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可伐合金气密封接的预氧化 总被引:3,自引:1,他引:3
可伐合金和硅硼硬玻璃是通过可伐合金表面的氧化物与玻璃互溶而紧密结合在一起的,所以可伐合金的预氧化是金属外壳制造的一个非常重要的工艺环节,是直接影响气密封接的一个重要因素。为实现气密封接,可伐合金预氧化需要得到的氧化物应是Fe_3O_4和FeO,而不希望得到Fe_2O_3。同时,氧化膜的厚度要控制在一定的范围内;氧化膜过薄则氧化物完全溶于玻璃,造成玻璃与金属基体表面的直接封接,使封接强度下降;氧化膜过厚则造成金属表面氧化物较粗糙疏松,封接件容易漏气。为达到上述两个目的,可以从可伐合金氧化的热力学和动力学出发,通过控制氧化气氛,氧化温度和时间来实现。 相似文献
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测定了在不同工艺条件下DM-305及BH-G/K两种玻璃可与伐合金之间的浸润角大小。对浸润角受气氛和金属表面氧化膜成分的影响进行了研究。为合理选择该种玻璃与可伐合金的封接工艺提供了理论依据。 相似文献
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压缩封接及其应力计算公式简介 总被引:1,自引:0,他引:1
在半导体器件中,长期以来,多利用匹配封接的方法获得绝缘零件(亦称外壳)。其主要选用的材料为钼组玻璃与可伐合金相封接。众所周知,可伐合金的价格是昂贵的,将使产 相似文献
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可伐合金封接用Li_2O-Al_2O_3-ZnO-SiO_2微晶玻璃研究 总被引:1,自引:1,他引:0
使用烧结法制备了Li2O-Al2O3-ZnO-SiO2微晶玻璃,利用差热分析、X射线衍射、扫描电镜等测试分析方法,对其析晶和封接特性进行了研究。结果表明,晶化温度低于800℃时,微晶玻璃主晶相为ZnAl2O4,晶体大小为0.5μm;晶化温度高于800℃时,析出晶体为ZnAl2O4和LiAlSi2O6纳米晶。该微晶玻璃具有与可伐合金相似的线膨胀系数,当加热温度达到980℃时,即可用于封接可伐合金;封接后的接口呈乳白色,外观良好,气密性和绝缘电阻均达到行业标准。 相似文献
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毛主席一再教导我们:“……人类总得不断地总结经验,有所发现,有所发明,有所创造,有所前进。”我厂生产的ZGI-15/15充汞闸流管,自65年试制生产以来,可伐与钼组玻璃(DM-35号原为3C-5)的封接一直很不稳定,封口有大量气泡。特别是在处理好一批可伐件但不需要马上进行封接的情况下,如何妥善地保存好已处理的可伐件成为很重要的问题。当时,我们的工艺过程是:可伐盘去油清洗——烧湿氢(950~1050℃)——以铜焊料与钢支杆焊接——烧氢——电镀——烧氢——与玻璃封接。封接时在玻璃封接处先用火焰加热,再用火焰直接氧化可伐(1000℃,约10),然后将可伐与加热过的玻璃熔封在一起。我们参考了有关资料,都谈到可伐与玻璃 相似文献
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Li2O-ZnO-SiO2系结晶型低熔点封接玻璃的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研制了一种用于与软质玻璃和金属合金封接、以Li2O-ZnO-SiO2为基础的三元系结晶性低熔点玻璃焊料.通过不同的热处理制度以及DSC,纽扣试验等分析手段,对该体系焊料玻璃进行了研究.结果表明,玻璃焊料在600~640℃的流散性良好,能与金属合金、平板玻璃封接.同时探讨了封接温度、封接时间、金属合金预处理的程度以及保护气氛等工艺参数对封接质量的影响. 相似文献
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可伐(Kovar)合金作为一种功能材料,在较宽的温度范围内(-80℃~450℃)内膨胀系数与硬玻璃的膨胀系数相近,可以保证材料的匹配封接。主要分析了可伐合金外壳采用激光封焊时焊缝处产生裂纹的原因,并就改善焊接裂纹提出了改进措施,主要措施包括焊接工艺参数的优化、焊接结构的优化设计、焊接前的清洗及热处理。 相似文献
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在BH—A/K玻璃中分别添加不同质量分数的Al2O3,制得生坯后在680℃排蜡,980℃下在Kovar合金表面进行铺展试验,分析玻璃中AL2O3添加量对绝缘子排蜡致密性的影响,及其对Kovar合金间润湿性的影响.结果表明,随Al2O3添加量升高,相同温度下排蜡后绝缘子致密性下降.Al2O3添加量越高,相同温度下排蜡后,... 相似文献
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《Electron Devices, IEEE Transactions on》1982,29(4):554-561
A new regime of local oxidation, dubbed SILO for Sealed-Interface Local Oxidation, is explored. In SILO processing, a film of silicon nitride is in intimate contact with the silicon surface. The ubiquitous native oxide is effectively eliminated by using nitrogen ion implantation into silicon or plasma-enhanced nitridation to form a "sealing film" of approximately 100 Å in thickness. The oxidation rate of both types of films is characterized and found to be nearly equivalent. A 100-Å film can mask the growth 0f 7000 Å of oxide in wet oxygen at 950° C. With a sealed interface it is found that the usual "bird's beak" formation is completely suppressed in local oxidation. An approximate theoretical analysis shows that even a very thin interfacial oxide, acting as a lateral diffusion path for the oxidant species, can lead to a significant bird's beak. With a sealed interface using a 90-Å film, the thick-oxide to bare-silicon transition region is chisel shaped, with approximately 45° slopes. The transition region is even more abrupt if a conventional LPCVD nitride film is deposited on the sealing film before patterning. However, for total nitride thicknesses greater than about 300 Å, defects are generated along the pattern edges aligned in [110] directions. Crystal damage generated during oxidation is found to be due to the intrinsic stress in the LPCVD nitride film. Argon-ion implantation into LPCVD nitride is found to be effective in reducing the defect density. A defect-free abrupt profile is produced by combining SILO with a nitride-oxide sandwich. 相似文献