BSO晶体电光效应的实验研究

本文研究了含有自然旋光的BSO晶体的电光效应,并采用自然旋光与电光相移相补偿的方法和调制度函数法测量了不同生长条件下BSO晶体的半波电压。     

利用单块硅酸铋晶体同时测量交流电压和电流

设计并实验实现了利用单块硅酸铋(Bi12SiO20,BSO)晶体同时测量交流电压和电流的传感方案,其光学传感单元仅由起偏器、BSO 晶体和检偏器组成。BSO 晶体兼有Pockels 电光效应和Faraday磁光效应,在起偏器和检偏器的主透光方向互相平行或互相垂直的情况下,输出光信号中同时包含被测电压和电流传感信号,其中电压传感信号为被测电压的倍频信号,而电流传感信号则与被测电流同频率,因而可以利用电子滤波器从光电检测信号中分离出电压与电流传感信号,从而实现电压和电流的同时测量。利用一块尺寸为6.04.02.9 mm3 的BSO 晶体,实验实现了6 A、200 V 范围内工频电流与电压的同时测量。     

用BSO晶体传感器测量材料霍耳系数的研究

硅酸铋 ( BSO)晶体具有泡克耳斯效应和法拉第磁光效应 ,利用通过 BSO晶体的偏振光将被电场和磁场调制的特性 ,设计一种 BSO晶体传感器用于测量金属的霍耳系数     

基于BSO的液晶空间光调制器

紫外光敏材料硅酸铋(BSO)在短波长的蓝紫光激励下电阻率会急剧降低,可作为良好的光信息写入材料,用作光寻址的液晶空间光调制器(LC-SLM)的感光层.介绍了以BSO为基的光寻址透射式液晶空间光调制器的结构和工作原理,从BSO晶体产生光电导效应的机理出发,得到了光电流和光照功率的关系.实验测量了BSO晶体片在不同频率和不同强度的光照下的光电响应.通过对液晶分子指向矢分布随电压变化的理论计算,得到了在不同光照强度下BSO基的液晶空间光调制器产生的光程差,与实验中液晶盒在不同电压下产生的光程差有相同的变化趋势.     

基于水热法生长的硅酸铋晶体光学电压传感器

提出一种基于水热法生长的硅酸铋(BSO,Bi12SiO20)晶体型光学电压传感器,其电压传感单元主要包括一块BSO晶体和两个偏振器,不需要附加1/4波片。实验结果表明,所用BSO晶体样品具有显著的线性电光效应,可以用于测量交流电压;通过合理利用BSO晶体自身自然旋光性,可以使其电压单调及线性测量范围均大于以往基于无自然旋光性晶体的电压传感器。实验所用BSO晶体的自然旋光角度约为132°。实验数据表明,在电光相位延迟的峰-峰值为2π范围以内,传感器输出电压仍然能够随被测电压单调地变化。在被测工频电压有效值为108~1300V范围内,实验测量了传感器输出电压随被测电压变化的非线性响应特性;在利用应力双折射产生的相位延迟提供光学偏置的条件下,在一定电压范围内,可以实现工频交流电压的线性测量,相应的电压测量灵敏度约为0.027 6mV/V,非线性误差小于3.1%。     

使用同一晶体的电压、电流、电功率传感器

提出一种使用同一晶体测量电压、电流、电功率的光传感新原理,并在实验上作了验证.简单的分析表明,适宜这种原理的晶体点群只限有8组,它们具有电光效应、旋光性和法拉第旋转效应,适用于这种原理的实际晶体有石英和BSO(硅酸铋)晶体,BSO最适宜这种原理,这是因为它易于光学调整,并且有很好的温度稳定性,用石英和BSO晶体进行的实验表明,与理论的一致性很好.     

利用BSO晶体实现光电光调制

本文研究了BSO晶体的电光效应和光电导效应,并利用这两种效应实现了光-电-光调制。     

利用BSO晶体实现光强的非线性调制

利用BSO晶体的电光效应和光电导效应实现了光强的非线性调制,在0～25mW Ar~+激光入射情况下得到了类似于饱和吸收体的非线性透过率。     

BSO晶体光电特性及光调制器的研究

本文对BSO晶体空间电光及光电导特性进行了理论分析,利用532nm、633nm波长的光进行了光电导及光调制的实验研究,实验结果与理论基本相符。     

BSO晶体光纤的法拉第磷光效应

研制出具有法拉第磁光效应的BSO晶体光纤,利用光线分析和琼斯矩阵方法对BSO晶体光纤进行了理论分析和实验验证。结果表明,这种新型光纤可以在磁光调制、磁场(或电流)传感等方面得到应用。     

Size effect in Hall effect measurements with SI-GaAs

Hall effect measurements are an important means of quality control in the use of SI-GaAs wafers. Recent round-robin testing by Japanese substrate suppliers has been aimed at reducing the error from finite contacts, as a step towards standardization of Hall effect measurements.     

Analogue computer with Hall effect and magnetoresistance effect

An analogue computer simultaneously using Hall effect and magnetoresistance effect is described. The different states of operation of the computer and the performed mathematical operations are tabulated. The characteristics of the device are presented.     

介观压阻效应

为了突破传统机电转换，如压电、压阻及压容等效应的宏观物理局限，着手研究介观压阻效应。本文提出，通过四个物理过程来实现介观压阻效应。原理上讲，在力学信号作用下，纳米结构中的应力分布会发生变化；应力变化可引起内建电场的产生；内建电场将导致纳米结构中量子能态发生改变；量子能态改变会引起共振隧穿电流的变化。简述了国内外在上述四个过程方面所做的工作。     

介观压阻效应

为了突破传统机电转换 ,如压电、压阻及压容等效应的宏观物理局限 ,着手研究介观压阻效应。本文提出 ,通过四个物理过程来实现介观压阻效应。原理上讲 ,在力学信号作用下 ,纳米结构中的应力分布会发生变化 ;应力变化可引起内建电场的产生 ;内建电场将导致纳米结构中量子能态发生改变 ;量子能态改变会引起共振隧穿电流的变化。简述了国内外在上述四个过程方面所做的工作     

消荧光效应

我们在人体指纹谱研究中发现一种容易被忽略的特异现象，即消荧光现象，大量实验研究表明，人体皮肤消荧光现象，生物体有消荧光现象，非生物体也有消荧光现象，它是一种普遍现象，本文着重研究消荧光效应的两个问题，即荧光消失的规律和荧光消失所伴随的现象。     

模拟划像与键控特技的关系

在分析模拟划像与键控特技内部结构的基础上,给出了二者之间的区别与联系。     

The Gunn effect

The research that led up to the discovery of the Gunn effect is described by the author. A brief explanation of the effect is given, and the present use of Gunn diodes is also indicated     

The magnetotransistor effect

A new physical mechanism, active in the base region of dual-collector lateral bipolar tranistors in the presence of a transverse magnetic field, is described in the letter. This mechanism induces a differential current flow from the two collectors, and is also responsible for an increase in the overall current gain.     

Gunn effect bibliography

In view of the rapidly expanding interest and activity in the area of the Gunn effect, the following bibliography has been compiled for people who are studying or doing research in this area. The term "Gunn effect" is used, in general, to collectively describe a number of classes of bulk negative resistance behavior in semiconductors with energy band structures like that of GaAs. These modes of behavior include small-signal amplification, pure accumulation of space charge, mature dipole (true Gunn effect) mode. quenched accumulation (LSA) mode, and quenched dipole mode. These references deal with the theory, experimental results, and applications of the Gunn effect. Works of a fundamental nature concerning phenomena that are basic to all semiconductor behavior and other bulk negative resistance effects have not been included. Also, basic papers dealing with electron transport phenomena, such as hot electron theory and intervalley scattering, which are essential to a complete understanding of the Gunn effect and articles on the properties and band structure of GaAs, InP, CdTe, and other III-V compounds have not generally been included, although in certain cases they are listed if they have been frequently cited. As in the compilation of any bibliography, it is self-evident that some valuable and pertinent articles may have been overlooked.