谈谈0.3mm触媒使用中应注意的问题

本讨论了0.3mm厚度触媒合金片在使用过程中存在的一些问题，指出若使用不当将会使合成的金刚石粒度偏细，单产偏低。选用合适的碳片并对组装方式及合成工艺做必要的改进，可得到较满意的合成效果。0.3mm触媒的使用可有效降低合成腔体中的金属触媒含量，生产的金刚石的粒度集中度高，透明度好。     

CN1511783人造金钢石的合成方法

人造金刚石的合成方法涉及一种人造金刚石的合成方法。主要是为解决用现有的合成方法生产的金刚石产量低，优质品率低的问题而研究的。本发明的方法是：将触媒、碳片、叶蜡石块组装在一起，在130℃～140℃温度中烘烤，合成的工艺参数为：送温80MP、中停88MP、保压100MP、合成功率70、中停时间40秒。优点是：产量高，单产39克拉，优质品率高，强度≥13公斤以上比例为30％左右。     

金刚石合成中某些现象的分析与研究

采用ＳＥＭ和ＥＰＡ技术对ＮｉＦｅＭｎ触媒合金在金刚石合成中的一些现象作了研究并探讨了触媒合金在高压合成下的作用机理。研究表明，经高温高压合成后ＮｉＦｅＭｎ触媒片表面存在局部成份起伏，Ｆｅ原子在金属／石墨界面及金属／金刚石界面富集；这种成份（浓度）起伏对金刚石晶体的形核与生长都有一定影响。     

不同触媒合成人造金刚石合成块的断口组织分析

本文通过金相显微镜，SEM分别对粉末触媒（NiMnCo,FeNi)及片状触媒的微观组织及其合成金刚石的断口组织进行分析，揭示了金刚石合成过程中不同触媒合金的催化特征。     

触媒合成金刚石的效果研究

叙述了触媒材料合成金刚石的效果，讨论了触媒材料性能对金刚石的合成及其性能的影响。在对多种触媒材料性能进行测试与分析的基础上，综合了使用触媒材料的经验、看法和金刚石形成的生长机理及对金刚石合成的触媒材料的有效选择方法。     

含硼合金触媒对金刚石合成影响的实验研究

研究含硼合金触媒对金刚石合成的影响问题，对促进人造金刚石品种多样化、产品质量提高及触媒材料发展有重要的价值。叙述了含硼合金触媒合成金刚石的效果及对生长金刚石晶体性能产生的影响，讨论分析了含硼合金触媒合成金刚石的晶体性能比一般合金触媒合成金刚石晶体的性能较优的原因。在讨论分析的基础上，给提高人造金刚石与合成优质金刚石用触媒舍金材料的选择指出了途径。     

触煤合金对金刚石合成影响的研究

本叙述了合金触媒合成金刚石的效果，讨论了合金触媒性能对金刚石合成及其性能的影响。在对多种合金性能测试与分析的基础上，综合了使用合金触媒的经验、看法和金刚石合成机理及对合成金刚石的触媒原料的选择方法。     

预压时间对金刚石合成效果的影响

人造金刚石广泛地用于各行业,明显地展示了人造金刚石性能的优越性。目前,优质粗颗粒金刚石的需求量越来越大,供不应求,因此研制粒粗优质金刚石来满足现代工业发展的需要,是金刚石行业的当务之急。人造金刚石质量的优劣除了与碳片和触媒有直接的关系外,还与金刚石的合成工艺有着非常密切的联系。本文通过选定在相边界条件时控制成核压力的时间,来达到制取优质粗颗粒金刚石的目的。     

铁触媒表面的氧化铁包覆层对金刚石成核的影响

为了研究氧化后的触媒对金刚石成核的影响，将α-Fe粉在400℃的空气氛中分别处理1，1．6，2．4和4小时，制备了不同包覆厚度的氧化铁包覆铁粉。采用氧化铁包覆的铁触媒粉末和石墨体系进行了金刚石合成研究。研究发现在5．7GPa和1600℃的条件下，铁触媒表面的氧化铁包覆层与石墨碳发生了氧化还原反应生成Fe3O4和FeO，同时包覆层内部的铁熔融渗出，并与石墨碳源接触促使了金刚石的成核生长。与纯铁触媒相比，氧化铁包覆层对金刚石成核具有明显的抑制作用，而且随着包覆层厚度的增加，抑制作用越明显。文中还借助穆斯堡尔谱、X-ray衍射和扫描电镜测试手段对上述实验机理进行了深入的探讨。     

用含添加剂硫的粉末触媒合成金刚石

本文分别用铁镍触媒、含添加剂硫的铁镍触媒在国产六面顶压机上合成了优质金刚石单晶，利用光学显微镜观察，发现所合成的金刚石多为六八面体，晶形完整；在大多数用含添加剂硫的铁镍触媒合成的金刚石的{100}面，有熔坑出现，而用铁镍触媒合成的金刚石没有这种现象；用电子显微镜对熔坑的形貌进行了细致的观察。另外，还发现用含添加剂硫的铁镍触媒合成的金刚石中的包裹体要明显少于用铁镍触媒合成的金刚石中的包裹体。     

用含添加剂氮化物MxN的粉末触媒合成金刚石

本文分别用铁镍粉末触媒、含添加剂氮化物MxN的铁镍粉末触媒在国产六面顶压机上合成了优质金刚石单晶，利用光学显微镜观察，发现所合成的金刚石多为六八面体，晶形完整；在大多数用含添加剂氮化物的铁镍触媒合成的金刚石的晶面上有凹线出现，而用不含添加剂铁镍触媒合成的金刚石却没有这种现象。用电子显微镜对凹线的形貌进行了细致的观察。还发现用含添加剂的铁镍触媒合成的金刚石中包裹体明显少于用铁镍触媒合成的金刚石中的包裹体。随着铁基粉末触媒中添加剂氮化物含量的增加，合成金刚石的压力和温度条件逐渐增高，金刚石生长的“V形区”上移。     

SYCM-XB系列合成金刚石薄片触媒及其金刚石合成工艺

SYCM—XB系列薄片触媒及合成金刚石工艺是三一新材料公司自主研发的厚度在0．08—0．02mm的新型触媒及其工艺。触媒片变薄以后,其表面组织结构的变化增大了触媒熔剂与碳源之间的互熔互渗面积,改善了传压效果,非常有利于金刚石的均匀成核与慢速生长。该工艺是在六面顶液压机上实现的,通过配以非常规的合成块组装工艺和独创的合成工艺曲线,已成功生产出了单产提高25％,高强比提高15％左右,RVD比率降低15％左右,单块电能消耗减少0．4～0．5kWh,万克拉顶锤消耗不超过0．5kg,Ti值80％左右,TTi值70％左右的高品位金刚石。     

用镍锰钴合金触媒合成高品质金刚石的试验

研究触媒材料与金刚石的合成和金刚石晶体生长的关系问题，对促进合成工艺技术与触媒材料的发展有重要的实际价值。叙述了镍锰钴合金触媒（Ni70Mn25Co5）合成高品质金刚石的效果，讨论了镍锰钴合金触媒性质对金刚石合成效果及其晶体生长的影响和合成机理，并指出了在生产中对触媒材料选择的重要性和提高金刚石合成质量的方法与途径。     

铁基粉末触媒的粒度及其均匀性对合成金刚石的影响

本文利用铁基粉末触媒在国产六面顶压机上进行了金刚石单晶的合成。研究了高温高压条件下（5.7GPa，1370～1650℃），筛分的6种不同粒度（140／170，170／200，200／230，230／270，270／325，325／400）以及未经筛分的混合粒度的铁基粉末触媒生长金刚石的形貌特征。同时研究了粉末触媒粒度均匀性对合成金刚石的影响。结果表明，触媒粒度越均匀，合成金刚石单晶的粒度越集中。触媒粒度以及合成的金刚石晶体分别通过扫描电镜和光学显微镜进行了观测。     

开孔隙对粉末触媒合成金刚石的影响

通过实验设计，对比研究了有、无表面开孔隙的ＮｉＭｎ粉末触媒在六面顶压机上合成金刚石效果的差异。结果表明：ＮｉＭｎ粉末触媒表面存在开孔隙，能提高合成腔体内触媒和石墨的接触面积和单位体积中金刚石的形核率，从而有利于高单产金刚石的合成；而粉末触媒表面的开孔隙存在与否，对合成金刚石的晶形无明显影响。     

无孔隙对粉末触媒合成金刚石的影响

通过实验设计，对比研究了有、无表面开孔隙的Ｎｉ－Ｍｎ粉末触媒在六面顶压机上合成金刚石效果的差异。结果表明：Ｎｉ－Ｍｎ粉末触媒表面存在开孔隙，能提高合成腔体内触媒和石墨的接触面积和单位体积中金刚石的形核率，从而有利于高单产金刚石的合成；而粉末触媒表面的开孔隙存在与否，对合成金刚石的晶形无明显影响。     

大腔体合成工艺初探

1 前言。六面顶压机的大型化使金刚石产量增加，但随着合成腔体积的增大，温度滞后越来越严重，现在普遍采用提前送温、慢升压及二次暂停或多次暂停，而且延长暂停时间，由原来小腔体暂停25″-30″提高至60″-90″的合成工艺，一定程度上缓解温度滞后，但形成一个压力暂停等待温度的局面。而且暂停时间延长后，由于触媒与碳相互作用，析出的球状再结晶石墨晶粒增粗，导致金刚石成核数目减少，为了提高产量不得不提高合成压力，这样不但不能从根本上解决温度滞后，而且影响了金刚石的生长条件。本在郝兆印教授引导下，从控制加热曲线变化，以控制合成腔体温度、温度与压力合理匹配，使金刚石均匀成核，以提高优质金刚石产量。     

选择合成金刚石用石墨材料的若干问题

一、引言石墨和金刚石是碳的同素异型体。石墨是合成金刚石的主要原料。实践表明,在有或无金属触媒的参于下,石墨都能转变成金刚石,只是所使用的压力和温度不同而已。但值得注意的是用不同的石墨材料合成金刚石,所获得的效果是不同的,有的甚至差别很大。由此可见,开展对石墨材料与人造金刚石晶体生长关系的研究,将具有十分重要的实践和理论意义。     

金刚石合成用粉末金属触媒

<正> 在高温高压条件下,在石墨向金刚石进行转变的过程中,有意识地加入一些材料,使得金刚石的相变活化能和合成温度和压力显著降低,这样的材料称之为人造金刚石用触媒材料,简称触媒材料或触媒。在没有触媒参与的情况下,石墨转化为金刚石需要13GPa的高压和2700℃以上的高温。采用触媒,可使金刚石的合成压力与温度分别降至5—6GPa和1200～1400℃,从而使工业生产金刚石成为可能。     

新型碳源和触媒合成金刚石的研究

本文采用熔铸速冷法制备Fe-C化合物，合成了含碳量为共晶成分的Fe-C化合物。以Fe-C化合物为触媒和碳源对人工合成金刚石进行了实验研究和结果分析。以Fe-C化合物为触媒和碳源对TFDC理论进行了初步探讨。并为共晶成分Fe-c化合物为触媒和碳源进行金刚石研究提出了合适的温度和压强。为利用Fe-C化合物作为廉价的触媒和碳源进行金刚石合成提出了依据。