用强流金属离子源研究Ti－Si化合物的形成

利用金属蒸汽真空弧（ＭＥＶＶＡ）离子源引出强流Ｔｉ离子注入单晶硅，当ＭＥＶＶＡ源引出电压为４０ｋＶ，束流密度达到１００μＡ／ｃｍ２，Ｔｉ离子剂量为５×１０１７／ｃｍ２，Ｔｉ离子注入单晶硅可得到Ｃ５４－ＴｉＳｉ２的注入层，且薄层电阻低于３．０Ω／□．本文用束流热效应讨论了形成硅化物的机理．     

考虑异种帧相关性的VBR MPEG视频源混合回归模型

ＭＰＥＧ作为一种国际动态图像压缩标准,其越来越广泛。为在通信网络上有效地传输和控制ＭＰＥＧ可变经特率（ＶＢＲ）数据流,第一个关键问题就是如何建立它的统计模型,目前已有的视频源模型都没有考虑不同类型帧之间的相关性,并不能很好地模拟ＶＢＲＭＰＥＧ视频源。本文首次提出了一咋处世划种帧相关性的ＶＢＲＭＰＥＧ视频源统计模型,混合回归（ＣＲ）模型,及其参数估计算法,实验结果表明,和传统的自回归（ＡＲ）模型相比     

KEVLAR─—光纤光缆和电缆的新材料

本文介绍了美国杜邦公司（ＤｕＰｏｎｔ）发明并工业化生产的高强高模新材料──ＫＥＶＬＡＲ纤维，ＫＥＶＬＡＲ纤维以其独特的性能被广泛地应用于光纤光缆和电缆的生产。     

高压RESURF LDMOSFET的实现

利用ＲＥＳＵＲＦ技术，使用常规低压集成电路工艺，实现了适用于ＨＶＩＣ、耐压达１０００Ｖ的ＬＤＭＯＳＦＥＴ。本文介绍了该高压ＬＥＭＯＳＦＥＴ的设计方法、器件结构、制造工艺测试结果，此外，本文还从实验和分析的角度探讨了覆盖在漂移区上面的金属栅－金属栅场板长度ＬＦ对ＲＥＳＵＲＦ器件耐压的影响。     

图象在ATM中的统计复接

ＭＰＥＧ是当前图象压缩编码中广泛使用的国际标准，ＭＰＥＧ标准的图象编码器产生的比特流是时变的，而目前的ＳＴＭ网络中信道速率是固定的，这样ＶＢＲ的图象比特流不能直接接入ＣＢＲ的信道。ＡＴＭ网络作为一种全新的网络，对于ＶＢＲ图象比特流的接入没有限制，同时由于它对于ＶＢＲ的业务采用了统计复接技术，所以ＡＴＭ非常适合于传送ＶＢＲ图象业务。本文主要讨论了基于ＳＴＭ和ＡＴＭ的系统对ＭＰＥＧ编码的影响，并介绍了     

高版本MS—DOS中INTERLNK的使用

本文主要讲述了使用ＩＮＴＥＲＬＮＫ实现双机通信的方法，对ＩＮＴＥＲＬＮＫ，ＥＸＥ和ＩＮＴＥＲＳＶＥ．ＥＸＥ的使用方法作了较为详细的介绍。     

一台离子注入机的改进及其在BaTiO3陶瓷改性中的应用

本文介绍了武汉大学２００ｋｅＶ离子注入机的改进情况，用贝纳斯离子源替换了原有的高频离子源，使输出流强由几十微安提高到毫安级，离子种类由原来单电荷的气体离子扩展到多电荷离子和金属离子。用该机对半导体ＢａＴｉＯ３陶瓷注入Ｃｕ离子，使材料的ＰＴＣＲ突跳幅度增加，室温电阻率提高，证实Ｃｕ（２＋）离子在ＰＴＣＲ材料晶界起着电子陷阱作用。     

国外消息

国外消息▲ＤＰＳＰＥＲＣＥＰＴＩＯＮＶＩＤＥＯＲＥＣＯＲＤＥＲ视频录象卡－－易达视讯科技有限公司ＢＴＬ易达视讯科技有限公司总代理、加拿大ＤＰＳ公司新推出的ＰＶＲ视频处理卡，是一种数字磁盘记录器，能够从视音频专用的ＳＣＳＩ硬盘驱动器上实时存储及播放广播...     

适用于磁盘阵列的纠双错码分析

比较分析了三种适用于盘阵列的纠双错码：二维奇偶校验（２Ｄ），Ｒｅｅｄ－Ｓｏｌｏｍｏｎ（ＲＳ）码以及ＥＶＥＮＯＤＤ码的编码，译码复杂度及其相应小写性能．２Ｄ码编码简单，但构成阵列“性能／价格”差．ＲＳ和ＥＶＥＮＯＤＤ码为最优冗余编码，ＲＳ码编，译码较ＥＶＥＮＯＤＤ码复杂，但小写性能比ＥＶＥＮＯＤＤ编写好。     

高精度5V基准源AD586

ＡＤ５８６高精度５Ｖ基准源是ＡＮＡＬＯＧＤＥＶＩＣＥＳ公司生产的新型离子注入埋藏齐纳二极管器件，它体现了单片电压基准源技术水平的新进展，精度高、噪声低，输出调整能力强等特点。本文详细介绍了ＡＤ５８６的基本特性、工作原理及应用实例。     

辅助镀膜用K系列强流宽束考夫曼离子源

文章介绍了新型K系列多会切场强流宽束离子源（MCLB-8,16,18）。由于采用新型多会切磁场和优化的引出系统,该系列源在薄膜辅助沉积的能量（200-1000eV）范围内,具有良好的低能特性和束流分布均匀性,可使用反应气体或惰性气体工作。因此该系列源可用于各种高性能薄膜制备的大面积辅助沉积,也可用于制备大面积类金钢石膜（DLC）。文中介绍了该系列源的结构及性能。     

朗缪尔探针在射频离子源中的扰动仿真研究

准确的等离子体参数信息对射频离子源的研制十分重要,为获得这些关键参数,需要借助朗缪尔探针作为研究手段。研究利用COMSOL软件作为研究平台,建立射频离子源的几何模型,并加入探针作为变量,通过仿真模拟得到不同功率下的电子密度、电子温度分布,通过对比有、无探针加入的情况下所得参数的变化趋势,来分析朗缪尔探针对射频离子源的扰动情况。研究结果表明,探针放入等离子体后,会对等离子体产生扰动,等离子体放电中心向右偏移大于1 cm。该研究结果为射频离子源的设计以及朗缪尔探针的测量分析提供了参考。     

LY—3A型冷阴极离子源

本文介绍了LY—3A型冷阴极离子源的工作原理、结构特征和实验结果。用BF_3、PH_3、Ar、N_2等作放电物质,在离子源放电功率小于100W的情况下,~(31)P~+、~(40)Ar~+、N_2~+的束流强度均大于2mA、~(11)B~+的束流强度大于1mA,同时具有较高成份的多电荷态离子。采用溅射的方法离化固体元素,已离化引出~9Be~+、~(27)Al~+、~(24)Mg~+、~(48)Ti~+、~(52)Cr~+、~(96)Mo~+、~(101)Ru~+、~(106)Pd~+、~(157)Gd~+、~(167)Er~+等难熔金属元素离子。     

激光驱动离子加速的研究进展及其重要应用综述

随着激光技术的不断发展,特别是啁啾脉冲放大技术被提出以来,超强激光脉冲驱动的离子加速研究逐渐吸引了国内外科学家们的广泛关注,在离子能量提升、发散角控制和单能性提高等方面相继取得一系列重要进展。由激光与等离子体相互作用产生的离子束具有能量高、脉宽窄和方向性好等特点,具有许多潜在应用。本文通过回顾激光驱动离子加速的研究历程,对离子加速的主要作用机制、基本理论模型、数值模拟和实验研究等进行详细的阐述,同时对激光驱动离子加速的重要应用进行归纳总结。最后根据当前国内外大型激光装置的发展趋势,对极端光场中的离子加速进行展望。     

Ionic liquid ion sources for silicon reactive machining

In this article the authors report on ionic liquid ion sources (ILISs) for silicon reactive machining and direct microfabrication of silicon structures. The authors have developed a specific source geometry using the ionic liquid EMI-BF4 to obtain stable emission currents up to the 10 μA regime. ILIS EMI-BF4 engraving properties were then investigated in low and high current regime showing very different etching characteristics. The results and the chemical analysis of the patterned substrates suggest that reactive ion species can be generated from ILIS. This possibility is of major interest to allow decisive advances in the field of focused ion beam applications.     

红外半导体材料SIMS分析研究

介绍了二次离子质谱仪(Secondary Ion Mass Spectrometer, SIMS)的基本原理及其在焦平面红外半导体材料和器件制备工艺中发挥的重要作用。通过对掺砷碲镉汞和CdTe/InSb材料进行SIMS测试,研究了不同离子源和一次束流大小对测试结果的影响,为后续SIMS分析技术在红外探测器材料的进一步研究奠定了基础。     

NT50型中子管离子源放电特性研究

通过NT50型中子管离子源放电特性实验，测量放电电流与离子源电压和管内压强的关系，做出三者对应关系的相应曲线，进行数据分析，得到放电规律，从而确定离子源结构，找出离子源的最佳工作状态和工作参数，提高中子管产品质量。     

The Cathode Choice for Commercialization of Sodium‐Ion Batteries: Layered Transition Metal Oxides versus Prussian Blue Analogs

With the unprecedentedly increasing demand for renewable and clean energy sources, the sodium‐ion battery (SIB) is emerging as an alternative or complementary energy storage candidate to the present commercial lithium‐ion battery due to the abundance and low cost of sodium resources. Layered transition metal oxides and Prussian blue analogs are reviewed in terms of their commercial potential as cathode materials for SIBs. The recent progress in research on their half cells and full cells for the ultimate application in SIBs are summarized. In addition, their electrochemical performance, suitability for scaling up, cost, and environmental concerns are compared in detail with a brief outlook on future prospects. It is anticipated that this review will inspire further development of layered transition metal oxides and Prussian blue analogs for SIBs, especially for their emerging commercialization.     

离子注入机的国内外现状

本文简要介绍了离子注入和器件的关系,概述了离子注入机的发展现状和趋势,初步探讨了我国离子注入机不能形成产业的原因。     

薄膜加工用考夫曼离子源的几个问题

近十年来,我国采用离子束刻蚀进行微细加工以及离子束辅助镀膜在电子和光学工业中获得了广泛应用。采用离子束增强镀膜制造超导膜、贮氢合金膜以及离子束注入表面改性等都得到了广泛的研究及应用。在这些先进的工艺中基本上都使用了考夫曼离子源,考夫曼离子源是在空间电推进技术基础上发展起来的,由于要用于空间推进,它必然要具备低气耗、低能耗、高效率、高稳定、长寿命等优点,此外它必须能产生大面积、均匀、强流的离子束。