C-2CH复合型PTCR薄膜

采用溶胶包裹再凝胶工艺制备了Ｃ－２ＣＨ复合型ＰＴＣＲ薄膜。实验表明，这种材料的ＰＴＣ效应是由２ＣＨ的相变体膨胀引起的，Ｃ的粒径大小对复合薄膜ＰＴＣ特性有十分显著的影响。较高的热循环温度和较多的热循环老化次数使ＰＴＣＲ薄膜电性能重现性得以改善。     

PTCR陶瓷之粒界结构与击穿特性

着重论述ＰＴＣＲ陶瓷电阻之主要根源及热击穿机理，在此基础上提出合理的晶粒边界结构，以便求得室温电阻率低、抗击穿强度高之ＰＴＣＲ材料。同时，用此相关的理论去解释晶粒相对较粗之ＰＴＣＲ陶瓷比晶粒较细之同类ＰＴＣＲ陶瓷具有更佳特性的原因。     

高纯超细BaTiO_3基PTCR陶瓷

水热法合成的ＢａＴｉＯ３粉体具有超细、高纯等特点，从而能够使ＰＴＣＲ热敏电阻器的制备工艺相对简化，并有利于获得较好性能的ＰＴＣＲ电阻器。本文采用水热法合成的ＢａＴｉＯ３粉体制备ＰＴＣＲ陶瓷。研究了不同添加剂对材料性能及微观结构的影响。     

用双温点立式炉烧成高性能PTCR陶瓷的工艺

以程控交换机过电流保护用高性能陶瓷ＰＴＣＲ元件作烧成对象，研究了应用自动连续式高温电阻炉对高性能陶瓷ＰＴＣＲ元件实施规模生产的工艺。调整双温点自动高温电阻立式炉的温度和下降传动速度可方便地得到合理的烧成曲线，改善ＰＴＣＲ材料的性能参数，并保证高的成品率和性能一致性。     

低温BaTiO_3PTCR材料的研究

本文介绍了ＢａＴｉＯ＿３半导瓷ＰＴＣＲ材料的性能，给出了低温ＰＴＣＲ材料的配方、工艺要点及主要特性参数，提出了改进性能的途径。     

钛酸钡基陶瓷材料晶界掺杂与PTCR效应

“晶界掺杂”是一个全新的概念,它针对的是陶瓷晶界。在钛酸钡材料中,晶界掺杂能明显地改变ＰＴＣＲ效应。在晶界上,施主杂质同某些受主杂质一样,也可以明显提高材料的ＰＴＣＲ效应。通过晶界掺杂引入的Ｐｂ２＋则对ＰＴＣＲ效应有明显的损害。     

用于材料改性的宽束离子源现状及其发展

本文叙述了对材料表面改性的宽束离子源的要求，重点介绍了考夫曼型气体离子源及电子束蒸发强流金属离子源，也介绍了ＲＦ、ＥＣＲ离子源及ＭＥＶＶＡ源。     

降温速度及气氛对PTC元件特性之影响

通过工艺试验，研究了ＢａＴｉＯ３陶瓷ＰＴＣ材料在烧成过程中的冷却速度及烧成气氛对其ＰＴＣ特性之影响。试验结果表明：采用适当的缓冷速度及氧气氛烧成可大大提高材料的ＰＴＣ特性，αＴ、Ｒ（２００）／Ｒ（ｍｉｎ）明显增大，室温电阻达４５Ω左右。所制元件与日本样品性能相近，完全能满足开关型元件的要求。     

高T_C低电阻率PTCR陶瓷材料

研究了在制备高ＴＣ低电阻率ＰＴＣＲ陶瓷材料过程中，原材料、少量添加物以及主要生产工艺对电性能的影响规律。经反复试产表明，在隧道窑可以大规模生产出居里点ＴＣ＝１８０～２７０℃、室温电阻率ρ２５＜８０Ω·ｃｍ、电阻温度系数α４０≈１４％℃－１、升阻比Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎ为１０４的高性能ＰＴＣＲ陶瓷材料。此种材料制成高温发热元件能在６～２４Ｖ电压下使用，开拓了ＰＴＣＲ材料新的应用领域。     

低BaTiO3PTCR材料的研究

文介绍了ＢａＴｉＯ３半导瓷ＰＴＣＲ材料的性能，给出了低ＲＴＣＲ材料的配方，工艺要点及主要特性参数，提出了改进性能的途径。     

离子注入机的国内外现状

本文简要介绍了离子注入和器件的关系,概述了离子注入机的发展现状和趋势,初步探讨了我国离子注入机不能形成产业的原因。     

鞍型场离子枪特性研究

本文简述了鞍型场离子枪的工作原理,并给出了我们所研制的鞍型场离子枪的特性。实验结果表明,我们研制的这种枪在放电功率为16W 时,枪体的温度为300℃,因而不需水冷;再有,这种枪所发射的束流中有很多荷能中性粒子。在放电电流为1.2mA、放电电压为4～7kV 时,中性粒子占全束流的70%～80%。本文对中性束流的实验结果进行了讨论。     

离子注入机注入离子能量分布的计算机模拟

本文参考ＴＲＩＭ程序，建立用于模拟计算多种荷电态离子注入过程的程序。在此基础上，对注入离子荷电态进行拟合。本文的结论对注入离子束能量分析有应用价值。     

用于光学涂层的离子辅助反应淀积工艺

主要介绍几种离子化制备薄膜的方法，其目的是评述用于制备低损耗光学涂层的低能反应工艺和等离子体工艺的优劣。     

离子束辅助低能碳离子注入工艺原理

离子束辅助低能碳离子注入是在低能含碳离子束轰击样品表面并沉积膜层的同时采用中能离子束辅助轰击注入，它可在低温下将碳离子注入到样品表层足够的深度，其注入深度比动态离子束混合(DIM)增加1～2倍。离子束流实行交替变化，有利于保持较低的样品基体温度，且比恒束流注入的深度有明显增加。它对材料表面改性效果明显优于DIM工艺，离子注入改性后，40Cr钢表面显微硬度HV可提高一倍左右。     

聚焦离子束光学系统中高压电源稳定度对获得亚微米束斑影响的研究

介绍了应用于亚微米微细加工的２级透镜聚焦离子束系统，从象差和散焦的角度利用理论分析和模拟计算，研究了决定光学系统性能的离子源、离子引出极、预聚焦极、聚焦极等高压电源的稳定度对离子束径的影响，得到了束径小于０．２μｍ时电源必须达到的稳定度（纹波系数小于１０－５），最后提及了所研制的高稳定度高压电源。     

Cr~(3+):LiNbO_3晶体的光谱特性

分别用分光光度计和激光感生荧光技术测量了Cr~(3+):LiNbO_3晶体的吸收谱和荧光谱。测得晶体的晶场参数D_q/B=2.49,~4T_2与~5E能级的能量差⊿=114cm~(-1),~4T_2-~4A_2跃迁的发射截面σ_(?)=6.58×10~(-20)cm~2,荧光寿命τ_f=2μs。最后从理论上阐明了Cr~(3+)在LiNbO_3晶体中的能级结构。     

铜离子与甲醛的爱情

通过人性化故事,叙述了化学沉铜的某些原理。     

场致负离子发射及负离子谱

利用场致发射显微分析综合系统（ＦＥＭ－ＦＩＭ－ＩＡＰＣｏｍｂｉｎａｔｉｏｎＳｙｓｔｅｍ）￣［１］进行场致负离子发射方面的研究，探索出场致发射获取负离子及其负离子谱的方法和条件，并对不同实验条件所获得负离子谱进行了分析，总结出场致发射负离子谱的一些基本特点和规律。