富勒烯-高分子共聚物和富勒烯-金属络合物的飞秒非线性光学研究

富勒烯分子由于其离域的三维。电子结构而表现出较高的三阶非线性系数（对于ｑ。：Ｘ（’）～１０－“ＸＳＳ）．Ｌａｓｃｏｌａ报道Ｃ而离子的三阶非线性极化率比中性Ｃ。。分子高６５倍左右．将Ｃ。。分子与其他非线性材料（如高分子材料）组合使其形成电荷转移材料,从而可望提高材料的非线性极化率．在富勒烯／高分子体系中,由于富勒烯分子和有机聚合物的电子亲和势的差异而使富勒烯分子较容易作为体系的电子受体,而有机聚合物为电子的给体．而在富勒烯／高分子体共聚物体系中,同时存在基态电荷转移和激发态电荷转移过程．电荷转移过…     

富勒烯甲苯溶液结晶的研究

富勒烯甲苯溶液结晶的研究李凡庆，张国赏，卢江，陈志文，邢锦云，贾云波，李碧琳，陆斌，张庶元（中国科技大学结构分析开放研究实验室，合肥２３００２６）采用类似于Ｋｒａｔｓｃｈｍｅｒ等人￣［１］的方法得到包含有Ｃ＿（６０）Ｃ＿（７０）等富勒烯的烟灰，经甲苯...     

C_60和C_70混合物甲苯溶液的荧光光谱研究

Ｃ_６０和Ｃ_７０混合物甲苯溶液的荧光光谱研究孟志葱，林福成，景春阳（中国科学院上海光学精密机械研究所，上海２０１８００）具有封闭笼形结构的富勒烯是近年来各国科学家研究的热点。光谱分析是探讨富勒烯及其各种衍物结构特性的有效手段。本文首次采用氩离子激光器...     

C_(60)对DNA光动力学作用的FT-Raman光谱研究

采用傅里叶变换激光Ｒａｍａｎ光谱术从分子水平研究了富勒烯Ｃ６０对小牛胸腺ＤＮＡ的光动力学作用。结果表明光激发Ｃ６０对ＤＮＡ各组分基团均有不同程度的损伤，其中ＤＮＡ的空间构像破坏显著，腺嘌呤次之，骨架磷酸基团、脱氧核糖、嘧啶环等也遭到破坏并导致ＤＮＡ链断裂。这种结果并非由于Ｃ６０与ＤＮＡ分子之间直接的电子相互作用，而是通过单线态氧（１Ｏ２）或·ＯＨ，Ｏ２·－等多自由基作用所致     

富勒烯作为电子束抗蚀剂在纳米光刻中的应用

纳米光刻对于纳米电子学的研究与发展具有非常重要的意义。分子尺寸为０．７纳米且可发生电子束诱导聚合的富勒烯（主要是Ｃ６０）,可以作为电子束抗蚀剂,用于电子束纳米光刻,制作纳米级精细图形。这类抗蚀剂主要有三种类型：纯Ｃ６０、、Ｃ６０衍生物及Ｃ６０与常用抗旬剂形成的纳米复合抗旬剂。介绍了这方面工作的研究现状、存在的问题及发展前景。     

C60,石墨,金刚石和非晶碳的电子结构研究

Ｃ＿（６０）、石墨、金刚石和非晶碳的电子结构研究王永瑞，邹　骐，吴自勤（上海交通大学材料科学系，上海２０００３０）（中国科学技术大学基础物理中心，合肥　２３００２６）自从Ｋｒａｔｓｃｈｍｅｒ￣［１］等发现了制备Ｃ＿（６０）的新方法以来，这种具有独特性...     

C60薄膜的制备

本文首先简要叙述了Ｃ＿（６０）分子的结构以及Ｃ＿（６０）固体的结构和物性，然后较详细地讨论了目前采用的几种气相生长Ｃ＿（６０）。薄膜的方法，以及不同的衬底上Ｃ＿（６０）薄膜的生长特性，最后提出了目前Ｃ＿（６０）薄膜生长研究中存在的几个问题。     

用ICB法制备C60薄膜

用ＩＣＢ法制备Ｃ＿（６０）薄膜１９９０年以来，对作为新材料的Ｃ＿（６０）展开了广泛的研究工作，特别是利用掺杂碱金属来控制电导率，制作临界温度Ｔ＿ｃ＝１８Ｋ（Ｋ＿３Ｃ＿（６０）），３３Ｋ（ＲｂＣｓ＿２Ｃ＿（６０））的超导体，用它制作新电子器件的希望很大...     

C60与金属：界面相互作用和外延取向关系

本文介绍了Ｃ６０／Ａｌ，Ｃ６０／Ａｇ纳米体系的微结构和电荷转关系，以及Ｃ６０薄膜在不同金属衬底表面的生长和取向的关系。结果表明：（１）Ｃ６０／金属薄膜体积 的Ｒａｍａｎ光谱Ａｇ（２）模的罗化现象是由于Ｃ６０和Ａｌ间的界面电荷转移引起的；（２）Ｃ６０在金属表面的生长除了受晶格匹配的几何因素影响外，还决定际Ｃ６０与金属间相互作用的强弱。     

不同方法制备的C60材料的发光行为

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ溶胶－凝胶的方法出了掺杂Ｃ６０的Ｎａ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２干凝胶和掺杂Ｃ６０的ＳｉＯ２ＰＤＭＳ（聚二甲基硅氧烷）的凝胶材料。测量了纯Ｃ６０粉的吸收光谱和掺杂Ｃ６０偻的凝胶材料在不同温度下的发射光谱。观测到了Ｃ６０／ＮＢＳ在３０Ｋ～２００Ｋ温度范围Ｃ６０的发光峰位于１．６９ｅＶ,发光峰随着温度的升高向低能边有一较小偏移,并且谱峰强度减弱。对实验数据进行了拟合。分析了发光与温度的关     

埋入SiO2薄膜中的Ge,Si和C团的电学性质

研究了埋入ＳｉＯ２薄膜中的Ｇｅ，Ｓｉ，Ｃ微晶的电学性质与温度的关系。结合对光致发光（ＰＬ）的测量、电导激活能、电导与发光强度和峰位关系的测量发现，当测量温度高于６０℃时，埋入ＳｉＯ２中的Ｇｅ，Ｓｉ，Ｃ微结构具有半导体导电规律，尽管Ｃ／ＳｉＯ２复合膜在室温至６０℃之间表现出金属导电性质。对电导和ＰＬ机制进行了讨论。     

硼掺杂富勒烯薄膜电学性质的研究

采用直流电弧放电方法利用硼碳复合棒成功合成了硼掺杂富勒烯,质谱和Ｘ射线光电谱等分析手段证实我们制备的硼掺杂富勒烯主要是以Ｃ５９Ｂ和Ｃ６９Ｂ形式存在;对硼掺杂富勒烯薄膜样品在４９３Ｋ进行了真空退火,并测量了电导率随温度的变化关系．发现硼掺杂富勒烯膜的电导激活能减小,室温电导率比未掺杂富勒烯膜高三个量级,同时硼掺杂富勒烯膜依然表现出明显的半导体特性     

快凝Fe60Cr27Al13合金显微结构的电镜分析

快凝Ｆｅ＿（６０）Ｃｒ＿（２７）Ａｌ＿（１３）合金显微结构的电镜分析孟祥敏，章靖国，吴玉琨（中国科学院金属研究所固体原子像实验室，快凝非平衡合金实验室，沈阳１１００１５；冶金部上海钢铁研究所）电热材料Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ合金用快凝法制备时因大幅度提高Ｃｒ...     

A3C60（或A2BC60）化合物中碱金属对超导电性的影响

对Ａ３Ｃ６０（或Ａ２ＢＣ６０）（Ａ，Ｂ＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ）化合物的晶格常数和超导转变温度分析比较，表明：在四面体空隙中心的碱金属是决定晶格常数的主要因素；在四面体空隙中心的碱金属与Ｃ６０结合得越紧密，超导转变温度越高。由所计算的碱金属和碱土金属的电离势和亲和势，作者认为超导转变温度较高的原因在于碱金属（在四面体空隙中心）最外层轨道电子与Ｃ６０形成共价键。     

Al—C60界面相互作用的Raman光谱研究

用真空气相沉积的方法在ＮａＣｌ（００１）基片上制备了Ａｌ－Ｃ６０共蒸膜。由于界面上Ａｌ和Ｃ６０间的相互作用，Ａｌ－Ｃ６０混蒸膜的Ｒａｍａｎ谱相比纯Ｃ６０薄膜４ 显著的改变。Ａｇ（２）模的软化可归因子界面上的Ａｌ和Ｃ６０之间的电荷转移。但是，要解释上述Ｒａｍａｎ谱中所有的特征，尚须建立一个更复杂的Ｃ６０－Ａｌ界面相互艇模型。     

C60单晶膜生长与衬底表面结构相关性研究

本文讨论了气相外延Ｃ＿（６０）薄膜与层状衬底表面结构是否相关的两种观点。根据对现有的实验结果分析，我们认为Ｃ＿（６０）单晶膜薄的生长与层状衬底表面结构相关，不同的表面结构与Ｃ＿（６０）分子的相互作用是不同的，从而影响生长膜的单晶完整性。     

化学法制备的PTCR型（Sr,Pb）TiO3半导体陶瓷

采用化学共沉淀法制备（Ｓｒ１－ｘＰｂｘ）ＴｉＯ３粉末，在６０～２２０°Ｃ间获得了五种居里温度的ＰＴＣＲ型（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷。实验结果表明，材料室温电阻率低于２０Ωｃｍ，升阻比高于１０５．５。文中还给出了（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３铁电体的四方→立方相转变温度（居里温度）、晶胞参数等一系列随Ｐｂ／Ｓｒ比变化的材料性质。     

MBE生长高功率半导体激光器

对影响分子束外延（ ＭＢＥ） 材料生长的一些主要因素进行了细致的分析。利用ＭＢＥ生长出ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ 梯度折射率分别限制单量子阱激光器（ＧＲＩＮ－ ＳＣＨ－ ＳＱＷ） 材料。利用该材料制作出的列阵半导体激光器的准连续输出功率达到了６０ Ｗ（ｔ＝ ２００ μｓ,ｆ＝ ５０ Ｈｚ） ,峰值波长为８０８ ．４ ｎｍ 。     

利用时间分辨热透镜技术研究C_(60)三线态

利用时间分辨热透镜技术测定了Ｃ６０的三线态量子产额（ＩＳＣ）、三线态寿命（τＴ）以及苯溶液中溶解氧通过猝灭Ｃ６０三线态而生成的单线态氧的量子产额（Δ）、氧的单线态寿命（τ０）。ＩＳＣ和Δ的值约为１，τＴ的值在８～６０μｓ范围内，τ０的值为２０μｓ。     

有机PTCR材料的辐射改性研究

介绍以高密度聚乙烯（ＨＤＰＥ） 为基材, 碳黑、二氧化钛（ＴｉＯ２） 为导电填料的有机ＰＴＣＲ材料的制备工艺, 采用γ－６０Ｃｏ 源与电子加速器两种辐射源, 对有机ＰＴＣＲ材料进行辐射改性, 对两种方法进行了初步的比较与研究