氧化钒薄膜的成分及相转变的研究

采用溶胶-凝胶浸渍法制备了V_2O_3凝胶薄膜,利用XPS及AES分析了不同条件下热处理得到的薄膜的表面成分。实验证明在真空6.67Pa下400℃至500℃热处理2h,得到了具有热诱导可逆相转变效应的VO_2薄膜,相转变后近红外区域内薄膜的透过率明显降低,分析了热处理制度与相转变之间的关系。     

磁控溅射氧化钒薄膜的研究进展

氧化钒因其优秀的相变特性和电阻开关特性而广受关注,在氧化钒薄膜多种制备工艺中,磁控溅射法优势明显。本文总结了近年来国内外研究者对磁控溅射法制备氧化钒薄膜的基础工艺研究成果,概述了不同溅射工艺对二氧化钒薄膜结晶特性及光学、电学性能的影响,并对相关机理进行了简要分析。相关结论对氧化钒薄膜的性能提高和应用扩展有一定的指导意义。     

氧化钒薄膜制备方法专利技术分析

氧化钒由于其独特的光电性能在红外探测器、光电调节器、智能窗、光存储及传感器等应用领域备受关注。对制备氧化钒薄膜采用的专利技术进行了梳理,对日后氧化钒薄膜的制备及性能优化具有很好的指导意义。     

退火处理对钛酸钡微弧氧化铁电薄膜物相的影响

以工业纯钛板作为阳极,在Ba(OH)2溶液中微弧氧化制得BaTiO3薄膜。研究了BaTiO3薄膜的表面形貌和物相组成,着重研究了退火处理对BaTiO3薄膜物相的影响。微弧氧化所得薄膜表面凹凸不平,且存在大量分布不均的孔洞,主要由六方相BaTiO3组成,经不同温度退火后,其物相组成发生很大变化。在1 100°C下退火1 h后,薄膜中开始出现四方相BaTiO3;随着热处理温度的升高和保温时间的延长,更多的BaTiO3由六方相向四方相转变。但高温退火过程中基体Ti与微弧氧化膜反应形成的氧化物层会影响薄膜的铁电性能。     

硅质钒矿氧化钙化焙烧提钒新工艺

研究了硅质单一钒矿氧化钙化焙烧提钒新工艺 ,以解决国内各钒厂目前采用的钠化法工艺三废污染严重 ,钒回收率低的问题。介绍和讨论了新工艺的焙烧和浸出原理、工艺流程、各项指标和在生产中的应用。     

钒化合物作氧化性缓蚀剂时钒的有效氧化态

作者在下列腐蚀体系中:(1)不锈铜在H_2SO_4溶液中,(2)碳钢在一乙醇胺溶液中和(3)钛合金在H_2SO_4溶液中;用旋转电极电位滴定法研究了钒化合物作氧化性缓蚀剂时钒的有效氧化态。结果发现,其有效氧化态为 5。     

功率对直流磁控溅射氧化钒薄膜电学性能的影响

采用直流磁控溅射方法在长有300 nm厚的Si₃N₄薄膜的Si(100)晶圆上制备了氧化钒薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和探针法分析了不同功率对薄膜结晶结构、成分、表面形貌和电学性能的影响。结果表明：不同功率沉积的氧化钒薄膜均为非晶结构,薄膜主要成分为VO₂和V₂O₅;随着功率的提高,薄膜的平均粗糙度降低,V₂O₅的含量升高,进而导致电阻温度系数绝对值也随之增大。     

过氧钒有机配合物的合成及其催化降解水中有机污染物的研究

合成并用1H NMR和51VNMR以及IR等谱学表征了3种过氧钒有机配合物：草酸过氧钒[pV（ox）],三乙醇胺过氧钒[pV（teoa）],双（二乙烯三胺）过氧钒[pV（beta）].用分光光度法研究了这些过氧钒有机配合物对水中少量或微量有机染料污染物氧化降解的催化性能,并将这三种配合物的氧化降解的催化作用进行比较,发现它们的催化活性顺序为：pV（ox）〉pV（teoa）〉pV（beta）.     

溅射总压对氧化钒薄膜的结构及电致变色性质的影响

采用高频磁控溅射工艺制备了两种不同性能的V2O5薄膜,并研究了溅射总压对其微观结构、循环伏安特性及电致变色特性的影响。结果表明：当功率一定（3．8W·cm^-2)时,在高气压沉积的V2O5薄膜中出现了微晶相,而在低气压沉积的薄膜中为非晶相。从循环伏安过程中实时记录的透过率变化曲线可见：随着Li^ 离子和电子的双重注入,薄膜在某一波长处的透过率前一阶段是增加或降低,而后一阶段却相反。含微晶相的薄膜上述现象更为明显,而且其储存Li^ 离子的容量也要大许多。应用能带结构理论定性地解释了V2O5薄膜复杂的电致变色现象。     

具有类胰岛素性质钒配合物研究进展

具有生物活性和药物功能的含钒化合物引起生命科学、药学、化学多个领域的关注,相关研究近二十年蓬勃发展。类胰岛素性质钒配合物作为糖尿病治疗剂是其中最令人瞩目的一个方面,国内外学者在此取得了卓有成效的结果。     

PHOTOINDUCED WETTABILITY OF TITANIUM OXIDE THIN FILMS

We present here the results of a systematic investigation of the influence of the main deposition parameters (substrate temperature, deposition time, reactive gas composition, etc.) on the hydrophilic properties of DC sputtered titania films, grown on heated glass substrates (463?573 K), using water vapors as the reactive gas. Reference samples prepared in standard oxygen-based deposition conditions were used to compare the results. All the investigated samples were polycrystalline, with either pure anatase or mixed anatase-rutile nano-phase mixtures, depending on substrate temperature and film thickness. The surface wettability, evaluated from contact angle data during UV irradiation and in the back-reaction conditions, is discussed in terms of the synergic effects of materials structure, surface morphology, elemental composition, and electronic properties.     

α-SiC∶H薄膜的热行为研究

采用射频反应溅射工艺沉积了αSiC∶H薄膜。利用微分扫描量热器 (DSC)和差热分析仪 (DTA)两种热分析方法确定了αSiC∶H薄膜的脱H过程和相转变温度 ,35 3.2℃脱Si—H和 60 2 .6℃脱C—H ,并在 10 80℃相变结晶。在氮气流保护下的光热炉内进行热处理 ,Fourier红外光谱 (FTIR)和反射谱的研究表明 :40 0℃热处理后薄膜内的H含量急剧下降。高温热处理中的脱H过程有利于游离硅和游离碳的反应形成额外的Si—C键 ,促进薄膜致密 ,并能提高其在紫外部分的反射率 ,降低红外区域的反射率。热处理温度超过 5 0 0℃ ,容易导致薄膜脱落。适当的退火工艺有利于拓展碳化硅薄膜在空间材料上的应用     

掺杂VO2相变薄膜的电阻突变特性研究

以V2O5和MoO3粉为原料，采用无机溶胶－凝胶法制备了掺Mo^6 的VO2相变薄膜。对掺杂薄膜的物相组成、价态、相结构的XPS和XRD分析及电阻突变量级和电阻突变温度的测试，结果发现：所制备的掺杂薄膜其主要成分是VO2，所掺入的MoO3与VO2完全互溶，但其中MoO3的价态未发生改变。掺杂薄膜随MoO3含量的增加其电阻突变温度明显下降，然而电阻突变量级也随之降低，当MoO3的质量分数为5％时，薄膜电阻突变温度降至30℃左右，电阻突变量级仍可保持2个数量级左右，尚能满足应用的要求。     

退火温度对铁电薄膜钛酸锶钡的影响

用醋酸盐和钛酸酯为原料,采用Sol-Gel工艺在Pt/TiO2/SiO2/Si基片上制备出Ba0.5Sr0.5TiO(3BST)铁电薄膜,然后在650-800℃下对BST薄膜进行退火,研究退火温度对钛酸锶钡铁电薄膜的影响。X射线衍射分析表明:退火温度在750℃以上时,BST薄膜转变成较为完整的ABO3型钙钛矿结构;SEM分析表明:750℃热处理的薄膜颗粒较大,且颗粒生长较好;阻抗分析仪测试表明:750℃退火处理的薄膜介电性能最佳;TEM分析表明:750℃晶粒发育完善、清晰,晶粒与晶粒之间比较紧密,且存在微畴区域。     

溶胶-凝胶法制备ZnO:Al薄膜的热分解及晶化过程

采用溶胶-凝胶浸渍提拉法在普通玻璃片上制备了ZnO:Al薄膜.通过热重-差示扫描量热曲线分析了前驱体在热处理过程中的物理化学变化,采用X射线衍射分析了薄膜的结晶特性.结果表明:ZnO:Al的结晶过程分2个阶段:在约300℃开始成核和生长,在500℃左右进一步晶化.在413～523℃时,薄膜组成为ZnO:Al与残余碳的混杂物:温度升至500℃时,残余碳大部分完全氧化,ZnO:Al进一步晶化,使薄膜结晶质量变好.薄膜的最佳预热处理温度和后期热处理温度分别为420℃和530℃.通过扫描电镜观察发现:在530℃下后期热处理的薄膜具有致密均匀的微观组织结构,在400℃下真空退火处理后其表面方电阻最小(140Ω/□).所有薄膜在可见光范围内透过率均超过90%.     

旋转涂布法制备MoO3变色薄膜的研究

近二十年来,过渡金属氧化物半导体薄膜因其具有光致变色／电致变色特性,可作为无机变色材料广泛应用于信息存储、显示以及灵敏器件等方面,而成为材料科学领域的研究热点之一［１～４］．国内外已对多种过渡金属氧化物薄膜进行了深入研究,包括ＷＯ３、ＭｏＯ３、Ｖ２Ｏ...     

用聚苯乙烯微球模板组装有序多孔氧化锌薄膜

在洁净的玻璃基片上通过浸提法组装了有序的聚苯乙烯微球(polystyrene spheres,PS)阵列模板.将PS模板再用浸提法垂直浸渍到ZnO溶胶中,在毛细管力的作用下ZnO溶胶进入到微球的间隙中形成凝胶,最后经煅烧除去PS模板而得到多孔ZnO薄膜.模板的反射光谱证实其堆积方式为面心立方结构.用扫描电镜观察了ZnO薄膜的表面形貌.用X射线衍射和紫外/可见光分光光度计对薄膜的性能进行了表征.结果表明:溶胶的浓度和PS模板在溶胶中的浸渍时间对薄膜的形貌有显著的影响,多孔薄膜孔径较微球直径收缩约30%.得到的ZnO薄膜经500℃煅烧后为六方纤锌矿结构,在波长大于550nm后其光谱透过率可达80%以上,禁带宽度约为3.22eV.