采用PMMA LB膜作为电子束抗蚀层进行100mm高分辨率铬掩模版的制作研究

在发展流动亚相法制备高粘度聚合物分子单层膜装置的基础上，研究制备大面积，高质量的ＰＭＭＡ ＬＢ膜抗蚀层，并用于１００ｍｍ Ｃｒ掩模版的电子束光刻制造技术中，采用现行标准的湿法工艺获得了分辨率为０．５μｍ，特征线宽为０．３８μｍ的高分辨率１００ｍｍ铬掩模版，为深亚微米掩模版制造的研究探索了一条新路。     

基于薄片云母载基的X线掩模版的研制

Ｘ－ｒａｙ光刻（ＸＲＬ）是微／纳米光刻技术中至关重要的批量复制技术，ＸＲＬ的发展在于不断对Ｘ－ｒａｙ源、新型的ｓｔｅｐｐｅｒ、Ｘ线掩模版以及相关处理工艺的研究进展。其中，Ｘ线掩模版不仅直接关系到ＸＲＬ的分辨率水平，也极大地影响其使用效率及其费用。我们在此报道一种采用云母薄片作为载片的新型Ｘ－ｒａｙ掩模版，其载片厚为８μｍ，自支撑能力、平直光滑度等几方面都符合高分辨率光刻的要求。基此采用新的工艺可大大简化制作步骤，降低造价，并可在０．５－１．５ｎｍ波长范围内的Ｘ－ｒａｙ光刻中获得实际成功的应用。     

DY—5型亚微米电子束曝光机

本文介绍了ＤＹ－５型微米电子束曝光机的主要技术性能；最细特征线宽０．４μｍ，图形位置精度及拼接精度优于±０．１５μｍ；扫描场尺寸１×１ｍｍ＾２和２×２ｍｍ＾２；最高扫描速度１ＭＨｚ，可加工１００×１００ｍｍ＾２掩模版或Х７５硅圆片，给出了部分曝光试验结果。     

DY－5型亚微米电子束曝光机

本文介绍了ＤＹ－５型亚微米电子束曝光机的主要技术性能：最细特征线宽０．４μｍ；图形位置精度及拼接精度优于±０．１５μｍ；扫描场尺寸１×１ｍｍ２和２×２ｍｍ２；最高扫描速度１ＭＨｚ；可加工１００×１００ｍｍ２掩模版或Φ７５硅圆片。给出了部分曝光试验结果。     

HgCdTe分子束外延薄膜的研制

本文概要报导我们ＨｇＣｄＴｅＭＢＥ上作的最近进展。一批面积２．０－１６．６ｃｍ２，组份ｘ０．１８８－０．３０，载流子浓度７．８１×１０１４～１．０×１０１６ｃｍ－３，迁移率１．０×１０４～１．４５×１０５ｃｍ２ｖ－１．ｓ－１和ｘ射线双晶衍射半峰宽（ＦＷＨＭ）６４～１００ａｒｃｓｅｃ的Ｎ型原生ＨｇＣｄＴｅ外延膜已经得到，某些参数已接近或达到国外报导的典型值，并在国内首先研制了直径为５０ｍｍ的ＨｇＣｄＴｅ外延膜。为了评价材料的特性，用一块Ｘ＝０．２４３的外延膜经适当热处理后研制了光伏探测器试验阵列，其最好的一元探测率Ｄλ＊＝２．４４×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１（λｃ＝７．９μｍ）。     

响应于1～3μm红外波段的MOCVD－HgCdTe红外探测器件

响应于１～３μｍ红外波段的ＭＯＣＶＤ－ＨｇＣｄＴｅ红外探测器件马可军，俞振中（上海技术物理研究所上海２０００８３）我们采用ＩＭＰ工艺生长出了组分处于０．４～０．７μｍ范围内的ＨｇＣｄＴｅＭＯＣＶＤ晶膜材料，随后对晶膜进行热处理，使之具有合适的空穴浓度...     

高分辨率丝网掩模版制作工艺研究

简要介绍了目前丝网掩模版制作的几种方法，重点介绍了影响“直接感光胶乳剂膜”和“毛细管软片乳剂膜”两种掩模版质量各种可能因素。针对掩模版制作工艺中的常见问题，提出了解决办法。     

TiSi_2 Polycide LDD MOS工艺研究

本文着重研究了０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＮＭＯＳ器件工艺技术．用ＲＩＥ刻蚀获得了０．６μｍ严格各向异性的精细结构２分析研究表明ＴＥＯＳＳｉＯ２膜厚ｔｆ、多晶硅栅的剖面倾角θ是影响侧壁宽度Ｗ的重要因素，经优化后可控制Ｗ为０．３０～０．３２μｍ；在Ａｌ与Ｓｉ之间引入一层ＴｉＮ／Ｔｉ复合层作为Ａｌ－Ｓｉ间的扩散势垒层，获得了良好的热稳定性．上述工艺技术已成功地应用于０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＥ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，其平均缴延迟为３１０Ｐｓ（０．２９ｍＷ／级），工作电压     

Si1-XGeX/Si红外光电探测器

本文报导了用两种缓冲层生长技术研制的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ异质结ｐｉｎ型红外探测器。其波长范围为０．７０～１．５５μｍ,峰值波长为０．９６～１．０６μｍ,暗电流密度低达０．０３μＡ／ｍｍ＾２（－２Ｖ）,在１．３μｍ处的响应度高达０．１５Ａ／Ｗ（－５Ｖ）;讨论了Ｇｅ组分、外延层厚度、偏置电压等对探测器参数的影响。     

1.3μm和1.55μm Si_(1-x)Ge_x波长信号分离器与Si_(1-x)Ge_x/Si应变超晶格探测器的集成

对１．３μｍ和１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ波长信号分离器（ＷＳＤ）和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ应变超晶格（ＳＬＳ）红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计．优化结果为：（１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘＷＳＤ，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５．波导的脊高和腐蚀深度分别为３μｍ和２．６μｍ．对应于λ１＝１．３μｍ和λ２＝１．５５μｍ波长的波导脊宽分别为１１μｍ和８．５μｍ．（２）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ＳｉＳＬＳ探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５．探测器的厚度为５５０ｎｍ，由２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５Ｇｅ０．５＋１７ｎｍＳｉ组成．     

激光曝光新技术述评

本文评述了使用激光进行微细加工(曝光和制作掩模)的某些新技术。     

FED的光刻技术

通过数值计算分析了 FED接触光刻的中衍射效应 ,并在现有的条件下实现了一种简单而实用的大面积一微米直径微孔的接触光刻方法。     

VLSI曝光技术的现状与未来

本文简要介绍了用于超大规模集成电路微细加工的各种曝光技术，包括光学方法，电子束、离子束和Ｘ射线技术。比较了它们的优缺点，综述了国际上近年来在这些光刻技术方面的进步以及今后的发展趋势。     

电子束曝光机扫描场非正交性畸变校正

本文介绍了我校研制的矢量扫描电子束曝光机中，扫描场非正交性畸变的校正情况，该机器的偏转系统为内透镜双磁偏转方式。     

21世纪微电子光刻技术

介绍了248nm,193nm,157nm准分子激光投影光刻的发展过程和下一代光刻技术（NGL）的实用化前景。     

用相干激光束曝光孔点阵列图形的几种方法

将涂有光致抗蚀剂的硅片或其它光敏材料置于由多束相干光以某种方式组合构成的干涉场中,可以在大视场和深曝光场内形成孔、点或锥阵周期图形,光学系统简单廉价,不需掩模和高精度大NA光刻物镜,采用现行抗蚀剂工艺。文中介绍的双光束双曝光法得到的阵列图形周期d的极限为dm i n=λ/2,四光束单曝光的周期略大,为前者的2倍,三光束单曝光得到2/3 d周期的图形,并且图形不受基片在曝光场中位置的影响,适合大面积尺寸器件中周期图形的制作,而三光束双曝光和五光束曝光的结果是周期为2d的阵列图形,并且沿光轴方向光场随空间位置也作周期变化,适合在大纵深尺寸范围内调制物体结构。     

微通道板背散射电子探测器的设计

本文介绍了一种先进的新型背散射电子探测器。随着电子束曝光机的发展,特别是加速电压高的时候,对背散射电子探测器的性能要求就愈来愈高,例如,信噪比、响应时间等。在与各种探测器比较的基础上,我们设计了微通道板探测器,它是目前用于电子束曝光机的最先进的探测器。     

电子束纳米加工技术研究现状

纳米科学技术是８０年代后期发展起来面向２１世纪的高新技术，纳米加工技术是制造量子微结构的主导技术。电子束纳米加工推动着微细加工技术的研究向着分子、原子量级的纳米层次发展。本文重点介绍电子束纳米曝光技术的研究现状及发展前景。     

从特征尺寸的缩小看光刻技术的发展

从特征尺寸不断缩小变化的角度阐述了近代光刻技术发展的历程。指出90nm节点的主流光刻技术是193nmArF光刻;193nm浸入式光刻技术作为65nm和45nm节点的首选光刻技术,如果配合二次曝光技术,还可以扩展到32nm节点的应用,但成本会增加;如果特征尺寸缩小到22nm和16nm节点,EUV光刻、无掩模光刻以及纳米压印光刻等将成为未来发展的重要研究方向。在对各种光刻技术的原理、特点以及优缺点等分析对比的基础上,对未来主流光刻技术的发展做了一定的展望。     

微光刻中的驻波效应研究

本文阐述了驻波效应的成因及其对微细图形光刻，特别是对深亚微米和亚半微米光刻的影响；分析了驻波强度分布；根据抗蚀剂的物理和化学机制，建立了抗蚀剂显影过程的数学和物理模型，并开展了计算机模拟和光刻曝光实验；研究了减小驻波效应的方法；给出了部分模拟和实验结果。