入均匀性控制

本文讨论了强流离子注入机的全机械扫描靶室中实现剂量高均匀性和高重复性注入的变速扫描设计原理及控制技术。     

强束流脉冲钼离子注入H13钢的研究

利用国内第一台金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源引出的钼离子对H13钢进行了不同束流密度下的注入。根据以碰撞和扩散理论为基础的YJH1程序计算了钼在H13钢中的分布。背散射(RBS)证明了这种计算的合理性。电镜(TEM)分析表明:随着束流密度的增大,注入层内将有钼化物出现。最后讨论了析出的钼化物对杂质浓度深度分布的影响。     

低能离子束在薄膜淀积中的应用

本文介绍利用已建成的双束低能离子束薄膜淀积系统,制备Si、Ge、GaN低温外延膜,Si/CoSi_2/Si多层结构膜,以及金刚石多晶膜。