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富勒烯分子由于其离域的三维。电子结构而表现出较高的三阶非线性系数(对于q。:X(’)~10-“XSS).Lascola报道C而离子的三阶非线性极化率比中性C。。分子高65倍左右.将C。。分子与其他非线性材料(如高分子材料)组合使其形成电荷转移材料,从而可望提高材料的非线性极化率.在富勒烯/高分子体系中,由于富勒烯分子和有机聚合物的电子亲和势的差异而使富勒烯分子较容易作为体系的电子受体,而有机聚合物为电子的给体.而在富勒烯/高分子体共聚物体系中,同时存在基态电荷转移和激发态电荷转移过程.电荷转移过… 相似文献
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富勒烯甲苯溶液结晶的研究李凡庆,张国赏,卢江,陈志文,邢锦云,贾云波,李碧琳,陆斌,张庶元(中国科技大学结构分析开放研究实验室,合肥230026)采用类似于Kratschmer等人 ̄[1]的方法得到包含有C_(60)C_(70)等富勒烯的烟灰,经甲苯... 相似文献
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纳米光刻对于纳米电子学的研究与发展具有非常重要的意义。分子尺寸为0.7纳米且可发生电子束诱导聚合的富勒烯(主要是C60),可以作为电子束抗蚀剂,用于电子束纳米光刻,制作纳米级精细图形。这类抗蚀剂主要有三种类型:纯C60、、C60衍生物及C60与常用抗旬剂形成的纳米复合抗旬剂。介绍了这方面工作的研究现状、存在的问题及发展前景。 相似文献
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C_(60)、石墨、金刚石和非晶碳的电子结构研究王永瑞,邹 骐,吴自勤(上海交通大学材料科学系,上海200030)(中国科学技术大学基础物理中心,合肥 230026)自从Kratschmer ̄[1]等发现了制备C_(60)的新方法以来,这种具有独特性... 相似文献
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用ICB法制备C_(60)薄膜1990年以来,对作为新材料的C_(60)展开了广泛的研究工作,特别是利用掺杂碱金属来控制电导率,制作临界温度T_c=18K(K_3C_(60)),33K(RbCs_2C_(60))的超导体,用它制作新电子器件的希望很大... 相似文献
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采用Sol-Gel溶胶-凝胶的方法出了掺杂C60的Na2O-B2O3-SiO2干凝胶和掺杂C60的SiO2PDMS(聚二甲基硅氧烷)的凝胶材料。测量了纯C60粉的吸收光谱和掺杂C60偻的凝胶材料在不同温度下的发射光谱。观测到了C60/NBS在30K~200K温度范围C60的发光峰位于1.69eV,发光峰随着温度的升高向低能边有一较小偏移,并且谱峰强度减弱。对实验数据进行了拟合。分析了发光与温度的关 相似文献
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本文介绍了C60/Al,C60/Ag纳米体系的微结构和电荷转关系,以及C60薄膜在不同金属衬底表面的生长和取向的关系。结果表明:(1)C60/金属薄膜体积 的Raman光谱Ag(2)模的罗化现象是由于C60和Al间的界面电荷转移引起的;(2)C60在金属表面的生长除了受晶格匹配的几何因素影响外,还决定际C60与金属间相互作用的强弱。 相似文献
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埋入SiO2薄膜中的Ge,Si和C团的电学性质 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了埋入SiO2薄膜中的Ge,Si,C微晶的电学性质与温度的关系。结合对光致发光(PL)的测量、电导激活能、电导与发光强度和峰位关系的测量发现,当测量温度高于60℃时,埋入SiO2中的Ge,Si,C微结构具有半导体导电规律,尽管C/SiO2复合膜在室温至60℃之间表现出金属导电性质。对电导和PL机制进行了讨论。 相似文献
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快凝Fe_(60)Cr_(27)Al_(13)合金显微结构的电镜分析孟祥敏,章靖国,吴玉琨(中国科学院金属研究所固体原子像实验室,快凝非平衡合金实验室,沈阳110015;冶金部上海钢铁研究所)电热材料Fe-Cr-Al合金用快凝法制备时因大幅度提高Cr... 相似文献
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用真空气相沉积的方法在NaCl(001)基片上制备了Al-C60共蒸膜。由于界面上Al和C60间的相互作用,Al-C60混蒸膜的Raman谱相比纯C60薄膜4 显著的改变。Ag(2)模的软化可归因子界面上的Al和C60之间的电荷转移。但是,要解释上述Raman谱中所有的特征,尚须建立一个更复杂的C60-Al界面相互艇模型。 相似文献
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对A3C60(或A2BC60)(A,B=Li,Na,K,Rb,Cs)化合物的晶格常数和超导转变温度分析比较,表明:在四面体空隙中心的碱金属是决定晶格常数的主要因素;在四面体空隙中心的碱金属与C60结合得越紧密,超导转变温度越高。由所计算的碱金属和碱土金属的电离势和亲和势,作者认为超导转变温度较高的原因在于碱金属(在四面体空隙中心)最外层轨道电子与C60形成共价键。 相似文献
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本文讨论了气相外延C_(60)薄膜与层状衬底表面结构是否相关的两种观点。根据对现有的实验结果分析,我们认为C_(60)单晶膜薄的生长与层状衬底表面结构相关,不同的表面结构与C_(60)分子的相互作用是不同的,从而影响生长膜的单晶完整性。 相似文献
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化学法制备的PTCR型(Sr,Pb)TiO3半导体陶瓷 总被引:2,自引:1,他引:1
采用化学共沉淀法制备(Sr1-xPbx)TiO3粉末,在60~220°C间获得了五种居里温度的PTCR型(Sr,Pb)TiO3陶瓷。实验结果表明,材料室温电阻率低于20Ωcm,升阻比高于105.5。文中还给出了(Sr,Pb)TiO3铁电体的四方→立方相转变温度(居里温度)、晶胞参数等一系列随Pb/Sr比变化的材料性质。 相似文献
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