SH系列乳白石英远红外加热元件中气泡作用的分析

本文通过对SH系列乳白石英远红外加热元件中气泡作用的分析,阐述了这种远红外加热元件的节电机理。     

微波元件材料性能和加工、安装误差对电性能的影响

通过对微波元件材质、表面粗糙度、加工和安装误差对元件电性能的影响的比较，阐述其对保证元件电性能和系统功率容量的重要性并提出合理的解决方法。文中的数据由测试获得。     

快速、低成本SiC光学元件的加工技术

碳化硅（SiC)是制作高性能光学元件的最佳材料，具有优于铍和低膨胀玻璃陶瓷的比刚度（r/E)、热导率和尺寸稳定等性能，但在预压、铸造、成型和精加工过程中的高额费用却成为其在光学系统中广泛应用的主要障碍。即便是在为该项任务特殊设计的专用设备上，使用金刚石磨削的过程也是缓慢且昂贵的。本文描述的加工方法是利用多轴计算机数控（CNC）机床对一种特种石墨材料进行加工。这种石墨很容易被加工成任意复杂的形状，同时又能满足轻量化要求。然后将加工后的石墨件完全转化成SiC。这种转化保持了良好的尺寸稳定性。转化成SiC后的光学表面覆盖着细小颗粒，用传统的光学抛光技术对其进行抛光便可获得理想的表面光洁度。     

纳米碳化硅对浆料流变学及碳化硅性能的影响

研究纳米碳化硅颗粒对凝胶注浆料流变学特性及反应烧结碳化硅性能的影响。利用凝胶注模(gel-casting)成型工艺制备碳化硅素坯,经过脱模、干燥、预烧结和反应烧结等工艺,制备含有纳米碳化硅颗粒的反应烧结碳化硅(RBSC),总结了固含量、球混时间和纳米碳化硅含量对浆料流变学特性的影响机制。实验结果表明:加入纳米碳化硅颗粒后,浆料流变学特性由剪切变稀转变为先剪切增稠后剪切变稀。随着纳米碳化硅的加入,反应烧结碳化硅的力学性能不断提高,当纳米碳化硅颗粒含量达到7%时,反应烧结碳化硅的抗弯强度和弹性模量分别提高到345 MPa和339 GPa,与未加纳米碳化硅颗粒相比,分别增加了18.1%和13.8%。纳米碳化硅的加入改变了浆料的流变学特性,提高了反应烧结碳化硅的力学性能。     

片式阻容元件的和发展方向

在国外的片式元器件（ＳＭＤ）外，片式阻容元件发展最快，主要表现为片式化率迅速上升，尺寸越来越小，性能越来越好，包装形式多样化和生产管理不断改进。本文综述了国外阻容元件在这些方面的进展，指出了我国的差距，提出了我国如何发展的措施。     

远红外加热在自行车涂装工艺上的应用

简介了三种适用于自行车涂装工艺中的远红外加热元件,指出由远红外加热元件所组成的固化烘道是一种辐射、传导和对流的耦合加热方式。综合分析了这类烘道在实际使用中的烘温曲线,并得出结论:对氨基醇酸漆而言,合理布置SHQ石英管和优质碳化硅板,就能得到理想的固化烘道,其烘温曲线为正态分布。     

环形钛酸锶元件电性能的控制研究

研究了不同LiOH掺杂量和烧结温度对环形钛酸锶元件电性能的影响。实验结果表明,随着LiOH含量的增加,压敏电压先降低,后升高,在x(LiOH)为4.5%时,电压呈现最低值;同时,烧结温度也是影响电性能的重要因素之一,1400℃是电性能发生明显变化的转折点。借助SEM对样品进行了观察和分析,发现LiOH主要是通过影响晶界的行为来控制元件宏观的电性能。     

加热低电阻率半导体晶片的微波行波谐振器

建立起一台加热低电阻率半导体晶片的行波场谐振器及加热器,实际微波电路测试结果与理论分析相当一致,对能够加热直径达150mm晶片的加热器也进行了研究,另外还给出了温度分布的理论推算及实际温度分布的测量结果,     

非致冷红外微测辐射热计的自热效应分析及重要参数测定

在考虑器件自热效应的情况下,对微测辐射热计的性能进行了深入地理论分析,应用了微测辐射热计的有效热导Ｇｅｆｆ概念,得出对于一定的热导的器件,存在着最佳工作偏置电流Ｉ０ｏｐｔ这一重要结论,并找到一种通过电学测量确定微测辐射热计有效热导Ｇｅｆｆ和有效时间常数τｅｆｆ的方法．试验结果与理论分析符合．     

优化红外加热的机理和应用

根据晶格动力学和声子理论,阐述了晶格振动的固有频率与晶格结构和杂质性质的相互关系,在此基础上研制了高温节能耐腐蚀陶瓷涂料,使匹配波段的能谱优化,提高了热辐射的传热效率。     

微机械的制造及其应用

本文在简述微机械制造的基础上,通过实例介绍了微机械在电子技术中的应用。     

CdTe／ZnS复合钝化膜的界面电学特性研究

利用ＭＩＳ结构研究了长、中、短波碲镉汞材料，新型热蒸发ＣｄＴｅ／ＺｎＳ钝化膜界面电学特性及其与工艺条件的关系．结果表明，ＣｄＴｅ／ＺｎＳ双层膜界面电学参数依赖于界面预处理条件，在适当的工艺条件下，平带电压几乎为０，固定电荷密度为－４×１０１０ｃｍ－２，慢态密度为５．１×１０１０ｃｍ－２，界面态密度为２．７×１０－１１ｅＶ－１．ｃｍ－２．     

氧与激光辐照对多孔硅光致发光光谱的影响

将化学腐蚀后的多孔硅样品分别置于大气和氧气中,用激光连续辐照其表面.观察到多孔硅的光致发光光谱峰位随辐照时间增加发生蓝移,最后达到稳定,在真空中作同样处理的多孔硅光致发光峰位却没有移动.X射线光电子谱测量结果表明,在大气及氧气中激光辐照的多孔硅层内并未探测到二氧化硅,结合红外吸收光谱实验,认为蓝移的原因可能是氧置换了多孔硅内表面的硅,出现Si-O-Si结构的结果.     

富碲碲化铅薄膜的晶体结构、表面形貌、元素深度分布和中红外光学常数

对由富碲( <1mol.% )碲化铅晶体材料热蒸发制备的薄膜进行了表征.结果表明:薄膜是多晶的,具有NaCl型晶体结构,表面晶粒分布均匀,在膜层的深度方向约 170nm内富碲的组分均匀分布.对比薄膜表面抛光前后的中红外光学常数表明表面散射对薄膜光学性质的影响极小.     

非晶金刚石与非晶碳化锗复合增透保护膜系的设计与实现

为了有效保护硫化锌等红外光学元件并提高其在工作波段的透过率,根据薄膜光学原理进行增透设计,从而获得膜系光学参数;采用射频磁控溅射技术制备非晶碳化锗薄膜,通过调整甲烷流速比调整薄膜的折射率,根据流速比和沉积时间控制膜厚,再用过滤阴极真空电弧技术制备非晶金刚石薄膜,分别改变衬底偏压和沉积时间控制薄膜的折射率和膜厚.利用光谱椭偏仪和台阶仪表征薄膜折射率和膜厚,通过小角X射线反射和X射线光电子谱测试非晶金刚石薄膜的密度和非晶碳化锗薄膜中的锗含量,使用纳米压痕仪和傅里叶红外透射谱仪确定薄膜的硬度和红外透过率.试验表明,非晶金刚石和非晶碳化锗薄膜的折射率分别与薄膜的密度和薄膜中的锗含量密切相关,非晶金刚石与非晶碳化锗复合膜系是硫化锌等红外光学元件性能优异的增透保护膜.     

三值电路和电路三要素理论

本文基于四值代数,提出三值电路的统一理论电路三要素(信号,网络和负载)理论,该理论表明:门级与开关级电路间,开关级电路结构间,动态与静态电路间存在简单的转换关系,依照这个关系很容易由三值函数式设计出三值电路,尤其能基于一个电路方程同时推出三值动态和静态电路。     

离子注入高温退火对4H-SiC MESFET特性的影响

采用人造刚玉高温炉管对 4 H- Si C进行 16 2 0℃的离子注入后退火 .实验测试发现 ,在刚玉管壁析出的微量铝的作用下 ,Si C表面与残余的氧成分反应生成衍生物 Si OC,造成材料表面粗糙和反应离子刻蚀速率很低 .分别采用该种样片和正常样片制作了单栅 MESFET,对比测试的欧姆接触和 I- V输出特性 ,评估了高温退火后材料表面对器件的影响