聚正丁胺薄膜PH传感特性研究

将等离子体聚合的正丁胺薄膜直接淀积到玻璃态碳衬底上制成pH修饰电极。对其pH传感特性的研究表明聚正丁胺薄膜在浓H2SO4溶液中具有稳定的pH传感特性。敏感曲线在0．5～3mol／L间为线性响应．其斜率为66mV／pH。并对Na 、K 、SO42-等具有良好的抗干扰性。聚合条件对其pH传感特性有一定影响，低放电功率下制备的聚合膜响应敏感度较高，这归结于聚合膜中胺基含量较高的缘故；而高放电功率下制备的聚合膜具有较宽的响应范围，这归结于薄膜结构交联度较高的缘故。     

等离子体聚合有机硅（HMDSN）薄膜及其特性研究

等离子体聚合有机化合物六甲基二硅胺烷（HMDSN）讨论了等离子体聚合有机硅薄膜聚合过程和有关机理，在高频等离子体聚合系统中合成的聚合条件是高频电源功率为100V，频率为5.4Hz，用电感偶合到真空放电管，氩（Ar)气和有机硅单体的比例为1：2。有机硅热玻璃基片上的聚合速率为2.5-5nm/min。聚合薄膜无色透明，折射率1.1；介电常数3.2；窠质损耗正切0.04，随温度而变化，电阻率为10^14Ω.cm。用红外吸收光谱检测表明薄膜分支少，聚合度高。     

等离子体聚合膜的制备及在ISFET中的应用

本文叙述了用等离子体辉光放电法将单体直接聚合成高分子膜,及淀积在半导体器件样品上的制备设备、方法、性能及应用结果。由于设备简单,操作方便,同半导体工艺相容及聚合膜有良好的抗水性及抗离子性,它在离敏器件中有一定的应用价值。预计在其它器件中也有推广的价值。     

有机铜薄膜的等离子体聚合研究

提供了一种用等离子体聚合制备金属－ 有机化合物ＣｕＡＡ 薄膜的实验研究。指出ＣｕＡＡ薄膜随工艺条件的不同可呈现出不同的颜色和电性能，尤其是其电阻率变化范围可达６ － ７ 个数量级。对所制备的ＣｕＡＡ薄膜进行了红外光谱分析和扫描电镜分析。     

C2H2／H2／SiH4等离子体聚合及其沉积物的结构与性能的研究

利用Ｃ２Ｈ２／Ｈ２／ＳｉＨ４混合单体等离子体聚合沉积在ＨＤＰＥ板表面制备薄膜，发现薄膜与ＨＤＰＥ粘接良好，Ｈ２使薄膜与基体附着性能提高但其沉积速率下降，而引入ＳｉＨ４则使薄膜的耐磨性能有较大的提高。ＩＲ和ＸＰＳ光谱表明：薄膜中含有较多的－ＯＨ，Ｏ－Ｃ，Ｃ－Ｓｉ和Ｓｉ－Ｏ基团，随着ＳｉＨ４／Ｈ２的增加薄膜中的Ｃ／Ｓｉ比可达１．２２２，说明产物的结构介于无机材料和有机物之间。     

不锈钢表面亚磷酸三甲脂低温等离子体聚合膜的制备和表面特性的试验研究

采用射频等离子体聚合的方法在317L型不锈钢表面形成一层亚磷酸三甲脂等离子体聚合膜。利用红外光谱法（FFtR）、扫描电镜（SEM）对该聚合膜进行了化学成分和表面形貌的分析。利用接触角测试仪分析该聚合膜的亲水性。结果发现亚磷酸三甲脂等离子体聚合膜可以明显改善不锈钢表面的亲水性。     

离子束和等离子体对聚醚型聚氨酯表面的联合影响

首先采用等离子聚合法使六甲基二硅氧烷沉积于聚醚型聚氨酯表面，再利用硅离子以不同的剂量时表面进行轰击。结果表明：在2×10(15)cm(-2)剂量下注入使材料表面的凝血时间从6分钟提高到16．8分钟，同时表面浸润性也明显改善，而且这些性能的变化要比单纯注入的更稳定和更有规律。X射线光电子能谱分析表明：离子束和等离子体的联合处理不仅打断了表面的一些化学键，而且在表面形成了诸如Si-N，O-Si-O基团以及硅原子。这些结构上的变化会影响生物医学性能。     

电子浆料用超微细玻璃粉的等离子体改性

以六甲基二硅氧烷为单体,利用高频等离子体在超微细低熔磷酸盐玻璃粉体表面聚合硅氧聚合物包覆薄膜。用水和粉体压片之间的接触角变化表征了等离子体工艺参数对粉体表面能的影响。结果表明改性后粉体配制电子浆料的细度、黏度、流变特性提高显著。改性后可以改变或控制超微细粉体的表面能大小,从而可调节电子浆料的流变性和印刷适性。     

等离子体与等离子体隐身技术

等离子体隐身技术是一种新型的隐身技术,是雷达隐身技术的最新发展.介绍了等离子体的产生方法,讨论了等离子体的隐身机理,阐述了国内外等离子体隐身技术的研究进展.针对目前难以产生性能稳定的等离子体以及在目标表面难以形成持续均匀的等离子体层等技术难点,介绍了两种最新的改进措施,最后对等离子体隐身技术的发展前景进行了展望.     

二乙胺聚合膜特性研究

用等离子体方法将二乙胺单体聚合成聚二乙胺薄膜。红外光谱分析表明聚合膜中有 C- H,C- N及 N- H键存在。实验表明聚合膜性能同聚合工艺条件特别是射频放电电压有关。放电电压增加 ,热稳定性增加。聚合膜中碳含量增加而氢含量减少。在放电电压较低条件下聚合物具有长程无序态结构。而放电电压增大 ,等离子体中受激碳原子从电场中获得较多能量 ,在交联过程中能够调整其在网络结构中的位置 ,因而无序程序降低 ,有序态增加 ,甚至出现晶化现象。     

ECR等离子体沉积系统中等离子体特性的模拟

本文建立了一个物理模型，编写了数值程序，模拟了微波电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体流的特性。假定等离子体中的电子服从玻尔兹曼关系，离子在从共振区流向衬底的过程中与中性气体发生电荷交换和弹性碰撞。根据等离子体区应满足的电荷准中性条件，采用蒙特卡罗方法可计算出自恰的等离子体电位及离子密度分布。从而分析了磁场形态和气压对等离子体密度空间分布，入射到衬底上的离子通量和平均能量的影响，结果表明：磁场形态和气压都可用来独立控制等离子体流的性能，这对于使用该种等离子体源进行薄膜沉积和刻蚀有一定的理论指导意义。     

真空电弧镀膜等离子体参数的测量

本文介绍了真空电弧镀膜（VAD）环境下用法拉第杯分析等离子参数的实验系统。利用该系统，着重测量了气压、电流等参数对离子能量的影响，以及离子能量在固定位置的角分布。由测量结果，讨论了VAD中的复合离子参数值（Ep），在100A、0．66Pa、偏压-100V下，典型的最大离子能量为75eV，到达工件Ep值为8286V／atom。     

脉冲等子体软X射线探测系统

研制了一种脉冲重复频率为１０Ｈｚ的激光等离子体软Ｘ射线源；设计并建立了以掠入射恒偏单色仪为基础的脉冲等离子体软Ｘ射线辐射测试系统。光源实验使用能量１０００ｍＪ（波长０．５３μｍ）的激光脉冲，聚焦在不同的金属靶上，使之离子化。这种高温等离子体产生的辐射包含了波长０．４～２０ｎｍ的软Ｘ光连续谱和迭加在其上的线谱。靶材有Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｂ和Ｂｉ。得到了不同原子序数的靶材辐射的光谱分布特性。     

新型微波等离子体源

微波等离子体的一个重要发展是电子回旋共振(ECR)放电,本文介绍ECR放电技术的现状和报告一种新型ECR等离子体源—横磁瓶ECR等离子体源,并叙述其原理和结构。     

等离子体提纯硅粉的实验研究

本文阐述了等离子体工艺在硅粉提纯方面的应用，在真空条件下，利用ＨＣｌ或含氯气体化合物，经射频辉光放电形成等离子体与硅粉中的杂质反应，可以在较低的温度下（２００℃～４００℃）、较短的时间（１～２小时）内，除去硅粉中的大部分杂质，而且操作简单，功耗较低。     

电磁波被尘埃等离子体散射的功率谱

用等离子体动力论导出的动力形状因子研究尘埃等离子体的散射功率谱。结果表明由于尘埃粒子具有大的荷电量,对于冷电子的非相干散射,即kD1(D是德拜屏蔽长度,k=|K|=|Ks-K0|,K0是入射波矢, Ks是散射波矢),尘埃粒子极大地影响散射谱的特征。散射功率谱在尘埃粒子声波频移处出现特征峰。     

真空电弧沉积Ti薄膜过程的静电探针诊断

本文描述了Langmiur静电探针测量系统的构成,该系统可用于等离子体特性的诊断。用该系统检测了等离子体沉积Ti薄膜过程中电子密度与电子温度的典型值。实验表明,该系统性能良好,具有强的抗干扰能力,测量精度高、可以应用于真空电弧沉积过程的监控。     

α—Si TFT矩阵等离子体刻蚀技术的研究

本文介绍了α-Si TFT有源矩阵的CF_4等离子体刻蚀技术。分析了CF_4等离子体刻蚀α-Si:H和α-SiN_x的机理,对α-Si TFT的有源层与绝缘层之间刻蚀选择性和均匀性进行了研究,讨论了等离子体刻蚀速率与射频功率、反应室压力及衬底温度的依赖关系。根据实验结果总结了CF_4等离子体刻蚀速率随射频功率、反应室压力和衬底温度的增加而增大的规律,通过控制合适的工艺条件,成功地实现了选择性刻蚀并改善了刻蚀的均匀性。