真空蒸发沉积聚苯胺晶态薄膜的研究

利用傅里叶变换红外光谱、透射电子显微镜、高分辨扫描电子显微镜和扫描隧道显微镜等多种分析技术，对用真空蒸发沉积技术制备的不同聚苯胺薄膜试样进行了综合表征。研究发现，ＰＡＮＩ薄膜是无定形态的绝缘膜；经ＨＣｌ掺杂的ＰＡＮＩ薄膜尽管其电导率有很大提高，但仍是非晶态的薄膜；而ＰＡＮＩ－ＴＣＮＱ薄膜确是多晶薄膜，且薄膜的电导率较ＰＡＮＩ薄膜提高几个数量级。研究发现ＰＡＮＩ－ＴＣＮＱ薄膜中的ＰＡＮＩ聚合链与ＴＣ     

真空蒸发沉积聚苯胺—TCNQ复合薄膜的STM研究

利用扫描隧道显微镜对真空蒸发沉积的聚苯胺－ＴＣＮＱ（ＰＡＮＩ－ＴＣＮＱ）复合薄膜、纯聚苯胺薄膜及纯ＴＣＮＱ薄膜试样进行了对比分析。研究发现,纯ＰＡＮＩ薄膜和纯ＴＣＮＱ薄膜都是绝缘膜,而用ＴＣＮＱ挽杂获得具有较高导电特性的ＰＡＮＩ－ＴＣＮＱ复合薄膜。而且与表面粗糙不连续的ＰＡＮＩ薄膜和ＴＣＮＱ薄膜相比,ＰＡＮＩ－ＴＣＮＱ复合薄膜易形成较大面积的表面结构完善的连续膜。傅里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）分析     

在Si基底上真空蒸发沉积Ag-MgF2复合薄膜的内应力研究

报道了用电子薄膜应力分布测试仪测量了不同温度、不同厚度的Ag-MgF2复合薄膜的内应力变化情况，得到了基底温度(退火温度)在300～400℃范围内薄膜平均应力最小，且处于张应力向压应力转变区城。XRD分析表明，在Ag-MgF2复合薄膜中Ag对复合薄膜内应力的影响大于MgF2。     

交替沉积自组装法制备聚苯胺复合薄膜的研究

采用交替沉积自组装法制备了聚苯胺复合薄膜,用紫外-可见光谱、傅立叶红外光谱、热重法、循环伏安法对薄膜的结构、性能进行了表征和分析.     

强磁场下真空蒸发Zn薄膜晶粒细化研究

分别在1T,2T和3T强磁场下采用真空蒸发沉积制备了三种相同厚度的Zn薄膜,并和无磁场下制备的薄膜进行了对比研究.SEM对薄膜表面形貌研究发现,施加磁场制备的Zn薄膜表面晶粒要比无磁场条件下制备的薄膜有明显的细化作用.对磁场下Zn原子团形成进行了热力学分析,推导了磁场作用下的临界形核半径r*M和临界形核自由能ΔG*M,引入了磁场对临界形核自由能作用因子fM.对磁场导致晶粒形核能的变化以及形核浓度的影响作了深入分析,r*M和ΔG*M减小从而增加临界形核浓度和形核速率是Zn晶粒细化的原因.另外,磁场对扩散的抑制作用也对晶粒细化起到了作用.     

真空蒸发沉积18烷基取代螺吡喃薄膜的光致变色及光电子谱研究

利用真空蒸发的方法在玻璃载片上沉积了18烷基取代螺吡喃薄膜，并利用光吸收谱和光电子谱研究薄膜的光致变色特性及变色前后分子结构的变化情况。实验结果发现，真空蒸发沉积的18烷基取代螺吡喃薄膜具有良好的光致变色性能，在紫外光的照射下可以发生明显的光致变色反映。光电子谱分析：经紫外线照射后，N1s、O1s光电子峰发生明显的变化 ，说明经紫外线照射后分子结构发生了变化，导致分子内部电荷的重新分布。另外紫外线照射后氧含量增加，这是因为紫外线照射后薄膜表面对水汽的吸附能力增加所致。     

真空蒸发Ag—Cu薄膜晶体结构的透射电镜的研究

利用透射电镜，对真空蒸发Ａｇ－Ｃｕ薄膜的晶体结构进行了分析研究。观察到了 Ａｇ－Ｃｕ薄膜在沉积过程中产生了有序化的 ＡｇＣｕ_３超点阵结构，并从理论上作了初 步分析。     

聚苯胺薄膜的制备及导电性

采用真空蒸发沉积法,以盐酸掺杂态和本征态聚苯胺粉末为原料,分别在Si(100)和载玻片上沉积了聚苯胺膜。利用傅立叶红外光谱仪(FT-IR)和扫描电镜(SEM)对薄膜进行了表征,并研究了原料颗粒尺寸对成膜质量的影响。电导率测试结果表明,采用该方法沉积的薄膜电导率在10-6S/cm量级,达到了防静电材料电导率的要求。     

蒸发、磁控溅射沉积真空对铀薄膜组成和结构的影响

用 X-光电子能谱仪(XPS)、扫描透射电镜(STEM)分析了蒸发、磁控溅射沉积真空对铀薄膜组成和结构的影响。结果表明,在沉积真空2Pa 下,蒸发、磁控溅射沉积的铀薄膜已完全氧化;在沉积真空2×10~(-1)Pa 下,磁控溅射沉积的铀薄膜由金属铀和二氧化铀组成,薄膜呈微晶或无定形结构。     

真空蒸发法制备PbI2多晶薄膜研究

用真空蒸发法在玻璃衬底上制备了PbI₂多晶薄膜,对样品的微结构、表面形貌、化学组分及电阻率进行了测试分析.结果表明,样品具有良好的多晶结构,并沿六角密堆积结构的c轴向高度择优取向.室温下样品暗电导率为3.09×10^-11(Ω·cm)^-1,电导激活能为0.78eV.     

真空蒸发法制备PbI2多晶薄膜研究

用真空蒸发法在玻璃衬底上制备了PbI2多晶薄膜,对样品的微结构、表面形貌、化学组分及电阻率进行了测试分析.结果表明,样品具有良好的多晶结构,并沿六角密堆积结构的c轴向高度择优取向.室温下样品暗电导率为3.09×10-11(Ω·cm)-1,电导激活能为0.78 eV.     

真空蒸镀聚乙烯醇薄膜

采用真空蒸发沉积(蒸镀)聚乙烯醇薄膜,通过SEM和光学显微镜观察聚乙烯醇薄膜呈现典型的岛状形式并均匀分布于衬底表面,且以梯田状台阶式长大.衬底温度是影响PVA薄膜沉积速度的主要因素.红外光谱分析表明其蒸镀薄膜的主要化学结构特点是羰基代替了部分羟基.     

钨坩埚蒸镀金膜表面黑色颗粒的控制研究

采用钨坩埚进行电子束蒸镀金膜是微电子工艺制备电极常用工艺之一, 然而在使用钨坩埚蒸发金时会有微小的黑色颗粒出现在金膜的表面, 对微纳尺寸下金电极或引线的性能具有严重的影响。研究发现调整蒸镀功率和其他工艺条件, 黑色颗粒数目有明显变化, 随着功率的增加黑色颗粒数目先减少后增加。利用“咖啡环效应”原理, 将电子束蒸发功率先升高再降低, 既控制了蒸发速度, 又成功减少了金膜表面的黑色颗粒, 为教学实验、真空镀膜工艺和集成电路生产领域提供参考。     

磷含量对真空蒸镀磷掺杂多晶硅薄膜的影响

采用真空蒸镀的方法制备磷掺杂多晶硅薄膜,研究了磷含量对多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构、晶粒尺寸及晶化率的影响。结果表明:随着磷掺杂分数的增加,多晶硅薄膜的晶粒尺寸和晶化率表现出先增加后降低的趋势,当磷掺杂分数为1%时,薄膜晶粒尺寸达到最大值,为0.55μm,晶化率为96.82%,且晶粒的均匀性最佳。     

纳米颗粒薄膜的真空喷射沉积研究

利用真空喷射沉积技术制备厂Zn纳米颗粒薄膜，研究了工艺参数对薄膜形貌及晶体结构的影响规律，给出了颗粒尺度和外形随Ar气流量、蒸发源温度、喷嘴尺寸形状和沉积时间的变化规律，并对其机理进行了分析。     

热蒸发制备CdSe薄膜的退火工艺研究

采用真空热蒸发技术在光学玻璃基底上制备了CdSe薄膜,研究了真空下不同退火温度和退火时间对CdSe薄膜晶体结构和表面形貌的影响。XRD结果表明,在400~500℃范围下退火2h、5h的CdSe薄膜晶型不发生改变,结晶性随退火温度升高而增强,其晶粒尺寸从32nm增加至50nm。SEM结果表明,在450℃下退火2h后的CdSe薄膜表面颗粒分布均匀且排列规则、无裂纹。AFM结果表明,在450℃下退火2h后的CdSe薄膜致密性好,表面粗糙度低(5.19nm)。因此采用真空热蒸发制备的CdSe薄膜的热处理条件确定为:退火温度450℃,退火时间2h。     

真空蒸镀红荧烯薄膜及其形貌分析

红荧烯(rubrene)即5,6,11,12-四苯基并四苯,是一种重要的小分子有机半导体材料,可以用以制备红荧烯有机场效应管和太阳能光伏器件。本文首先对传统的热蒸发真空系统进行改造,使之能蒸镀有机薄膜。在一定的蒸发温度下,经过不同蒸镀时间蒸镀红荧烯薄膜,蒸镀时间分别为5,6,7,8 h,获得了具有多晶结构的红荧烯薄膜,并对其形貌进行了分析。结果表明非晶结构的红荧烯薄膜首先在硅衬底上生长,非晶红荧烯薄膜生长至一定厚度后,多晶结构的红荧烯从其中形成。