纳米SiOx/LDPE复合材料中逾渗电导现象的研究

用双溶液共混的方法制备了不同质量分数的纳米SiOx/LDPE聚合物复合材料,利用X射线衍射对复合材料的结晶状态进行了研究。发现纳米SiOx的添加导致结晶度变大,晶粒的尺寸先变小后变大的现象。利用微电流计对不同质量分数的纳米SiOx/LDPE聚合物复合材料在293~353 K的温度范围内进行电导测量。试验结果表明:纳米SiOx/LDPE聚合物复合材料存在类似于掺杂导电粒子或半导电粒子的聚合物复合材料电导过程中的逾渗现象,即复合材料的电导随着纳米粒子质量分数的增加先减小后增加的现象,这与X射线衍射试验中的晶粒尺寸变化趋势相一致。最后结合纳米SiOx粒子对聚乙烯产生的微观结构的变化对强场电导的实验曲线进行了解释。     

纳米SiOx／LDPE复合材料电导机理的研究

以双溶液共混的方法制备了不同浓度的纳米SiOx／LDPE聚合物复合材料，并利用x射线衍射（XRD）对复合材料的结晶形态进行了测量。测量结果表明，纳米SiOx粒子的添加，使低密度聚乙烯（LDPE）的晶粒尺寸变小、结晶度变大。利用微电流计对不同浓度的纳米SiOx／LDPE聚合物复合材料在293-353K的温度范围内进行电导测量。结合计算机曲线拟舍技术，对空间电荷限制电流、肖特基效应、普尔．弗兰凯尔效应、离子跳跃电导模型进行了研究。研究表明，纯LDPE的电导模型以空间电荷限制电流为主，纳米SiOx／LDPE复合材料的电导以离子跳跃电导为主，并且其跳跃距离随温度的增加而增加。     

化学共沉淀制备锰锌铁氧体纳米晶

采用化学共沉淀法制备锰锌铁氧体粉末。首先用化学共沉淀法制备了纳米复合物,然后分别在700℃、900℃、1100℃下进行热处理,得到MnZn铁氧体。采用X射线衍射(XRD)对所制备的样品进行表征及分析。结果显示,热处理后样品形成了很好的尖晶石铁氧体纳米晶,平均晶粒尺寸约为20~50nm。同时也发现热处理温度对晶粒尺寸有显著影响。     

掺铝氧化锌/还原石墨烯复合材料的制备及性能

用溶胶-凝胶法制备掺铝氧化锌(AZO)/还原石墨烯(rGO)复合材料.通过XRD、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、Raman光谱和能量散射X射线能谱(EDS)等技术,对产物的结构和形貌进行分析.铝掺入了氧化锌的晶格,颗粒状的氧化锌颗粒(60～ 150 nm)均匀分布在rGO纳米片上.以100 mA/g的电流在0.01～3.00 V充放电,使用10 ml氧化石墨分散液和2ml硝酸铝溶液制得的AZO/rGO复合材料的首次放电比容量为836.6 mAh/g,第30次循环的比容量为462.8 mAh/g.     

纳米Si/褶皱石墨烯复合材料制备及储锂性能

氧化石墨烯与纳米Si O2的混合悬浮液经过冷冻干燥、热退火和HF处理制得了褶皱石墨烯。将褶皱石墨烯与Si纳米颗粒在乙醇中分散后缓慢干燥制备了纳米Si/褶皱石墨烯(SCG)复合材料。Si纳米颗粒均匀分散于褶皱石墨烯中,并被石墨烯网络包围。作为锂离子电池负极材料,SCG具有高的库仑效率,在500 m A/g的电流密度下,80个循环后的比容量为1 003 m Ah/g,表现出良好的循环稳定性。如此优越的电化学性能要归因于褶皱石墨烯的高电导率和良好的机械柔韧性。     

SnO2/石墨烯纳米复合材料的制备及储锂性能

将氧化石墨烯与SnCl2·2 H2O水溶液混合,搅拌过程中滴入氨水,经空气中干燥,最后在氩气气氛中退火制得SnO2/石墨烯纳米复合材料.X射线衍射(XRD)表征确定了SnO2纳米颗粒的晶格结构.场发射扫描电镜(FESEM)和透射电镜(TEM)表明:SnO2纳米颗粒均匀分布在石墨烯片层中,且两者结合紧密.作为锂离子电池负...     

环氧树脂/富勒烯纳米复合材料空间电荷注入特性

高温与强电场作用下环氧树脂绝缘空间电荷注入诱发电场畸变,加剧绝缘劣化甚至引起击穿放电故障,严重威胁电力、电子设备安全稳定运行。纳米掺杂在提升环氧树脂复合材料介电性能方面表现优异,但高温与强电场下纳米复合材料的空间电荷注入抑制效果及机理仍有待进一步证实与分析。该文制备了不同含量富勒烯(C₆₀)掺杂的环氧树脂纳米复合材料,采用改进的电声脉冲法研究其在高温(80℃、150℃)和强电场(100、150k V/mm)条件下空间电荷注入与积聚特性。结果表明,C₆₀的引入对高温、强电场下环氧树脂绝缘电荷注入和积累有明显的抑制作用。基于密度泛函理论计算分析环氧树脂和富勒烯的分子轨道能级和3D电势分布规律,发现C₆₀量子点能够调控EP/C₆₀纳米复合材料电荷输运行为,抑制载流子的注入,减少空间电荷的积累。上述试验和仿真结果证明,掺杂C₆₀可以有效改善环氧树脂绝缘高温和强电场下空间电荷注入特性。     

纳米ZnO-RTV复合材料的制备与抗紫外性能研究

为了提高室温硫化硅橡胶(RTV)抗紫外性能,本文通过钛酸酯偶联剂(PN)对纳米氧化锌(ZnO)进行改性,将其作为填料掺入RTV制备得到不同质量分数的纳米ZnO-RTV复合材料,对纯RTV和纳米ZnO-RTV复合材料进行紫外光加速老化实验,并对比分析纳米ZnO对RTV抗紫外性能的影响.结果表明:纳米ZnO能有效改善RTV的紫外光屏蔽性能,质量分数为1.0％的纳米ZnO-RTV复合材料紫外光屏蔽率的提升幅度高达72.63％;添加纳米ZnO后,RTV的电气强度略微提高;2500 h紫外老化后,纯RTV表面静态接触角的下降幅度、表面微观形貌所反映的老化程度都远大于纳米ZnO-RTV复合材料,这与老化前后RTV分子链Si-(CH3)2、Si-CH3和C=O的变化情况相印证.同时,2500 h紫外老化后,纳米ZnO-RTV复合材料的热稳定性明显优于纯RT V.     

聚苯乙烯/纳米碳化硅晶须复合材料的制备

采用钛酸酯偶联剂(NDZ-105)对纳米β-碳化硅晶须(β-SiCw)进行表面改性处理,通过粉末共混-模压成型制备PS/SiCw纳米复合材料。探讨了SiCw用量和NDZ-105处理对复合材料力学、耐热性和介电性能的影响。结果表明,复合材料的力学性能随SiCw用量的增加而提高,当SiCw的质量分数为3%时,综合力学性能最佳;表面改性有助于进一步提高材料的力学性能;热失重分析表明SiCw的加入使PS的耐热性提高;介电性能分析表明复合材料的介电常数随SiC用量的增加而增加。     

纳米ZnO/低密度聚乙烯复合材料的介电特性

聚合物纳米复合材料因其优良的介电、机械等性能在电介质领域得到广泛的应用。纳米粒子改性聚乙烯基绝缘材料具有很好的研究价值及工程意义。该文主要研究了表面经分散剂处理的纳米ZnO粒子添加剂与低密度聚乙烯(LDPE)共混物的介电特性。结果表明5%含量的纳米ZnO添加剂能有效提高聚乙烯基复合材料的体积电阻率和交流击穿强度。同时纳米添加剂虽增加了体内的残余电荷,但能有效抑制电极同极性电荷的注入。另外由于聚合物纳米复合材料的界面特异性,使得介电常数随着纳米ZnO含量的增加呈先减小后增大趋势,而损耗值却线性增加。纳米ZnO/聚乙烯复合材料介电性能提高归因于纳米粒子与聚乙烯分子间类同于深陷阱的界面效应。     

紫外成像仪在电力设备缺陷检测的应用研究

采用针-板间隙产生极不均匀场,施加一定的电压使针产生稳定的电晕放电,分析了紫外光子数与距离、增益的关系;然后进行了零值、污秽绝缘子及均压环安装不牢、导线“断股”等缺陷的模拟试验。试验结果表明,利用紫外成像仪能对这些缺陷进行有效的检测,值得进一步深入研究紫外成像仪在电力设备缺陷检测的应用。     

紫光LED用荧光粉的研究进展

跟踪紫光LED荧光粉研究进展;重点介绍紫光LED用单一基色白光荧光粉、红光用荧光粉、绿光用荧光粉和蓝光用荧光粉4大部分。     

基于FPGA的GFPT协议的设计与实现

根据光传输网的发展现状和趋势,详细比较了通用成帧协议两种映射方式的优缺点,并分析了GFPT透明传输方式在OTN传输网的应用前景。重点阐述了GFPT协议的FPGA设计实现方法。设计的GFPT模块功能在Xilinx的Virtex4 FPGA上得到验证,工作频率达到166MHz。     

基于IEC61970／61968的营销基础数据平台GDA设计与实现

营销领域普遍存在多种业务系统间的数据交互,由于各个业务系统由不同厂家在不同时期开发。存在数据模型、数据结构等方面的差异,进而造成系统集成困难。为了实现业务系统间的互联,完成配网领域的标准化,公共信息模型（CIM）为其提供了理论依据,而组件接口规范（CIS）则是实现真正意义上数据交换的有效方法。文章提出了基础数据平台公共信息模型的建模原则,建立了符合IEC61970／61968标准的数据模型,利用Java编程实现了通用数据访问（GDA）接口,并通过实际测试结果表明了该方法的可行性和有效性。     

氧化锌避雷器在线检测数据分析

介绍氧化锌避雷器（下称MOA）老化的原理,提出监测运行中MOA的工作情况,判断其质量状况的方法.     

Numerical modeling of a CMOS UV/blue photodetector based on MOSFET and lateral photosensitive diode

A complementary metal‐oxide semiconductor photodetector with ring‐shaped structure is presented in this paper, which consists of a p‐channel metal‐oxide‐semiconductor field‐effect transistor and lateral photodiodes and can be applied for ultraviolet (UV)/blue detection. The p‐channel metal‐oxide‐semiconductor is enclosed by ring‐shaped lateral photodiodes and lateral ring‐shaped photodiodes for enlarging near‐surface depletion region of the photodetector. Photoelectric conversion process of the photodetector has been modeled, and some performance parameters of photodetector have been derived and evaluated. The simulation results show that the photodetector can exhibit a high current responsivity of 1 × 10⁻³ Å even for ultra‐weak light such as 0.01 μW. The composite photodetector is fabricated in a standard 0.18 µm complementary metal‐oxide semiconductor technology. The test results reveal that the presented photodetector, which just like predicted by the model, is an effective way to solve the low response of silicon‐based UV detector. In a word, the presented photodetector has a big potential application value in weak light and UV/blue light detection. Copyright © 2015 John Wiley & Sons, Ltd.     

Preparation and Field Emission Performance of Metal-Doped ZnO NRAs/Graphene Composite Material

Abstract

Al doped and Cu doped ZnO NRAs/Graphene composite material are synthesized by introducing the concentrations of 0%, 2%, 4%, 6%, 8% using hydrothermal method, and their structure and morphology are characterized by XRD, EDS and SEM, XPS. The results show that Al:6% doped and Cu:4% doped ZnO/Graphene nanorod array have the best crystal quality and morphology compared to other concentrations of doped samples. Other than that, the field emission performances of Al:6% doped and Cu:4% doped ZnO NRAs/Graphene are measured. The turn-on field and field enhancement factor of Al:6% doped ZnO NRAs/Graphene are 1.51?V/mm and 11264. The turn-on field and field enhancement factor of Cu:4% doped ZnO NRAs/Graphene are 1.80?V/mm and 10076. It is found that the field emission performance of Al: 6% doped ZnO NRAs/Graphene is higher than the sample with doped Cu, which indicating that Al-doped ZnO NRAs/Graphene might have promising applications for various field emission devices.     

基于J2EE的校园一卡通系统平台的设计与实现

基于J2EE标准的四层体系结构以其良好的灵活性和可扩展性、可共享性、可复用性、安全性等优点,成为建立校园一卡通系统平台的最佳选择。通过一个应用实例,阐述了开发一个基于J2EE的应用系统的方法,采用JSP开发客户端应用程序,应用Java语言开发服务器端应用程序,由Oracle数据库负责存放和管理系统的数据,采用Weblogic应用服务器进行逻辑处理。借助校园网络传输数据,实现校园内各类商务收费、各种身份识别。     

基于GPS的配电网10kV电力线路智能导航巡检系统

为改进电力线路巡检工作中存在的不足,提高工作效率,从电力配电网10kV线路巡检应用现状及存在的问题出发进行分析,提出利用全球定位系统GPS、手持终端PDA、无线公网通信技术GPRS,结合地理信息系统GIS,实现基于轨迹导航的智能巡检系统。应用结果表明,系统能满足设备巡检和缺陷管理的需求,能提高巡检效率,并使巡检作业规范化、科学化。     

特高压输变电系统绝缘子紫外放电数据管理及故障诊断系统设计

绝缘子的运行状态直接关系着特高压(UHV)电网的稳定性,绝缘子在运行过程中会出现绝缘性能下降同时伴随着表面放电,可以用紫外(UV)成像仪对其运行状态进行检测。根据直流特高压工程技术国家工程实验室(昆明)的设计要求开发了一套紫外数据管理系统,采用Delphi7作为管理系统开发软件,SQL Server2000作为后台数据库,运用模块化开发思想,建立了基本信息管理、图像处理、紫外视频播放和报表生产等功能模块,运用数学形态学提取紫外光斑中的放电参数。通过喷水分级法在现场选择了正常、良好、微孔、劣化和严重老化5种绝缘状态的同一种绝缘子,提取了"光斑直径"和"光斑面积",通过MATLAB数字仿真,得到了这2种参数随绝缘状态的变化趋势,结果表明:绝缘状态良好时,光斑面积<250(像素点),光斑直径<15(像素点);出现微弱放电时,光斑面积在12 000(像素点)左右,光斑直径在130(像素点)左右;当出现闪络,绝缘几乎丧失时,光斑面积>30 000(像素点),光斑直径>250。该软件为绝缘子运行状态的评估提供了量化依据和一定的指导。